Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

544
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

489
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی ویژگی نیم-فلزی تک لایه SiC آلایش یافته با اتم های منگنز به منظور کاربرد در نانو اسپینترونیک

صفحات

 صفحه شروع 110 | صفحه پایان 115

چکیده

 در این پژوهش, ویژگی های ساختاری, الکترونی و مغناطیسی تک لایه SiC آلایش یافته با اتم های منگنز مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج مربوط به خواص الکتریکی نشان می دهد که تک لایه SiC خالص, بر خلاف گرافین خالص, دارای گاف نواری قابل توجهی می باشد, که باعث کابرد آن در صنعت الکترونیک می شود. پایدارترین ساختار با در نظر گرفتن اتم های منگنز بر روی اتم-های کربن, اتم سیلیسیم و مرکز شش ضلعی با انجام واهلش کامل موقعیت های اتمی و پارامترهای شبکه, مشخص شد. نتایج محاسبات نشان می دهد که پایدارترین حالت این ترکیب برای حالتی است که اتم های منگنز روی اتم های کربن قرار می گیرند. بنابراین برای این ساختار, خواص الکترونی و مغناطیسی محاسبه شده است. نمودارهای چگالی حالات جزئی و کلی بیانگر وجود ویژگی نیم-فلزی در این ترکیب می باشد. در نتیجه از این تک لایه می توان در ساخت قطعات نانو اسپینترونیکی و شیرهای اسپینی استفاده نمود. همچنین در این مقاله تلاش شده که با رسم نمودارهای ساختار نواری وابسته به اسپین و مقایسه آن با چگالی حالات جزئی, سازوکار ایجاد ویژگی نیم-فلزی در این مواد مورد بررسی قرار گیرد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    رستمی، محمد، افکنی، محمد، عابدی، مائده، و امان ترکمن، پوریا. (1398). بررسی ویژگی نیم-فلزی تک لایه SiC آلایش یافته با اتم های منگنز به منظور کاربرد در نانو اسپینترونیک. نانو مقیاس، 6(4 )، 110-115. SID. https://sid.ir/paper/257034/fa

    Vancouver: کپی

    رستمی محمد، افکنی محمد، عابدی مائده، امان ترکمن پوریا. بررسی ویژگی نیم-فلزی تک لایه SiC آلایش یافته با اتم های منگنز به منظور کاربرد در نانو اسپینترونیک. نانو مقیاس[Internet]. 1398؛6(4 ):110-115. Available from: https://sid.ir/paper/257034/fa

    IEEE: کپی

    محمد رستمی، محمد افکنی، مائده عابدی، و پوریا امان ترکمن، “بررسی ویژگی نیم-فلزی تک لایه SiC آلایش یافته با اتم های منگنز به منظور کاربرد در نانو اسپینترونیک،” نانو مقیاس، vol. 6، no. 4 ، pp. 110–115، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/257034/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا