مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

46
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بهینه سازی پراکندگی الکترون از سدهای پتانسیل کاتوره ای روی سطح عایق های توپولوژیک

نویسندگان

 ,

صفحات

 صفحه شروع 405 | صفحه پایان 413

کلیدواژه

ثبت نشده است

چکیده

 بهینه سازی پراکندگی الکترون با استفاده از سدهای پتانسیل تصادفی تحقیق شده است. سدهای پتانسیل تصادفی در دو حالت تعریف می شوند. در حالت اول وقتی خط نقصها روی سطح عایق توپولوژی بطور منظم قرار داده شده است، اما قدرت آنها بطور تصادفی تغییر می کند. در حالت دوم وقتی قدرت سدهای پتانسیل ثابت هستند، در حالیکه محل خط نقصها روی سطح عایق توپولوژی بطور تصادفی در حال تغییر است. برای بدست آوردن نتایج بهتر، احتمال عبور در حالت پتانسیل های تصادفی N بار محاسبه شده است. این N مقدار میانگین گیری شده و نتیجه با احتمال عبور در حالت منظم مقایسه می شود. بنظر می رسد، در انتشار الکترونهای فرودی برای بعضی مقادیر انرژی فرودی، تعداد نقصها، قدرت پتانسیل، حتی جهت انتشار، نتایج به مقدار بدست آمده برای حالت منظم نزدیک هستند. برای بعضی مقادیر انرژی فرودی یا بعضی پارامترهای ساختاری اختلاف قابل توجهی دیده شده است. وقتی محل سدهای پتانسیل بطور تصادفی تغییر می کند ما با تغییرات زیادی در هدایت الکتریکی نسبت به حالتی که قدرت پتانسیل تصادفی تغییر می کند مواجه می شویم. در حقیقت، دلیل رسانش الکتریکی بالاتر، به علت ساختارهای تداخلی هستند که بین موجهای الکترونی منتشر شده اتفاق می افتد. بنابراین، در حضور چنین سدهای پتانسیل تصادفی، عبور و هدایت الکترونهای فرودی بهبود می یابد.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.

    • استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    فایل موجود نیست.
    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button