پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)
سال:1396 | دوره:7 | شماره:14 |تعداد مقالات:10

در تحقیق حاضر قصد داریم همجوشی یونهای 248Ca با هسته های 248Cm را جهت سنتز هسته های فوق سنگین لیورموریم، 296Lv، که در جزیره پایداری واقع می باشد را مورد بررسی قرار دهیم و در چارچوب محاسبات نظری و در نظر گیری تاثیر جهت گیرهای مختلف هسته های هدف، سد در مقابل همجوشی یونهای 248Ca با هسته های 248Cm را تعیین نمائیم. نشان خواهیم داد که زوایای برخورد هسته های هدف، تاثیر بسزایی روی پارامترهای سد همجوشی یونهای 248Ca با هسته های 248Cm دارند. همچنین نشان خواهیم داد، که کمینه انرژی لازم جهت سنتز هسته 296Lv برابر با 205. 17 می باشد که مربوط به برخورد هسته های پرتابه و هدف تحت زوایای (0-0) می باشد. در خاتمه نیز احتمال باقی ماندن هسته های سنتز شده 293Lv و 292Lv بعد از گسیل سه و چهار نوترون از هسته های 296Lv را محاسبه نموده و از مقایسه نتایج استخراج شده با داده های تجربی، نشان خواهیم داد که نتایج سطح مقطع تشکیل هسته های باقیمانده 293Lv و 292Lv بطور رضایت بخشی با داده های تجربی در توافق می باشند.

در این مقاله، سیستم مورد بررسی ریز دانه های مکعبی ابررسانای مسین حفره دار در حوالی مناطق قطری می باشد. از آنجایی که مدل های مهم در ابررسانایی دمای بالا، شامل تبادل افت و خیز اسپینی می باشند، در اینجا می خواهیم یکی از آنها را که به مدل اسپین-فرمیون مشهور است، به کار بریم. تحت چارچوب این مدل، قطبش کل ( بدون در نظر گرفتن خود-انرژی)را با استفاده از معادلات استاندارد الیشبرگ و تصحیح مرتبه اول قطبش را با استفاده از معادله اختلالی خطی سازی شده و توابع عادی و غیر عادی گرین مرتبه اول، بر حسب اثر اندازه و هم اثر بی نظمی به صورت عددی به دست می آوریم. لازم به ذکر است، قطبش اختلالی مرتبه اول، از بسط توان های گاف وابسته به طول نوشته شده است و همین اختلال خود وابستگی به بی نظمی دارد. در نهایت رقابت بین این دو اثر بر روی قطبش مورد بررسی قرار می گیرد و مشاهده می شود که اثر اندازه بر اثر بی نظمی برتری دارد.

در این تحقیق جذب امواج الکترومغناطیسی در محدوده ی فرکانسی GHz 18-1 در نانوکامپوزیت های فریت های سخت و نرم مغناطیسی بررسی شده است. این کامپوزیت ها شامل دو فاز مغناطیسی متفاوت با درصدهای وزنی مختلف هستند که در آن ها فاز مغناطیسی سخت (هگزافریت استرانسیوم) در کنار فاز مغناطیسی نرم (فریت کبالت– روی) قرار می گیرد. آنالیز پراش پرتو X از نمونه ها نشان می دهد که فاز خالصی از فازهای مغناطیسی موردنظر شکل گرفته است. بررسی قسمت های حقیقی و موهومی گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی مختلط نمونه ها در محدوده ی فرکانسی GHz 18-1 چگونگی پاسخ امواج الکترومغناطیسی به این نمونه ها را در این محدوده ی فرکانسی نشان می دهد. اتلاف بازتابی بر حسب فرکانس، نشان دهنده ی این رفتار جذبی در نمونه ها می باشد.

