مشخصات نشــریه/اطلاعات دوره

نتایج جستجو

2558

نتیجه یافت شد

مرتبط ترین ها

اعمال فیلتر

به روزترین ها

اعمال فیلتر

پربازدید ترین ها

اعمال فیلتر

پر دانلودترین‌ها

اعمال فیلتر

پر استنادترین‌ها

اعمال فیلتر

تعداد صفحات

27

انتقال به صفحه

آرشیو

سال

دوره(شماره)

مشاهده شمارگان

مرکز اطلاعات علمی SID1
مرکز اطلاعات علمی SID
اسکوپوس
مرکز اطلاعات علمی SID
ریسرچگیت
strs
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    44
  • صفحات: 

    1-8
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    114
  • دانلود: 

    20
چکیده: 

یک چارچوب جدید استخراج ویژگی برای بازیابی تصاویر ارائه می شود. این سیستم برای آنالیز تبدیل چرخشی طراحی شده است. از توصیفگرهای آماری در دامنه فرکانسی سیگنال استفاده می کند. تبدیل چرخشی توسط یک الگوریتم نیمه نظارتی محاسبه می شود که این الگوریتم بسیار ساده و موثر است. ویژگی های استخراجی انرژی و بردار نرم-1 هستند که از بخش های مختلف صفحه دو قطبی فرکانسی بدست می آید. این ویژگی های بازدهی مناسبی را به ارمغان می اورند. مضافا بر اینکه این مقاله چارچوبی جدید دیگری برای ویژگی های مکانی ارائه می دهد که منجر به افزایش مجدد درصد بازیابی در پایگاه داده تصاویر رنگی می شود. طلاعات مکان توسط ماتریس میدان نزولی بدست می آید. ترکیب معنادار ویژگی بافتی با اطلاعات طیفی منجر به ویژگی مقاوم در مقابل چرخش و مقیاس بندی می شود. نتایج آزمایشات بر روی پایگاه داده مقیاس بزرگ با 10000 تصویر، تضمین کننده کارایی سیسیتم پیشنهادی است. در بلوک بازیابی جهت اندازه گیری فاصله از فاصله کانبرا و مینکوفسکی استفاده شده است. نتایج نهایی سیستم با چند روش قبلی مقایسه می شود که در تمامی کلاسها روش پیشنهادی عملکرد مناسبی دارد که در حدود 10 درصد باعث بهبود نتایج می شود.

آمار یکساله:  

بازدید 114

دانلود 20 استناد 0 مرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    44
  • صفحات: 

    9-17
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    88
  • دانلود: 

    20
چکیده: 

در این مقاله، یک مدار مقایسه کننده جدید کم توان و پرسرعت به کمک ترانزیستور اثر میدان باله ای (Finfet) در فناوری 65 نانومتری طراحی شده است. علاوه بر این، با استفاده صحیح از قابلیت های فناوری Finfet، تعداد ترانزیستورها کاهش یافته و درنتیجه، سطح کمتری اشغال می شود. جایگزینی ترانزیستورهای MOSFET با Finfet باعث کاهش تأخیر و مصرف توان مدار شده، عملکرد کلی مدار بهبود می یابد. اولین نوآوری در طرح پیشنهادی این است که برای کاهش اندازه و مصرف توان، دو ترانزیستور حذف شده اند و گیتهای پشتی دو ترانزیستور به صورت متقاطع قرار گرفته اند. نوآوری دوم، اتصال گیتهای پشتی به نقاط مناسبی از مدار است که سرعت مقایسه را افزایش می دهد. در این مطالعه، تغذیه 0. 8 ولت به مدار اعمال می شود تا نشان دهد که مدار پیشنهادی با Finfet باعث کاهش تأخیر به 272 پیکوثانیه و مصرف توان به 6. 7میکرووات می شود.

آمار یکساله:  

بازدید 88

دانلود 20 استناد 0 مرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    44
  • صفحات: 

    19-30
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    99
  • دانلود: 

    29
چکیده: 

امروزه، سیستم های قدرت با توجه به دلایل اقتصادی، در نزدیکی مرزهای پایداری بهره برداری می شوند. از طرفی دیگر، با وقوع خطا، حد پایداری شبکه دچار مشکل شده که برای جبران آن راهکارهای مختلفی وجود دارد. آخرین و مطمئن ترین راهکار برای کنترل و حفظ پایداری شبکه، بارزدایی می باشد. در این مقاله، بارزدایی تحت ولتاژ با در نظر گرفتن وابستگی بار فیدرها به ولتاژ و همچنین استفاده از الگوریتم بهینه سازی ازدحام ذرات گسسته بهبودیافته (IDPSO) ارائه شده است. با توجه به اینکه مدل بار در تحلیل بار واقعی از اهمیت ویژه ای برخوردار است، اعمال تصمیمات با در نظر گرفتن وابستگی بارها به ولتاژ انجام خواهد شد. برای اطمینان از عملکرد صحیح، روش پیشنهادی با استفاده از نرم افزارMATLAB بر روی شبکه نمونه 30 باس IEEE با در نظر گرفتن قیود مربوطه اجراشده است. برای این منظور، دو بار حیاتی برای سیستم نمونه لحاظ شده و نتایج موردبررسی قرارگرفته است. نتایج نشان می دهد که روش پیشنهادی، بهترین پاسخ جهت مکان و مقدار بارزدایی را ارائه داده و نشان دهنده عملکرد مؤثر روش پیشنهادی می باشد.

