در این مقاله یک مبدل سطح ولتاژ کم توان و سریع با محدوده تبدیل ولتاژ زیر آستانه به ولتاژ متعارف تکنولوژی هدف ارایه شده است. سریع و کم توان بودن مبدل پیشنهادی به دلیل ساختار اتصال متقابل پشته ای بهبود یافته است. به منظور کاهش بیشتر توان ناشی از جریان اتصال کوتاه، در خروجی از یک معکوس کننده با ورودی های مجزا استفاده شده است. برای کاهش سویینگ ولتاژ در حلقه فیدبک، و ایجاد اختلاف بین زمان روشن و خاموش شدن ترانزیستور های خروجی از ترانزیستور های اتصال دیودی در حلقه فیدبک استفاده شده است. نتایج شبیه سازی Post-layout در تکنولوژی استاندارد 180 nm CMOS نشان می دهند که مبدل پیشنهادی می تواند در تبدیل 4/0 ولت به 8/1 ولت در فرکانس یک مگاهرتز با توان مصرفی 23/89 نانووات و تاخیر انتشار 68/23 نانوثانیه صورت صحیح عمل نماید. این مدار با توجه به توان کم و رنج ولتاژهای کارکردی برای کاربردهای برچسب های اینترنت اشیا بخصوص در بخش جداسازی نواحی کم مصرف و با ولتاژ پایین از بخش های پر مصرف و با ولتاژ بالا قابل استفاده است.