در این تحقیق به مقایسه سطح مقطع شکافت توسط اشعه گاما (شکافت فوتونی) ایزوتوپهای اورانیوم, U239-230 به کمک شبیه سازی با استفاده ازمدل اپتیکی پرداخته ایم. برای محاسبه سطح مقطع شکافت فوتونی از احتمال گذار سد پتانسیل سه قله ای استفاده کرده ایم. همچنین برای محاسبه چگالی ترازهای هسته مرکب؛ از مدل پیشرفته ابرشاره1 سود جسته ایم. مقایسه سطح مقطع شکافت فوتونی برای این ایزوتوپها در محدود گسترده ای از انرژی فوتون فرودی و بوسیله نتایج حاصل ازنرم افزار امپایر2 محاسبه و با نتایج تجربی مقایسه گردیده است. سطح مقطع شکافت برای کلیه ایزوتوپهای هسته اورانیوم بصورت تابعی از انرژی در گستره از 5 تا 20 مگا الکترون ولت رسم شده است. نتایج حاصل از محاسبات تطابق بسیار خوبی با مقادیر اندازه گیری شده نشان می دهند.

نسبت بهره ایزومری 115m, gCd با انجام واکنش در کادمیوم طبیعی با استفاده از فوتون های تابش ترمزی با بیشینه انرژی 40، 45، 50، 55، 60، 65، 70 وMeV 75 برای اولین بار اندازه گیری شده است. آزمایش ها با روش طیف سنجی غیر بر خط پرتو گاما با استفاده از شتابدهنده خطی الکترون MeV 100 در آزمایشگاه شتابدهنده شهرپوهانگ (PAL) در کشور کره جنوبی انجام گردید. هم چنین نسبت بهره ایزومری115m, gCd با استفاده از کد 1. 6 TALYS محاسبه گردید. نتایج تجربی نسبت بهره ایزومری در واکنش 116Cd(γ , n)115m, g Cd حاصل از این آزمایش و آزمایش های دیگران، با مقادیر تئوری حاصل از کد TALYS مقایسه شده و نتایج آزمایش توافق خوبی با نتایج حاصل از کد دارند. با افزایش انرژی بیشینه فوتون های تابش ترمزی، مقادیر تئوری و تجربی نسبت بهره ایزومری 115m, gCd افزایش می یابد که نشان دهنده اثر انرژی برانگیختگی است. هم چنین نسبت بهره ایزومری 115m, gCd از انرژی آستانه واکنش تا انرژی MeV 18 به سرعت افزایش می یابد و در انرژی های بالاتر روند افزایشی کندی دارد. این رفتار نشان دهنده نقش تشدید بزرگ دوقطبی به همراه اثر انرژی برانگیختگی است.

در این مقاله طبیعت کوانتومی میدان الکترومغناطیسی در حضور فرامواد مورد مطالعه قرار می گیرد. در این راستا میدان الکترومغناطیسی در حضور فرامواد به صورت کانونیک کوانتیزه می شود. ابتدا با استفاده از معادلات اویلر-لاگرانژ، معادله حرکت لانژون برای میدان الکترومغناطیسی بدست می آید. سپس با استفاده از روش تبدیل لاپلاس، معادله لانژون محاسبه شده و پتانسیل برداری بر حسب عملگرهای نوفه در فراماده بدست می آید. با در نظر گرفتن یک ویژه حالت گرمایی عام برای اتلافگر، تابع برهم کنش دو نقطه ای میدان الکترومغناطیسی در دمای محدود محاسبه می شود. بر اساس قضیه نوتر و اصل پایستگی انرژی، در ویژه حالت کوانتومی گرمایی، چگالی انرژی، شار انرژی میدان الکترومغناطیسی و انرژی جذب شده در فراماده محاسبه می گردد.

