Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

841
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si

صفحات

 صفحه شروع 1 | صفحه پایان 9

چکیده

 در این مقاله چگالی بارهای سطحی سیلیکان در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/Si0.81Ge0.19/Si ارزیابی شده است. وجود یک چاه کوانتمی (QW) در محل لایه آلیاژی (SiGe) نوار ظرفیت این ساختار باعت می شود که در نزدیکی میان گاه پایین (معکوس) Si/SiGe/Si یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) تشکیل شود. چگالی سطحی گاز حفره ای دو بعدی nh, که به درصد Ge در آلیاژ و سایر پارامترهای ساختار بستگی دارد, شدیدا متاثر از چگالی بارهای سطحی nsur روی سطح لایه Si پوششی است و با افزایش ضخامت لایه پوششی, افزایش می یابد. از مقایسه نتایج تجربی و محاسبات نظری نتیجه می شود که با کاهش ضخامت لایه پوششی (400-150nm), چگالی بارهای سطحی nsur در ساختارهای مورد مطالعه افزایش می یابد و تغییرات آن در گستره [(1-2.5)±0.2]´1011/cm2 ارزیابی می شود. بعلاوه فاصله تراز فرمی از لبه نوار ظرفیت در سطح آزاد Si برابر با DEFV = (0.5±0.05)eV برآورد می شود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    صادق زاده، محمدعلی، و فخارپور، مهسا. (1385). تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si. علوم و مهندسی سطح، 1(2)، 1-9. SID. https://sid.ir/paper/121088/fa

    Vancouver: کپی

    صادق زاده محمدعلی، فخارپور مهسا. تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si. علوم و مهندسی سطح[Internet]. 1385؛1(2):1-9. Available from: https://sid.ir/paper/121088/fa

    IEEE: کپی

    محمدعلی صادق زاده، و مهسا فخارپور، “تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si،” علوم و مهندسی سطح، vol. 1، no. 2، pp. 1–9، 1385، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/121088/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    مرکز اطلاعات علمی SID
    strs
    دانشگاه امام حسین
    بنیاد ملی بازیهای رایانه ای
    کلید پژوه
    ایران سرچ
    ایران سرچ
    فایل موجود نیست.
    بازگشت به بالا