آمار یکساله:  

بازدید 99

دانلود 29 استناد 0 مرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    44
  • صفحات: 

    31-38
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    95
  • دانلود: 

    29
چکیده: 

در این پژوهش، نمونه جدیدی از آنتن ریزنوار چندبانده با قطبی شدگی دایروی برای کاربردهای موبایل و اینترنت اشیا معرفی می شود. باندهای فرکانسی کاربردی به طور همزمان و قابل قبولی توسط آنتن اشاره شده تحت پوشش قرار میگیرند که عبارت اند از WLAN(2400 تا 2484 مگا هرتز) WiMAX (IEEE 802. 16e) 2500 تا 2600 مگاهرتز، اینترنت اشیا (IoT) 2400 تا 2480 مگاهرتز با استاندارد IEEE 802. 11. ax، WLAN(5150 تا 5825 مگا هرتز) که استاندارد IEEE802. 11ac نامگذاری میگردد. فرایند طراحی آنتن برای دسترسی به باندهای فرکانسی مورد نظر به صورت مرحله به مرحله در متن مقاله اشاره شده است انجام می پذیرد. با استفاده از تکنیک تسهیل چرخش جریان روی آنتن، تحریک دو مود متعامد به راحتی صورت گرفته و در نتیجه قطبی شدگی دایروی محقق می شود. از سوی دیگر تقریبا در کل باندهای کاربردی مورد نظر خصیصه قطبی-شدگی دایروی محقق می شود که به عنوان یک مزیت قابل توجه برای این سیستم تشعشعشی محصوب میشود. ابعاد کلی آنتن مورد نظر 23×34×8/0میلی متر مکعب بوده که روی زیر لایه FR4 با ضریب نسبی دی الکتریک 4/4 و تانژانت تلفات 024/0 محقق می شود. به منظور تصدیق فرایند طراحی، ساختار مورد نظر ساخته شده و مورد تست و اندازه گیری قرار میگیرد. نتایج استخراج شده نشان میدهد که آنتن مورد نظر دارای الگوی تشعشعی همه جهته و بهره مناسبی در باندهای فرکانسی مورد نظر می باشد.

آمار یکساله:  

بازدید 95

دانلود 29 استناد 0 مرجع 0
نویسندگان: 

مرادی مرضیه | دوستی مسعود

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    44
  • صفحات: 

    39-48
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    106
  • دانلود: 

    45
چکیده: 

در سال های اخیر بسیاری از دستگاه های الکتروانسفالوگرام (EEG) قابل حمل و بی سیم شده اند. با توجه به الزامات تحرک و دوام، دستگاه های EEG نیازمند کوچکتر و سبکتر شدن، داشتن توان مصرفی پایین تر، به همراه کاهش نویز و آفست هستند. دامنه سیگنال EEG مقداری ضعیف بین 20 تا 200 میکروولت است و فرکانس سیگنال EEG از 0. 1 تا 100 هرتز را در بر می گیرد. علاوه بر این، رابط پوست الکترود یک ولتاژ آفست DC بزرگ در حدود 300± میلی ولت ایجاد می کند. این دو چالش می توانند سیگنال اصلی را برهم بزنند و دقت تشخیص را کاهش بدهند. در ورودی بخش تقویتکننده بسیاری از مدارهای EEG از تکنیک چاپر که با آن آفست و نویز 1/f مدوله می شوند، بنابراین دقت بالا، آفست میکروولت و نویز کم 1/f را می توان به دست آورد. تقویت کننده اصلی ترارسانا به عنوان تقویت کننده (IA) در بیشتر کارهای قبلی تقویت کننده کاسکد تاشده است. در این مقاله طرح ارائه شده با نوآوری در بخش تقویت کننده و استفاده از مدار مناسب برای بخش مدولاتور دوعامل کاهش توان مصرفی و نویز را به صورت همزمان ایجاد کرده است. مدار در تکنولوژی 0. 18 μ m CMOS طراحی شده و در شبیه سازی پساجانمایی تقویت کننده به بهره باند میانی dB60 و پهنای باندdB 3-در محدوده 0٫ 1 تا 210 هرتز دست می یابد. مساحت تراشه مدار با پایه ها 512×512 میکرومتر مربع است. LPF قابل تنظیم دارای فرکانس قطع 100 هرتز است. مدار پیشنهادی دارای نویز ارجاعی ورودیµ Vrms 0٫ 75 (0٫ 1~100هرتز) و مصرف توانnW 760 با تغذیه 1 ولت می باشد.

آمار یکساله:  

بازدید 106

دانلود 45 استناد 0 مرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    44
  • صفحات: 

    49-65
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    103
  • دانلود: 

    50
چکیده: 

در این مقاله یک تقویت کننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت کننده 2/5 گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت کننده مورد نظر تقریبا برابر با dB12/76 است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود dBm39/196 در توان ورودی dBm30 است. در بیشترین توان خروجی، PAE حدود 41/25% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه 25/903 میلیمتر در19/346 میلیمتر است. بیشترین مقدارAM/PM و AM/AM به ترتیب برابر dB/deg2/38 و dB/dB1/66 است. برای تقویت کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD3) حدود dBc-20 در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویت کننده از تحلیل Loadpull نرم افزار ADS برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است.

آمار یکساله:  

بازدید 103

دانلود 50 استناد 0 مرجع 0