مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,043
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

689
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت اجباری نانوسیال در یک کانال سینوسی شکل

صفحات

 صفحه شروع 43 | صفحه پایان 55

چکیده

 در این مقاله انتقال حرارت جابجایی در یک کانال سینوسی شکل حاوی نانوسیال تحت میدان مغناطیسی بررسی شده است. میدان مغناطیسی عمود بر کانال اعمال شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده است و نانو ذره مس به آن افزوده می شود. از مدل ماکسول-گرانت برای ضریب رسانش حرارتی و مدل برینکمن برای ویسکوزیته دینامیکی استفاده می شود. تغییر پارامترهایی نظیر اثر شکل هندسی 0£a£0.3, درصد حجمی نانوسیال 0£f£0.05,عدد بی بعد هارتمن 0£Ha£20 و عدد بی بعد رینولدز 100£Re£500 در نظر گرفته شده است. نتایج نشان می دهند با افزایش تمام پارامترهای ذکر شده, عدد ناسلت افزایش می یابد. درصد حجمی نانوسیال, بیشتر بر مقادیر ماکزیمم ناسلت محلی در هر طول موج کانال و مقادیر هارتمن, هم بر مینیمم و هم بر ماکزیمم مقدار ناسلت محلی ,تاثیر گذار هستند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    نوری، رضا، گرجی، مفید، و دومیری گنجی، داوود. (1392). بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت اجباری نانوسیال در یک کانال سینوسی شکل. مهندسی مکانیک مدرس، 13(14 (فوق العاده))، 43-55. SID. https://sid.ir/paper/178698/fa

    Vancouver: کپی

    نوری رضا، گرجی مفید، دومیری گنجی داوود. بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت اجباری نانوسیال در یک کانال سینوسی شکل. مهندسی مکانیک مدرس[Internet]. 1392؛13(14 (فوق العاده)):43-55. Available from: https://sid.ir/paper/178698/fa

    IEEE: کپی

    رضا نوری، مفید گرجی، و داوود دومیری گنجی، “بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت اجباری نانوسیال در یک کانال سینوسی شکل،” مهندسی مکانیک مدرس، vol. 13، no. 14 (فوق العاده)، pp. 43–55، 1392، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/178698/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا