مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

13
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مطالعۀ عددی جریان و انتقال حرارت نانوسیال مغناطیسی در یک مجرا سه راهی در حضور میدان مغناطیسی متغیر

صفحات

 صفحه شروع 453 | صفحه پایان 481

چکیده

 جریان نانوسیال مغناطیسی در یک مجرا سه راهی که تحت میدان مغناطیسی متغیر است, به صورت عددی با استفاده از مدل تک فازی مخلوط, مورد بررسی قرار گرفته است. هدف از بررسی این تحقیق, افزایش انتقال حرارت به کمک اعمال میدان مغناطیسی در یک مجرا سه راهی می باشد. در این مجرا سطح بیرونی قسمت مورب به صورت عایق است و هیچ گونه انتقال حرارتی با فضای بیرون انجام نمی دهد. قسمت صاف به صورت دما ثابت و با دمای کمتر از دمای نانوسیال مغناطیسی می باشد و میدان مغناطیسی عمود بر مجرا وارد شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده است و 4% نانو ذره اکسید آهن (〖Fe〗_3 O_4) به آن افزوده می شود. تغییر پارامترهایی نظیر عدد بی بعد شدت میدان مغناطیسی و عدد بی بعد رینولدز بر انتقال حرارت مورد بررسی قرار گرفته است. اثرات میدان مغناطیسی با نوشتن کدهایی به زبان C++, به معادلات حاکم بر جریان نانوسیال مغناطیسی در نرم افزار انسیس فلوئنت اضافه شده است. با توجه به نتایج به دست آمده, مقدار عدد ناسلت با افزایش عدد رینولدز, 72 درصد افزایش می-یابد و با اعمال میدان مغناطیسی نسبت به حالت بدون حضور میدان مغناطیسی, مقدار عدد ناسلت 63/48 درصد افزایش می یابد. زیرا در اثر اعمال میدان مغناطیسی باعث تشکیل یک جفت گردابه در نانوسیال مغناطیسی می شود که این گردابه باعث نفوذ لایۀ مرزی خنک در قسمت های مرکزی مجرا می شود.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.

    • استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button