مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

605
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

روشی جدید برای محاسبه تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون های پرتاب شده در نیمه هادی ها

صفحات

 صفحه شروع 65 | صفحه پایان 75

کلیدواژه

ثبت نشده است

چکیده

 کاشت یون نقش بسیار مهمی در ساخت انواع ادوات نیمه هادی و مدارات مجتمع ایفا می کند و شبیه سازی کاشت یون و محاسبه تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون ها، یکی از مبنای اصلی در طراحی VLSI است. در این نوشتار نیز یک مدل فیزیکی جدید برای این منظور ارایه می شود. این مدل که مبتنی است بر تکنیک معادله انتقال به کارگرفته شده توسط فوروکاوا و ایشیورا ولی با در نظر گرفتن پراکندگی زاویه یون ها، قابلیت به کارگیری انواع مقاطع برهمکنش های هسته ای را دارد. مقایسه نتایج حاصل از این شبیه سازی با نتایج اندازه گیری شده و سایر کارهای نظری انجام شده در این زمینه، صحت و دقت زیاد این مدل فیزیکی را تایید می کند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    مولوی کاخکی، محمد، و سالاری، حسین. (1384). روشی جدید برای محاسبه تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون های پرتاب شده در نیمه هادی ها . مهندسی صنایع و مدیریت (شریف ویژه علوم مهندسی)، 21(30 (ویژه علوم و مهندسی))، 65-75. SID. https://sid.ir/paper/107660/fa

    Vancouver: کپی

    مولوی کاخکی محمد، سالاری حسین. روشی جدید برای محاسبه تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون های پرتاب شده در نیمه هادی ها . مهندسی صنایع و مدیریت (شریف ویژه علوم مهندسی)[Internet]. 1384؛21(30 (ویژه علوم و مهندسی)):65-75. Available from: https://sid.ir/paper/107660/fa

    IEEE: کپی

    محمد مولوی کاخکی، و حسین سالاری، “روشی جدید برای محاسبه تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون های پرتاب شده در نیمه هادی ها ،” مهندسی صنایع و مدیریت (شریف ویژه علوم مهندسی)، vol. 21، no. 30 (ویژه علوم و مهندسی)، pp. 65–75، 1384، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/107660/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    فایل موجود نیست.
    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button