مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

707
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

507
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

طراحی ساختارهایی شامل تک لایه ی MoS2 با هدف کاهش جذب در ناحیه ی تراهرتز برای کاربری الکترود شفاف

صفحات

 صفحه شروع 13 | صفحه پایان 20

چکیده

 بلور دو بعدی مولبیدیم دی سولفات, MoS2, در بازه ی فرکانسی تراهرتز به علت کاربردهای اپتوالکترونیکی و کاربری آن برای الکترود شفاف در حوزه ی نانو بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله, به طراحی ساختارهایی شامل تک لایه ی MoS2 روی زیرلایه های مختلف و با قرارگیری در جایگاه های متفاوت این تک لایه در بلور فوتونی یک بعدی, 1DPC, به منظور کاهش جذب و افزایش عبور پرداخته ایم. ضریب شکست MoS2 را در ناحیه ی تراهرتز از رابطه درود محاسبه کرده ایم. طیف عبور و جذب این ساختارها در بازه ی فرکانسی تراهرتز از روش ماتریس انتقال, TMM, برای هر دو قطبش TE و TM بدست آمد. در ادامه نشان دادیم که طیف جذب با تغییر در مواد دی الکتریک و زاویه ی تابش در هر دو قطبش TE و TM تنطیم پذیر است. در نهایت در بهترین طراحی به جذب کمتر از تک لایه ی MoS2 و طیف عبور نزدیک 100 درصد دست یافتیم. نتایج بدست آمده برای طراحی نانو سازه های متشکل از الکترود شفاف در فوتونیک و الکترونیک سودمند خواهند بود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    محبی، انسیه، و انصاری، نرگس. (1397). طراحی ساختارهایی شامل تک لایه ی MoS2 با هدف کاهش جذب در ناحیه ی تراهرتز برای کاربری الکترود شفاف. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، 8(16 )، 13-20. SID. https://sid.ir/paper/243801/fa

    Vancouver: کپی

    محبی انسیه، انصاری نرگس. طراحی ساختارهایی شامل تک لایه ی MoS2 با هدف کاهش جذب در ناحیه ی تراهرتز برای کاربری الکترود شفاف. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)[Internet]. 1397؛8(16 ):13-20. Available from: https://sid.ir/paper/243801/fa

    IEEE: کپی

    انسیه محبی، و نرگس انصاری، “طراحی ساختارهایی شامل تک لایه ی MoS2 با هدف کاهش جذب در ناحیه ی تراهرتز برای کاربری الکترود شفاف،” پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، vol. 8، no. 16 ، pp. 13–20، 1397، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/243801/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button