مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

17
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی امکان سنجی استفاده از نانولوله های P2SiS، As2GeSe و As2GeTe در نسل جدید ترانزیستورها

صفحات

 صفحه شروع 20 | صفحه پایان 24

چکیده

  
این پژوهش با استفاده از روش ابتدا به ساکن در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و توسط بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو در تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. ویژگی‌های ساختاری همچون ثابت شبکه, انرژی کرنش و انرژی نسبی تشکیل و ویژگی الکترونی مانند ساختار نواری برای سه ساختار دسته‌مبلی نانوورقه‌های P2SiS, As2GeSeو  A2GeTe و نانولوله این ترکیبات با ساختار دسته‌مبلی (10,10) مورد بررسی قرار گرفته است و با توجه به ویژگی‌های الکتریکی منحصر به فرد نانولوله این ترکیبات در ترانزیستورها, ویژگی‌های الکتریکی آنها با نانولوله کربنی مقایسه شده است. همچنین برای نانولوله A2GeTe به ازای ساختارهای دسته‌مبلی (4,4), (6,6), (8,8) و (10,10) ساختار نواری رسم گردیده است و در ادامه ساختار نواری نانوورقه‌های P2SiS, As2GeSe و A2GeTe با ساختار نواری گرافن مقایسه گردیده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که ساختار نواری نانوورقه‌ها و نانولوله‌های این ترکیبات, گاف نواری را به دست می‌دهد. بنابراین همه ترکیبات ذکرشده, نیمرسانا می‌باشند. همچنین از بررسی قطرهای مختلف نانولوله‌های دسته‌مبلی ترکیب A2GeTe, ساختارهای نواری‌ بسیار نزدیک به یکدیگر به دست آمده است. که این مؤید گاف نواری تقریباً یکسانی به ازای قطرهای مختلف برای نانولوله A2GeTe ست. دو عامل نیمرسانایی و ثابت ماندن گاف نواری نانولوله‌های P2SiS, As2GeSe و A2GeTe دو مزیت مهم استفاده از این نانولوله‌ها به جای نانولوله‌های کربنی در ترانزیستورها است.
 
 

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.

    • استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button