با تکنیک طیف سنجی افت انرژی الکترون بازتابی(REELS)، در انرژی کم می توان خواص الکترونیکی لایه های نازک و نانو ساختارها و ساختار الکترونی سطح را تعیین کرد. در این مقاله، با استفاده از سطح مقطع ناکشسان تجربی REELS به دست آمده به روش توگارد – چورکن دورف، تابع دی الکتریک تیتانیت استرانسیم با روش یوبرو-توگارد تعیین می شود. سطح مقطع تئوری با توافق خوبی با تجربی در انرژی 1423 و زاویه ی ورودی و خروجی ° 35، ° 15 به دست آمد. علاوه بر این، توزیع زاویه ای پارامتر تحریک پذیری سطح برای این بلور در انرژی های 1000، 1423، 2000، 2500و 3000 تعیین شد. در این راستا از تعریف پائولی و توگارد، که به عنوان تغییر در احتمال تحریک پذیری یک الکترون که بواسطه حضور سطح در مقایسه با الکترون در حال حرکت در محیط نیمه بی نهایت است، استفاده شد. محاسبه این پارامتر بر پایه ی سطح مقطح پاشندگی ناکشسان دیفرانسیلی الکترون، به دست آمده از نرم افزار QUEELS که برای طیف افت انرژی الکترون بازتابی معتبر است، می-باشد.

در این مقاله، آنتروپی و گرمای ویژه یک سیم کوانتومیGaAs بادو سطح مقطع متوازی الاضلاع و مثلثی بررسی می شود. در ابتدا، ویژه مقادیر انرژی و ویژه توابع سیستم با استفاده از حل معادله شرودینگر محاسبه می شوند. سپس، با استفاده از فرمول بندی تی-سالیس، آنتروپی و گرمای ویژه هر دو سیم کوانتومی را به دست می آوریم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که آنتروپی و گرمای ویژه توابع پیوسته ای هستند. در این سیستمها، بر خلاف ترمودینامیک کلاسیک، آنترپی و گرمای ویژه هر مقداری نخواهد داشت و توسط یک شر ط (شرط قطع) تعیین می شود. در هر دو سیستم، با افزایش اندازه سیم کوانتومی، تعداد قله ها و اندازه قله ها در گرمای ویژه هر دو سیستم تغییر می کند. هر چقدر محدودیت کوانتومی قویتر می شود، طبیعت گسسته خواص ترمودینامیکی بیشتر آشکار می شود.

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز-نیم رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به آن اعمال می شود، پهنای گاف انرژی قابل کنترل خواهد بود به طوری که با افزایش پهنا، گاف نواری افزایش می یابد. افزون بر این، با اعمال بی نظمی، شاهد کاهش رسانش و افزایش پهنای گاف نواری خواهیم بود. می توان با کنترل پارامترهایی مانند پهنای موثر، غلظت بی نظمی، بزرگی میدان الکتریکی و تبادلی گاف اسپینی سامانه را کنترل نمود.

در این پژوهش به ساخت و مطالعه خواص ساختاری و اپتیکی، نحوه رشد لایه ها و بازده کوانتومی ساختار دولایه ای تلورید کادمیوم/ سولفید کادمیوم بر روی زیرلایه ITO جهت ساخت سلول های خورشیدی پایه تلورید کادمیوم پرداخته شده است. دولایه ای اشاره شده به کمک روش لایه نشانی فیزیکی در فاز بخار (PVD) ساخته شد. به منظور یافتن ساختار بلوری مربوط به هرکدام از لایه ها و یا مشاهده فاز جدید تشکیل شده در قسمت سطح مشترک آنها، از آزمون پراش اشعه X استفاده گردید. به کمک این آزمون فاز سه تایی CdTe1-xSx در° 95/89= Ө 2 مشاهده گردید که به نفوذ کردن دو لایه در همدیگر ارتباط داده شده است. مطالعات اپتیکی، تغییر میزان عبوردهی نور را در مقایسه با نمونه تلورید کادمیوم خالص نشان می دهد. یکنواختی سطح نمونه ها، اندازه ضخامت آنها و بررسی ریخت ستون های رشد یافته به کمک آزمون FESEM بررسی گردید. تصاویر FESEM نشان داد که رشد لایه ها یکنواخت و به صورت ستونی هستند. بازدهی کوانتومی نشان داد که طی پدیده فوتوولتائیک، همه فوتون ها با طول موج 800 نانومتر می توانند هر کدام یک الکترون تولید نمایند. بررسی نمودار I-V ساختار دو لایه ای ساخته شده بازدهی سلول 4/1 درصد و ضریب پری 65/0 را نشان می دهد.