استفاده از روش های غیرشیمیایی یکی از راهکارهای بهبود جوانه زنی بذر به شمار می رود. به منظور بررسی اثر اعمال میدان مغناطیسی بر شاخص های جوانه زنی بذر و رشد گیاهچه پیاز، یک سامانه ی میدان مغناطیسی چهار قطبی طراحی و ساخته شد و با سامانه دوقطبی مورد مقایسه قرار گرفت. در سامانه چهارقطبی، هر یک از چهار کلاف سیم پیچ شامل سه لایه سیم پیچ و یک هسته فلزی است که هسته قابلیت حرکت در درون سیم پیچ را دارد. این قابلیت باعث تغییر شدت میدان مغناطیسی، علاوه بر تغییر از طریق تغییر جریان ورودی، خواهد شد. دو آزمایش مستقل با دو سامانه ی میدان مغناطیسی به صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملا تصادفی با سه تکرار انجام شد. فاکتورها شامل نوع سامانه (دو قطبی و چهار قطبی)، شدت میدان مغناطیسی (75، 150، 300 و 600 میکروتسلا) و مدت زمان اعمال میدان (15، 30، 60 و 120 دقیقه) بود. شاخص های مورد بررسی عبارت بودند از: درصد جوانه زنی، سرعت جوانه زنی، متوسط زمان جوانه زنی، شاخص بنیه، طول ساقه چه، طول ریشه چه، وزن تر ساقه چه، وزن تر ریشه چه، وزن تر گیاهچه، وزن خشک ریشه چه و وزن خشک ساقه چه. به طور کلی نتایج نشان داد که میدان مغناطیسی بر روی شاخص های جوانه زنی و رشد گیاهچه پیاز تاثیر معنی دار داشته و سامانه چهارقطبی نبست به سامانه دوقطبی در بیشتر شاخص های مورد مطالعه عملکرد بهتری داشته است. در مورد غالب صفات (به جز وزن)، افزایش شدت میدان، منجر به کاهش صفات شد. سیستم چهارقطبی که میدان مغناطیسی 600 میکروتسلایی را به مدت 15 دقیقه به بذر اعمال کرد، باعث افزایش 63 درصدی وزن گیاهچه گردید. غالب صفات جوانه زنی تحت تاثیر مدت زمان اعمال میدان به بذر قرار نگرفتند. به هرحال بررسی های بیشتر در خصوص مدت زمان اعمال میدان نسبت به زمان اعمال شده در این مطالعه ضروری است.
متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد. لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.