مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

61
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

2
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی مشخصه های الکتریکی و تحلیل حساسیت در نانو ترانزیستور دو گیتی با سورس و درین فلزی و مادۀ کانال InAs به روش تابع گرین غیر تعادلی

صفحات

 صفحه شروع 899 | صفحه پایان 909

چکیده

 در این مقاله, مشخصه های الکتریکی ترانزیستور دو دروازه ای با منبع و درین فلزی و مادۀ کانال InAs در ابعاد نانو به روش تابع گرین غیر تعادلی مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. از آنجا که کاهش ضخامت کانال موجب تغییر سطح انرژی زیر نوارها و در نتیجه افزایش شکاف انرژی می شود, هامیلتونی دو بعدی افزاره محاسبه و به کمک آن ساختار نواری افزاره با دقت یک لایۀ اتمی به روش تنگ بست با پایه sp3d5s* به دست آمده است. سپس به ازای ضخامت­ های مختلف, کانال جرم مؤثر حامل ­ها از ساختار نواری مربوطه در سه جهت محاسبه شده است. براساس نتایج به دست آمده, با کاهش ضخامت کانال جرم مؤثر نسبت به حالت توده­ای افزایش می­یابد. در ادامه, جریان افزاره به کمک تابع گرین غیر تعادلی محاسبه شده است. همچنین به کمک تحلیل آماری, حساسیت پارامترهای مهم الکتریکی نسبت به متغیرهای مهم ساختاری و فیزیکی به دست آمده است. با کاهش ضخامت کانال و افزایش ارتفاع مؤثر سد شاتکی در ولتاژ درین کوچک و دمای پایین, یک سد پتانسیل در داخل کانال و در امتداد مسیر حرکت حامل ­ها از سورس به درین برقرار می­ شود, که این امر موجب تونل­ زنی تشدید و ایجاد ناحیۀ مقاومت منفی در مشخصۀ الکتریکی افزاره می ­شود. اثر متغیرهای مهم بر تونل ­زنی تشدید در این افزاره به طور کامل مورد بررسی قرار گرفته است.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.

    • استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button