سرامیک های دی الکتریک مایکروویو امروزه به عنوان اجزای غیرقابل جایگزین در دستگاه ها و سیستم های مورد استفاده در فرکانس های مایکروویو برای مثال تلفن های همراه و سیستم های ماهواره ای به کار می روند. در این تحقیق اثر افزایش مقادیر متفاوت BaZrO3، بر روی ریز ساختار و خواص دی الکتریک مایکروویو یک ترکیب با مبنای Ba(Zn1.3Nb2.3)O3(BZN) که با فرمول (0.9-x)Ba([Zn0.6Co0.4]1.3, Nb2.3)O3–0.1Ba (Ga1.2Ta1.2)O3-xBaZrO3 نشان داده می شود و در آن x=0-0.1 می باشد، مورد بررسی قرار گرفته است. دانسیته در اثر افزایش مقدار BaZrO3 تا x=0.08 افزایش و سپس کاهش می یابد. آزمایشهای پراش پرتوX نشان دهنده حضور فاز Ba (Zn1.3Nb2.3)O3 به همراه میزان بسیار ناچیزی از یک فاز ناشناخته برای سرامیک های با مقادیر x=0, 0.02, 0.04 می باشد. با این حال مطالعات ریزساختاری توسط میکرسکوپ نوری نشان داد که فاز دوم در ریز ساختار سرامیک های با x=0.06, 0.08, 0.10 نیز وجود دارد و به دلیل میزان پایین آن توسط آزمایش پراش پرتو X قابل تشخیص نیست. پیک سوپرساختار در طیف پراش پرتو X هیچ کدام از ترکیبات مشاهده نشد. فاکتور کیفیت (Qxf) برای نمونه با x=0.08 برابر با 4366GHz بود که بسیار پایین می باشد. برای بقیه نمونه ها نیز فاکتور کیفیت پایین و قابل اندازه گیری نبود. همان طور که اشاره شد بررسی های ریزساختاری و پراش پرتو X نشان داد که فاز دوم در تمامی نمونه ها وجود دارد بنابراین علت اصلی میزان پایین فاکتور کیفیت که برای تمامی نمونه ها مشاهده شده را می توان باحضور فاز دوم در ریز ساختار توجیح کرد.