مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,175
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

540
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

نقش پایه گرافیتی بر تشکیل ساختار گرادیان ترکیبی C/SiC طی فرایند سمانتاسیون توده ای

صفحات

 صفحه شروع 91 | صفحه پایان 98

چکیده

 گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته است با این حال, گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد, به آسانی با اکسیژن واکنش می دهد. کاربید سیلیسیم (SiC) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش SiC بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار و خواص پایه گرافیتی و ساختار پوشش SiC با یافته های آزمایشگاهی و محاسبات تئوری بررسی شد. آنالیز پراش اشعه ایکس (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نشان می دهد که در روش سمانتاسیون توده ای, پوشش کاربید سیلیسیم با تراکم مناسب با ترکیب Si,C  و b-SiC ایجاد می شود. نوع گرافیت و خواص آنها نقش مهمی در ریزساختار پوشش تدریجی ایفا می کند, به طوری که پوشش تدریجی SiC تنها بر گرافیت با چگالی بالا, گرافیته شده خوب, تخلخل مناسب و با توزیع اندازه حفرات در محدوده 710-600 نانومتر تشکیل می شود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

    استناددهی

    APA: کپی

    پوراسد، جلیل، احسانی، ناصر، و خلیفه سلطانی، سیدعلی. (1395). نقش پایه گرافیتی بر تشکیل ساختار گرادیان ترکیبی C/SiC طی فرایند سمانتاسیون توده ای. فرآیندهای نوین در مهندسی مواد (مهندسی مواد مجلسی)، 10(1 (پیاپی 36))، 91-98. SID. https://sid.ir/paper/172446/fa

    Vancouver: کپی

    پوراسد جلیل، احسانی ناصر، خلیفه سلطانی سیدعلی. نقش پایه گرافیتی بر تشکیل ساختار گرادیان ترکیبی C/SiC طی فرایند سمانتاسیون توده ای. فرآیندهای نوین در مهندسی مواد (مهندسی مواد مجلسی)[Internet]. 1395؛10(1 (پیاپی 36)):91-98. Available from: https://sid.ir/paper/172446/fa

    IEEE: کپی

    جلیل پوراسد، ناصر احسانی، و سیدعلی خلیفه سلطانی، “نقش پایه گرافیتی بر تشکیل ساختار گرادیان ترکیبی C/SiC طی فرایند سمانتاسیون توده ای،” فرآیندهای نوین در مهندسی مواد (مهندسی مواد مجلسی)، vol. 10، no. 1 (پیاپی 36)، pp. 91–98، 1395، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/172446/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button