لایه های دوبعدی کلکوژنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف های نواری مستقیم در بازه ی طول موج مرئی و مادون قرمز نزدیک، افق جدیدی در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده اند. تک لایه های MoSe2، WSe2، MoS2 و WS2 به عنوان چند تک لایه از TMDCها دارای ویژگی های اپتیکی ویژه ای می باشند. در این مقاله ثابت گذردهی این تک لایه ها با استفاده از مدل لورنتس، لورنتس-گاوس و درود-لورنتس-گاوس بدست آمده است که تطابق بسیار خوبی با نتایج تجربی دارد. رفتار جذب این لایه های فوتوولتائیک همانند رفتار قسمت موهومی ثابت گذردهی تک لایه ها می باشد. با بررسی جذب تک لایه ها در حضور چند زیرلایه مشاهده شد که استفاده از زیرلایه باعث کاهش میزان جذب می شود و با افزایش ضریب شکست زیرلایه میزان جذب کاهش می یابد. این نانولایه ها با جذب بالای 10 درصد در ضخامت کمتر از یک نانومتر، کاندیدای مناسبی در سلول های خورشیدی و کاربری های فوتوولتاییک هستند.