هدف این تحقیق، تهیه نانو سیم های SnO2 به روش رسوب گذاری با عبور بخار حاصل از واکنش های شیمیایی حرارتی (TCRVTD) از پودرSnO می باشد. ریخت شناسی (مورفولوژی)، ترکیب شیمیایی و خواص نانوساختاری سیم ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدان (FE-SEM)، طیف سنجی انرژی پراکنده کننده (EDX) و پراش پرتوهای ایکس (XRD) مطالعه گردیدند. نتایج پراش پرتوهای ایکس مشخص نمود که نانوسیم های SnO2 با ساختار بلوری تتراگونال با ثابت های شبکه ای a=b=0.440 nm و c=0.370 nm رشد یافته اند. تصاویر SEM بر رشد موفقیت آمیز نانوسیم ها بر زیرلایه Si دلالت می کنند. نقش EDS وجود عناصر Au, O, Sn را در نانوسیم ها آشکار می کند. قطر نانو سیم ها در محدوده بین 20 nm تا 100 nm اندازه گیری شدند.