Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مشخصات نشــریه/اطلاعات دوره

نتایج جستجو

2558

نتیجه یافت شد

مرتبط ترین ها

اعمال فیلتر

به روزترین ها

اعمال فیلتر

پربازدید ترین ها

اعمال فیلتر

پر دانلودترین‌ها

اعمال فیلتر

پر استنادترین‌ها

اعمال فیلتر

تعداد صفحات

27

انتقال به صفحه

آرشیو

سال

دوره(شماره)

مشاهده شمارگان

مرکز اطلاعات علمی SID1
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    5-14
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    180
  • دانلود: 

    441
چکیده: 

اانتقال گرافن از یک زیرلایه فلزی به عایق، اغلب به عنوان گام اول در ساخت ادوات گرافنی به شمار می رود. به منظور دستیابی به عملکرد مناسب این نوع از قطعات، تمیز بودن سطح و پوشش حداکثری گرافن منتقل شده امری ضروری تلقی می گردد. در این مقاله انتقال به روش تر و تاثیرات هر مرحله بر روی کیفیت گرافن انتقالی مورد بررسی قرار گرفته است؛ همچنین دلایل ایجاد حفره و آلودگی در حین فرآیند انتقال مورد مطالعه واقع شده است. در این پژوهش از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی به منظور مشاهده مورفولوژی سطحی گرافن استفاده شده است. با بهره گیری از روش ون در پاو و اندازه گیری مقاومت الکتریکی که به نوبه خود به درصد پوشش و مساحت آلودگی وابسته می باشد؛ کیفیت گرافن انتقال یافته مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج حاصل به کمک طیف سنجی رامان که در آن قله های طیف ها بیان گر نقص های شبکه کربستالی و غلظت آلایش می باشد، مورد تایید واقع گردیده است. نهایتا یک فرآیند بهینه با 95% پوشش و مقاومت 50± 700 اهم بدست آمده است.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 180

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 441 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    15-23
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    190
  • دانلود: 

    450
چکیده: 

در این مقاله حالت کپه ای و لایه نازک ترکیب نیمه هویسلر Pr-Ni-Bi بر اساس رهیافت ابتدا به ساکن نظریه ی تابعی چگالی، به منظور مطالعه ی ساختار الکترونی، مغناطیسی و خواص ترابردی مورد مطالعه قرار گرفته است. ساختارتعادلی بلوری برای دو فاز و محاسبه شده و نتیجه نشان می دهد این ترکیب در فاز پایدارتر وبا اعمال فشار هیدروستاتیکی برابر با-2. 94GPa گذار از فاز به امکان پذیراست. همچنین در فاز گشتاور مغناطیسی کل سامانه بزرگتر است. چگالی حالت ها و ساختار نواری فاز نشان می دهند که ترکیب در این فاز رفتار نیم فلزی داشته و یک گاف به بزرگی 0. 351eV در کانال اسپین اقلیت برروی سطح فرمی وجود دارد. ضریب سیبک و فاکتور توانی در دماهای 200، 300 و 400 کلوین و برای پتانسیل های شیمیایی مختلف محاسبه شده است. نتایج نشان می دهند این ساختار عملکرد ترموالکتریک متوسطی از خود نشان می دهد ولی این خواص در حالت لایه ی نازک بهبود قابل ملاحظه ای می یابند.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 190

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 450 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

هاونگی رمضان

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    25-37
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    234
  • دانلود: 

    517
چکیده: 

در سیستم های مدیریت باتری، تخمین وضعیت شارژ (SOC) باتری بمنظور اطمینان از عملکرد و جلوگیری از شارژ و دشارژ زیاد از اهمیت بالایی برخوردار است. تخمین وضعیت شارژ باتری از اهمیت بالایی برای سیستم های مدیریت باتری لیتیوم یون به منظور اطمینان از عملکرد و جلوگیری از شارژ و دشارژ بیش از حد برخوردار است. تا کنون روش های مختلفی برای تخمین وضعیت شار باتری ارایه شده است. در اکثر این روش ها مشخصات آماری نویز پروسه و اندازه گیری معلوم فرض می شود. با وجود این، این مشخصات در کاربردهای واقعی نامشخص و حتی ممکن است با زمان تغییر کنند. با انتخاب نادقیق اطلاعات نویز پروسه و اندازه کیری، عملکرد فیلترها تحت تاثیر قرار گرفته و دقت تخمین وضعیت شارژ کاهش و حتی ممکن است به واگرایی منجر شود. برای رفع این مشکل، در این مقاله از فیلتر تطبیقی مقاوم جذر مکعبی برای تخمین وضیت شارژ باتری و از الگوریتم حداقل مربعات بازگشتی برای تخمین پارامترهای باتری استفاده شده است. روش پیشنهادی در کنار امتیاز کاهش هزینه محاسبات، دارای امتیازاتی نظیر سازگاری افزایش یافته دارد که به پایداری عددی بیشتر و عملکرد بهتر منتهی می شود. این بدان دلیل است که در روش پیشنهادی همه ماتریس های کواریانس منتجه مثبت معین باقی می مانند. بعلاوه روش پیشنهادی در مواجهه با اطلاعات از پیش دانسته شده نادرست نویزها و همچنین نویزهای غیر گوسی مقاوم است. برای ارزیابی عملکرد روش پیشنهادی، این روش با روش های کلاسیک تخمین وضعیت شار باتری مقایسه شده است. نتایج نشان دهنده عملکرد موثر روش پیشنهادی در مقایسه با سایر روش ها است.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 234

