مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

977
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

584
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی مسیر واکنشی تشکیل پوشش تدریجی SiC بر گرافیت با روش سمانتاسیون بسته ای و تاثیر نوع مواد اولیه

صفحات

 صفحه شروع 39 | صفحه پایان 46

چکیده

 با توجه به آن که مواد کربنی از جمله گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته اند؛ اما مشکل اصلی آن ها, شروع اکسیداسیون از دمای حدود400oC در محیط اکسیدی می باشد, بهترین روش برای تقویت مقاومت به اکسیداسیون گرافیت, استفاده از کاربید سیلیسیم با ساختار تدریجی است که به دلیل پایداری حرارتی مناسب و تطابق فیزیکی, شیمیایی و ضریب انبساط حرارتی مناسب با زیرلایه کربنی کاربرد گسترده ای یافته است. در پژوهش حاضر به دلیل مزایایی نظیر هزینه کم تر, سهولت بکارگیری و قابلیت صنعتی سازی, روش سمانتاسیون بسته ای در دمای 1600oC برای تشکیل پوشش SiC تدریجی بکار گرفته شد. آنالیز پراش اشعه ایکس (XRD) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نشان می دهد که پوشش حاصل به صورت تدریجی تشکیل یافته و شامل فاز a-SiC و b-SiC با تراکم مناسب می باشد. مکانیزم تشکیل پوشش SiC بر گرافیت با آنالیز ترمودینامیکی و محاسبات تعادل شیمیایی حاصل از نرم افزار HSC Chemistry 6.0 تشریح می شود. مکانیزم مسیر واکنشی نشان می دهد, در مراحل ابتدایی واکنش, فازهای گازی SiO و CO طی واکنش Al2O3 با Si و C تشکیل شده و دو واکنش Si+C®SiC و SiO(g)+2C®SiC+CO(g) به عنوان واکنش های اصلی تشکیل پوشش معرفی می شوند. نتایج نشان می دهد که ترکیب مواد اولیه در روش سمانتاسیون بسته ای تاثیر زیادی بر ساختار پوشش کاربیدسیلیسیم ندارد و در نهایت نتایج تجربی, نتایج حاصل از شبیه سازی را تایید می کند. در واقع, پژوهش حاضر روشی را برای تحلیل و شبیه سازی واکنش های سمانتاسیون بسته ای با نرم افزار ترمودینامیکی HSC Chemistry ارائه می دهد و در نهایت نتایج حاصل از شبیه سازی با نتایج تجربی تایید شد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

    استناددهی

    APA: کپی

    پوراسد، جلیل، احسانی، ناصر، و خلیفه سلطانی، سیدعلی. (1396). بررسی مسیر واکنشی تشکیل پوشش تدریجی SiC بر گرافیت با روش سمانتاسیون بسته ای و تاثیر نوع مواد اولیه. مواد نوین، 7(4 (پیاپی 28) )، 39-46. SID. https://sid.ir/paper/170048/fa

    Vancouver: کپی

    پوراسد جلیل، احسانی ناصر، خلیفه سلطانی سیدعلی. بررسی مسیر واکنشی تشکیل پوشش تدریجی SiC بر گرافیت با روش سمانتاسیون بسته ای و تاثیر نوع مواد اولیه. مواد نوین[Internet]. 1396؛7(4 (پیاپی 28) ):39-46. Available from: https://sid.ir/paper/170048/fa

    IEEE: کپی

    جلیل پوراسد، ناصر احسانی، و سیدعلی خلیفه سلطانی، “بررسی مسیر واکنشی تشکیل پوشش تدریجی SiC بر گرافیت با روش سمانتاسیون بسته ای و تاثیر نوع مواد اولیه،” مواد نوین، vol. 7، no. 4 (پیاپی 28) ، pp. 39–46، 1396، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/170048/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button