در این کار تحقیقاتی مواد آلی CLAIPc و CuPc که هر دو از نیمه هادیها نوع p می باشند، با استفاده از روش تبخیر و به کارگیری کوره درجه حرارت سه مرحله ای، تهیه و خالص سازی شده است.خواص الکتریکی مواد ذکر شده در درجه حرارتهای 300 تا 380 K مورد بررسی قرار می گیرد و با به کارگیری گاف انرژی CIAIPc و CuPc اندازه گیری شده و با یکدیگر مقایسه می شود. در این تحقیق مشخص شده است که CIAPcدارای گاف انرژی کوچکتری در مقایسه با CuPcمی باشد. در درجه حرارتهای بالا محاسبه گاف انرژی با اعمال Biass سیستم و معکوس عدد یکسانی را نشان می دهد در صورتیکه در درجه حرارتهای پائین تغییر بسیار جزیی در گاف انرژی مشاهده شده است.