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 517 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    39-48
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    131
  • دانلود: 

    452
چکیده: 

این مقاله بر طراحی کنترل کننده چندگانه برای سیستم های غیرخطی متمرکز است. در این مقاله برای انتخاب مدل های محلی و طراحی کنترل کننده های محلی به صورت همزمان الگوریتمی ارایه می شود که به دانش تجربی اولیه از سیستم وابسته نبوده و نیازی به استفاده از یک آستانه اولیه ندارد. برای طراحی کنترل کننده های محلی با ساختار ساده تناسبی-انتگرالی، در روش پیشنهادی دو معیار پایداری و عملکرد با یکدیگر تجمیع می شوند. از یک سو ساختار ساده کنترل کننده های محلی در روش پیشنهادی موجب سادگی کنترل کننده چندگانه جامع طراحی شده برای سیستم غیرخطی می شود. اما از طرف دیگر، به دلیل حضور انتگرال گیر در ساختار کنترل کننده های محلی، به هنگام کلیدزنی میان کنترل کننده های مختلف پدیده ضربه رخ می دهد که موجب جهش در سیگنال کنترل در لحظات کلیدزنی شده و عملکرد حلقه بسته را تحت الشعاع قرار می دهد. لذا برای برطرف کردن این موضوع، در این مقاله یک روش انتقال بدون ضربه میان کنترل کننده های محلی مورد استفاده قرار می گیرد که در آن با تغذیه کنترل کننده های غیرفعال با سیگنالی غیر از سیگنال خطا از جهش ناگهانی سیگنال کنترل به هنگام کلیدزنی جلوگیری می شود. برای بررسی روش ارایه شده، یک سیستم غیرخطی شبیه سازی شده است. نتایج حاصله نشان می دهند که روش بدون ضربه نتایج بهتری را در مقایسه با مراجع دیگر به هنگام انتقال میان نواحی کاری مختلف ارایه می دهد.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 131

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 452 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    49-64
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    377
  • دانلود: 

    584
چکیده: 

اینترنت اشیاء بخش مهمی از زیرساخت تحقق شهر هوشمند است و پوشش دهی در شبکه اینترنت اشیا نقش بسیار اساسی در عملکرد آن ایفا می کند. پارامتر های مختلفی از جمله پهنای باند، توان ارسالی، نویز و شرایط محیطی در پوشش دهی شبکه اینترنت اشیا و میزان دریافت بسته های ارسالی موثر است. شبکه لورا (LoRaWAN) یکی از پروتکل های اصلی دوربرد توان پایین، ویژه اینترنت اشیاء است. پیاده سازی زیرساخت و ارایه راه حل های اینترنت اشیاء مبتنی بر فناوری لورا، پوشش دهی استفاده از اینترنت اشیاء و بهبود زیرساخت های ارتباطی از جمله توانمندی های نوین قابل ارایه در این حوزه است. هدف از این مقاله توصیف پارامترهای مورد نیاز برای بهبود عملکرد و افزایش پوشش دهی شبکه لورا است، برای این منظور در محیط مختلف نویزی، پارامترهای مختلف مانند پهنای باند و فاکتور گسترش، بررسی شده و تاثیر نویز به پوشش دهی و نرخ بیت به دست آمده است. در نهایت یک برنامه کاربردی مبتنی بر پارامترهای موردنظر اجرا شده و روشی کم هزینه، با پوشش زیاد و نرخ داده ثابت برای هوشمندسازی یک پارکینگ در شهر تهران بیان و شبیه سازی شده است.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 377

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 584 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    65-70
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    115
  • دانلود: 

    445
چکیده: 

این مقاله، آنتن های پهن باند با قابلیت تنظیم پذیری در قطبش دایروی برای استفاده در لینک های ارتباطی پیشنهاد شده است. برای دستیابی به پهنای باند امپدانسی وقطبش دایروی نسبتا خوب، المانی پیشنهاد شده ست که دارای یک پچ هلالی شکل و دوخط تغذیه L-شکل می باشد. آنتن های پیشنهادی این قابلیت را دارند که می توانند با استفاده از یک سوییچ RF که در شبکه تغذیه قرار می گیرد، قطبش دایروی چپ-گرد یا راست-گرد ایجاد کنند. دو ساختار تحلیل و شبیه سازی شده اند. ساختار اول که یک آنتن منفرد می باشد و یک نمونه از آن نیز ساخته شد، دارای پهنای باند اندازه گیری شده امپدانسی 62% (S11<-10dB)و نسبت محوری 49% (AR<3dB) می باشد. ساختار دوم یک آنتن آرایه ای 2 عنصره با پچ هلالی شکل و تغذیه L-شکل می باشد. در این آرایه از روش تغذیه چرخش متوالی استفاده شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی شده ارایه شده، پهنای باند امپدانسی و AR آنتن آرایه ای به ترتیب 67% (1. 31-2. 62GHz) و 60% (1. 3-2. 4GHz) بدست آمده که نسبت به آنتن واحد بیشتر هست. ماکزیمم گین آنتن آرایه ای حدود 10dB در پهنای باند موثر می باشد. این آنتن ها می توانند در لینک های ارتباطی، سیستم های شنود و فریب باندهای L و S استفاده شوند.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 115

