مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

821
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

561
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی

صفحات

 صفحه شروع 43 | صفحه پایان 51

چکیده

 در این مقاله, اثر میدان های الکتریکی و مغناطیسی بر خواص نوری نفاط کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس بررسی شده است. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره گیری از تقریب جرم مؤثر, معادله شرودینگر برای نقطه کوانتمی مخروطی-شکل همراه با لایه خیس حل شد و توابع پوش, ترازهای انرژی حالت پایه و تراز لایه خیس به دست آمدند. سپس با استفاده از توابع پوش الکترون, دوقطبی های گذار محاسبه شدند و وابستگی آن ها به میدان های الکتریکی ومغناطیسی مشخص شدند و در نهایت به بررسی خواص نوری پرداخته شد. با اعمال میدان الکتریکی و مغناطیسی در راستای رشد نقطه کوانتومی محدودیت کوانتومی الکترون را می توان کنترل کرد. به علت وابستگی دوقطبی های گذار به حضور میدان, مقایسه نتایج نشان می دهد که با افزایش میدان مغناطیسی قله های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی بلندتر و به سمت طول موج های کوتاه تر می رود. در حالیکه با افزایش میدان الکتریکی تغییرات جزیی در جابه جایی قله های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی, به سمت طول موج های بلند تر قابل مشاهده است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    پرویزی، رقیه، دهقانی، سحر، و رضایی، قاسم. (1397). بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، 8(18 )، 43-51. SID. https://sid.ir/paper/243830/fa

    Vancouver: کپی

    پرویزی رقیه، دهقانی سحر، رضایی قاسم. بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)[Internet]. 1397؛8(18 ):43-51. Available from: https://sid.ir/paper/243830/fa

    IEEE: کپی

    رقیه پرویزی، سحر دهقانی، و قاسم رضایی، “بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی،” پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، vol. 8، no. 18 ، pp. 43–51، 1397، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/243830/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button