مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

712
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

558
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

محاسبه سطح مشترک (Pb/Si (111 با استفاده از نظریه تابعی چگالی

صفحات

 صفحه شروع 171 | صفحه پایان 179

کلیدواژه

LAPW+LOQ3

چکیده

 تابع کار و انرژی سطح به ازای واحد مساحت در چارچوب نظریه تابعی چگالی به روش امواج تخت بهبود یافته خطی به علاوه اربیتالهای موضعی با پتانسیل کامل برای یک بره متقارن از سیلیکون شامل دو سطح (بالا و پایین) محاسبه شده اند. الگوی این سطوح به طور نظری با استفاده از روش ابریاخته با روی هم قرار دادن تعدادی از لایه های سیلیکون در امتداد محور بلورشناسی (111) به دست آمده است. به منظور متقارن ساختن این بره دو مقدار یکسان از خلا در بالا و پایین سطوح Si (111) اضافه شده اند. سپس به منظور شبیه سازی سطح مشترک سرب و سیلیکون اتمهای سرب بر روی سطوح آماده شده سیلیکون لایه نشانی شده اند. محاسبات در غیاب و حضور بر هم کنش اسپین- مدار برای سه فاز (fcc) T4, (top site) T1 و (hcp) H3 انجام شده اند. انرژی های کل محاسبه شده در توافق با اندازه گیرهای تجربی نشان می دهند که فاز T1, که در آن اتم سرب در امتداد اتم اولین لایه سیلیکون واقع شده است, پایدارترین فاز می باشد. سپس تابع کار, انرژی تشکیل برای سطح مشترک Pb/Si (111) در پایدارترین حالت به دست آمده, محاسبه شده اند. نتایج نشان می دهد که پیوند سیگما بین Si و Pb در سطح مشترک برقرار است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    رفیعی، مرتضی، و جلالی اسدآبادی، سعید. (1386). محاسبه سطح مشترک (Pb/Si (111 با استفاده از نظریه تابعی چگالی. پژوهش فیزیک ایران، 7(3)، 171-179. SID. https://sid.ir/paper/384854/fa

    Vancouver: کپی

    رفیعی مرتضی، جلالی اسدآبادی سعید. محاسبه سطح مشترک (Pb/Si (111 با استفاده از نظریه تابعی چگالی. پژوهش فیزیک ایران[Internet]. 1386؛7(3):171-179. Available from: https://sid.ir/paper/384854/fa

    IEEE: کپی

    مرتضی رفیعی، و سعید جلالی اسدآبادی، “محاسبه سطح مشترک (Pb/Si (111 با استفاده از نظریه تابعی چگالی،” پژوهش فیزیک ایران، vol. 7، no. 3، pp. 171–179، 1386، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/384854/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button