تقویت کننده توزیع شده شبه تفاضلی (PDDA) یک روش مناسب برای افزایش پهنای باند در یک تقویت کننده باند پهن می باشد. در این مقاله روش های افزایش بهره PDDA توسط روش های آبشاری و حصول تقویت کننده توزیع شده شبه تفاضلی آبشاری (CPDDA)در طرح های مختلف، با شرط توان و سطح تراشه ثابت، پیشنهاد شده که انتخاب طرح بهینه وابسته به پارامتر gmRo سلول های بهره (PDA) است. جهت بررسی عملکردی و مقایسه طرح ها، مدارات پیشنهادی در تکنولوژی RF_CMOS_ 0. 18µ m طراحی و در نرم افزار کیدنس شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که در این تکنولوژی، برای به دست آوردن پهنای باند 0-40GHzکه نیاز به gmهای پایین ترانزیستورهای سلول بهره PDA است، تقویت کننده با ساختار دو PDDA سه طبقه بهتر از ساختار سه PDDA دو طبقه عمل کرده و با آن می توان به بهره 10dB دست یافت. در این تقویت کننده پارامترهای S11, S22, S12 نیز به ترتیب-12,-10,-16 dB بوده و عدد نویز برابر 4. 6dB و P1dB برابر +3. 5dBm می باشد. این تقویت کننده دارای توان مصرفی 230mW است و سطح تراشه 0. 63mm2 می باشد. مقایسه این تقویت کننده با کارهای انجام شده قبلی، گواه عملکرد و کارایی مطلوب این تقویت کننده در کاربردهای باند پهن می باشد.