مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,582
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

866
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی

صفحات

 صفحه شروع 19 | صفحه پایان 24

چکیده

 این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین, استفاده از ماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    اروجی، علی اصغر، و حیدری، سارا. (1389). طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی. مدل سازی در مهندسی، 8(23)، 19-24. SID. https://sid.ir/paper/173703/fa

    Vancouver: کپی

    اروجی علی اصغر، حیدری سارا. طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی. مدل سازی در مهندسی[Internet]. 1389؛8(23):19-24. Available from: https://sid.ir/paper/173703/fa

    IEEE: کپی

    علی اصغر اروجی، و سارا حیدری، “طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی،” مدل سازی در مهندسی، vol. 8، no. 23، pp. 19–24، 1389، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/173703/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button