مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

852
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si

صفحات

 صفحه شروع 1 | صفحه پایان 9

چکیده

 در این مقاله چگالی بارهای سطحی سیلیکان در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/Si0.81Ge0.19/Si ارزیابی شده است. وجود یک چاه کوانتمی (QW) در محل لایه آلیاژی (SiGe) نوار ظرفیت این ساختار باعت می شود که در نزدیکی میان گاه پایین (معکوس) Si/SiGe/Si یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) تشکیل شود. چگالی سطحی گاز حفره ای دو بعدی nh, که به درصد Ge در آلیاژ و سایر پارامترهای ساختار بستگی دارد, شدیدا متاثر از چگالی بارهای سطحی nsur روی سطح لایه Si پوششی است و با افزایش ضخامت لایه پوششی, افزایش می یابد. از مقایسه نتایج تجربی و محاسبات نظری نتیجه می شود که با کاهش ضخامت لایه پوششی (400-150nm), چگالی بارهای سطحی nsur در ساختارهای مورد مطالعه افزایش می یابد و تغییرات آن در گستره [(1-2.5)±0.2]´1011/cm2 ارزیابی می شود. بعلاوه فاصله تراز فرمی از لبه نوار ظرفیت در سطح آزاد Si برابر با DEFV = (0.5±0.05)eV برآورد می شود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    صادق زاده، محمدعلی، و فخارپور، مهسا. (1385). تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si. علوم و مهندسی سطح، 1(2)، 1-9. SID. https://sid.ir/paper/121088/fa

    Vancouver: کپی

    صادق زاده محمدعلی، فخارپور مهسا. تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si. علوم و مهندسی سطح[Internet]. 1385؛1(2):1-9. Available from: https://sid.ir/paper/121088/fa

    IEEE: کپی

    محمدعلی صادق زاده، و مهسا فخارپور، “تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si،” علوم و مهندسی سطح، vol. 1، no. 2، pp. 1–9، 1385، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/121088/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    فایل موجود نیست.
    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button