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 445 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

مرادی غلامرضا

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    71-77
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    256
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

این مقاله با استفاده از ساختار میکرواستریپ چند لایه، یک روش اندازه گیری ضریب عایقی را ارایه می کند. همچنین، مدل سازی و تحلیل ساختار پیشنهادی را ارایه می دهد. روش به کار رفته بلوک های جدیدی را در مدل میکرواستریپ چند لایه معرفی می کند، که می تواند نتایج دقیق تری ایجاد کند. این بلوک ها، برای مدل سازی تاثیر لایه های مختلف خط انتقال از جمله ماده مورد آزمایش و لایه های دیگر است. در اینجا، یک کیت اندازه گیری مسطح چند لایه برای استخراج پارامترهای دی الکتریک مواد مختلف ارایه شده است. این کیت اندازه گیری می تواند میزان پرمیتیویته نسبی و همچنین تانژانت تلفات دی الکتریک را اندازه گیری کند. علاوه بر این، این کیت می تواند برای مشخصه گذاری دی الکتریک های جامد و مایع مورد استفاده قرار گیرد. اندازه گیری برای فرکانس 2 گیگاهرتز طراحی و ساخته شده است، اگرچه می تواند فرکانس های بالاتر را هم پوشش دهد. مود غالب و مودهای مرتبه بالاتر رزوناتور برای اندازه گیری پارامترهای ماده، در طیف وسیعی از فرکانس قابل استفاده است. نتایج تحلیلی، شبیه سازی و اندازه گیری نشانگر توافق خوب با یکدیگر است که صحت روال پیشنهادی را تایید می کند.متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد. لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 256

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

استوارزاده محمدحسین

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    79-83
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    143
  • دانلود: 

    424
چکیده: 

در این مقاله یک آنتن شکافی حفره ای در فناوری موجبر فاصله هوایی پیشنهاد شده است. برای افزایش پهنای باند آنتن یک اختلال مثلثی در دو گوشه حفره ریج در فناوری موجبر فاصله هوایی ایجاد شده است. اختلال باعث انحراف فرکانس تشدید مودهای TM100 و TM010 حفره از هم می شود. سپس بمنظور ایجاد عملکرد تشعشعی یک شکاف در صفحه فلزی بالایی حفره مربعی تعبیه می شود. حفره توسط یک موجبر فاصله هوایی ریج که با یک گذر پله مانند به دهانه WR62 متصل شده است تغذیه می شود. با استفاده از شبیه سازی توسط نرم افزار HFSS ابعاد و محل شکاف و ابعاد اختلال و گذر ذکر شده بهینه می شوند. نتایج شبیه سازی نشان دهنده پهنای باند حدود 10 در صد برای S11...

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 143

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 424 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    85-95
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    167
  • دانلود: 

    458
چکیده: 

در این مقاله یک میکروسنسور شیب خازنی جدید مبتنی بر مایعات، طراحی، تحلیل و شبیه سازی شده است. میکروسنسور طراحی شده، شیب را حول یک محور (X-axis) اندازه گیری می کند. ساختار اصلی این سنسور استوانه ای شکل بوده و دارای سه خازن با صفحات موازی می باشد. صفحات خازن های ساختار بر روی قاعده های استوانه قرار دارند و فاصله ی بین آنها به نسبت مساوی، با روغن سیلیکون و هوا پر شده است. این خازن ها دارای یک صفحه مشترک هستند که بر روی یکی از قاعده های استوانه قرار دارد. صفحات دیگر و فواصل بین آنها، قطاع هایی 60 درجه از دایره اند که بصورت یک در میان درون یک دایره و بر روی قاعده دیگر قرار گرفته اند. خروجی این سنسور (out) بصورت تابعی از خازن های ساختار تعریف شده است. با چرخش استوانه حول محور X و بدلیل افقی ماندن سطح روغن درون محفظه، موقعیت صفحات نسبت به روغن، تغییر کرده و منجر به تغییر خازن های ساختار و در نتیجه تغییر out می شود. با یک تحلیل دقیق، تاثیر تغییرات زاویه بر خازن های ساختار و خروجی، بدست آمده و با استفاده از نرم افزار MATLAB، بر حسب زاویه ترسیم شدند. این ساختار با کمک نرم افزار Multiphysics COMSOL نیز شبیه سازی شده است، که نتایج حاصل از شبیه سازی و تحلیل موید یکدیگرمی باشند. میکروسنسور خازنی طرح شده شیب را در بازه ی (° 0 تا ° 360) با حساسیت 8. 011fF/deg اندازه گیری می کند.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 167

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 458 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button