مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

232
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

423
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مرجع جریان µ A100 با ضریب تغییرات دمایی پایین مبتنی بر ترکیب ترانزیستورهای زیرآستانه و اشباع

صفحات

 صفحه شروع 1711 | صفحه پایان 1720

چکیده

 در این مقاله یک مرجع جریان با تکنیک ترکیب ساختار ترانزیستورهای اشباع و زیرآستانه ارائه می شود. در این کار ابتدا با هریک از این ساختارها جریان های PTAT و CTAT تولید و با یکدیگر ترکیب شد. سپس برای دستیابی به ضریب تغییرات دمایی پایین جریان های خروجی این دو ساختار با ضرایب مناسبی جمع گردید تا یک جریان مرجع برابر با µ A100 به دست آید. مدار پیشنهادی برای این مرجع جریان در تکنولوژی 0. 18μ m CMOS TSMC طراحی و جانمایی آن به ابعاد 177. 4μ m×180. 5μ m در نرم افزار Cadence رسم و مدار استخراج شده از آن شبیه سازی شد. نتایج شبیه سازی نشان دادند که این مرجع جریان در بازه دمایی º C40-تا º C120 برای حالت TT دارای ضریب تغییرات دمایی ppm/º C3. 68 می باشد. علاوه بر این, میانگین ضریب تغییرات دمایی آن برای 1000 بار تکرار مونت کارلو برابر ppm/º C 16. 384 است. همچنین نتایج شبیه سازی نشان داد که این مدار نسبت به تغییر یک ولتی ولتاژ تغذیه دارای حساسیت 2. 9% می باشد. ولتاژ دو سر این مرجع جریان در 98% مقدار نامی خود برابر mV396 است. توان مصرفی این مدار در ولتاژ تغذیه V8/1 برابر 39. 67µ W است.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    شیخی، امین، گودرزی، فرشاد، و طوفان، سیروس. (1398). مرجع جریان µ A100 با ضریب تغییرات دمایی پایین مبتنی بر ترکیب ترانزیستورهای زیرآستانه و اشباع. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)، 49(4 (پیاپی 90) )، 1711-1720. SID. https://sid.ir/paper/383616/fa

    Vancouver: کپی

    شیخی امین، گودرزی فرشاد، طوفان سیروس. مرجع جریان µ A100 با ضریب تغییرات دمایی پایین مبتنی بر ترکیب ترانزیستورهای زیرآستانه و اشباع. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)[Internet]. 1398؛49(4 (پیاپی 90) ):1711-1720. Available from: https://sid.ir/paper/383616/fa

    IEEE: کپی

    امین شیخی، فرشاد گودرزی، و سیروس طوفان، “مرجع جریان µ A100 با ضریب تغییرات دمایی پایین مبتنی بر ترکیب ترانزیستورهای زیرآستانه و اشباع،” مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)، vol. 49، no. 4 (پیاپی 90) ، pp. 1711–1720، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/383616/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا