مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

763
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

605
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (0،9) آلایش یافته با عناصر واسطه

صفحات

 صفحه شروع 35 | صفحه پایان 44

چکیده

 در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ GaAs (0,9) خالص و آلایش یافته با 11.11 درصد عناصر واسطه (Sc, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni) در دو وضعیت دور و نزدیک, با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیLDA توسط کد محاسباتی SIESTA مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ GaAs (0,9) نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11.11 درصد آهن و منگنز جایگزین شده در جایگاه های گالیوم در فاز فرومغناطیس در وضعیت دور و کرم در وضعیت نزدیک حالت فرومغناطیس نشان دهنده خاصیت نیم فلزی با 100 درصد قطبش اسپینی است. ساختار منحصر به فرد قطبش اسپینی ترازهای انرژی به هیبریدشدگی بین اوربیتال های تراز 3d عناصر واسطه و اوربیتال 4p آرسنایدهای همسایه آن مربوط می شود. نتایج حاصل از این تحقیق می تواند جهت مطالعات تجربی آینده روی نیم رساناهای مغناطیسی رقیق شده مفید واقع گردد. با توجه به نتایج حاصله از این پژوهش, نانولوله های GaAs آلایش یافته با عناصر واسطه, به عنوان کاندیدای مناسب جهت کاربرد در قطعات اسپین ترونیکی پیشنهاد می شود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    فتحی، رضا، و مولاروی، طیبه. (1395). خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (0,9) آلایش یافته با عناصر واسطه. پژوهش فیزیک ایران، 16(1)، 35-44. SID. https://sid.ir/paper/1439/fa

    Vancouver: کپی

    فتحی رضا، مولاروی طیبه. خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (0,9) آلایش یافته با عناصر واسطه. پژوهش فیزیک ایران[Internet]. 1395؛16(1):35-44. Available from: https://sid.ir/paper/1439/fa

    IEEE: کپی

    رضا فتحی، و طیبه مولاروی، “خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (0,9) آلایش یافته با عناصر واسطه،” پژوهش فیزیک ایران، vol. 16، no. 1، pp. 35–44، 1395، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/1439/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button