مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

500
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

179
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

افزایش بازده سلول خورشیدی GaAs مبتنی بر ساختار p-i-n باند میانی توسط نقاط کوانتومی InAs در ناحیه ذاتی آن

صفحات

 صفحه شروع 1167 | صفحه پایان 1174

چکیده

 امروزه سلول خورشیدی باند میانی نقطه کوانتومی به عنوان یکی از مناسب ترین گزینه ها برای دست یابی به حداکثر بازده در سلول های خورشیدی می باشد. در این مقاله دو مدل سلول خورشیدی طراحی شده که مدل اول دارای ساختار p-i-n با بستر GaAs بوده و مدل دوم شامل نقاط کوانتومی InAs کاشته شده در ناحیه ذاتی آن می باشند. با بهبود ساختار و استفاده از مواد مناسب در سلول مرجع p-i-n بازده تا حد 34. 03% افزایش یافته است. سپس, در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی, ازطریق کنترل اندازه نقاط کوانتومی و موقعیت قرارگیری آن ها در این سلول خورشیدی GaAs باند میانی نقطه کوانتومی, بهبود بازده تبدیل انرژی به مقدار 12. 55% به دست آمده و بازده تبدیل انرژی تا مقدار 55. 58% ارتقاء یافت. در حقیقت, با این سلول خورشیدی باند میانی مبتنی بر نقاط کوانتومی بازده تبدیل انرژی بالایی ارائه می شود که تاکنون گزارش نشده است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    عباسیان، کریم، حسینی، سیدسالار، و صوفی، هادی. (1398). افزایش بازده سلول خورشیدی GaAs مبتنی بر ساختار p-i-n باند میانی توسط نقاط کوانتومی InAs در ناحیه ذاتی آن. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)، 49(3 (پیاپی 89) )، 1167-1174. SID. https://sid.ir/paper/256540/fa

    Vancouver: کپی

    عباسیان کریم، حسینی سیدسالار، صوفی هادی. افزایش بازده سلول خورشیدی GaAs مبتنی بر ساختار p-i-n باند میانی توسط نقاط کوانتومی InAs در ناحیه ذاتی آن. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)[Internet]. 1398؛49(3 (پیاپی 89) ):1167-1174. Available from: https://sid.ir/paper/256540/fa

    IEEE: کپی

    کریم عباسیان، سیدسالار حسینی، و هادی صوفی، “افزایش بازده سلول خورشیدی GaAs مبتنی بر ساختار p-i-n باند میانی توسط نقاط کوانتومی InAs در ناحیه ذاتی آن،” مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)، vol. 49، no. 3 (پیاپی 89) ، pp. 1167–1174، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/256540/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button