مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

281
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

تاثیر فشار و دما بر ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN

صفحات

 صفحه شروع 183 | صفحه پایان 194

چکیده

 در این مقاله, جریان درین-سورس, رسانندگی متقابل و فرکانس قطع در ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی AlGaN/GaN مورد بررسی قرار گرفته است. برای به دست آوردن دقیق پارامترهای ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی (همت) AlGaN/GaN مانند چگالی الکترون, عملکرد موج, گاف نواری, قطبش پذیری, جرم موثر و ثابت دی الکتریک؛ اثرات فشار هیدرواستاتیک و دما مورد بررسی قرار می گیرند. نتایج حاصله نشانگر این است که جریان درین-سورس با افزایش دمای کاهش می یابد و با افزایش فشار هیدرواستاتیکی افزایش می یابد. افزایش دما معادل یک گیت مجازی منفی و افزایش فشار هیدرواستاتیک برابر با ولتاژ گیت مجازی مثبت است. همچنین در ساختارهای HEMT وابستگی جرم مؤثر به دما و فشار هیدرواستاتیک بررسی شده است و مشاهده می شود که افزایش فشار هیدرواستاتیک جرم موثر و نفوذ تابع موج را به سد کوانتمی AlGaN کاهش می دهد. به طور کلی, فرایند افزایش و کاهش فرکانس قطع و رسانندگی متقابل مشابه تغییرات در جریان درین-سورس است. نتایج محاسبه شده با داده های تجربی موجود تطابق خوبی دارند. متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد. لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    یحیی زاده، رجب، و هاشم پور، زهرا. (1398). تاثیر فشار و دما بر ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN. نشریه فصل مشترک ها، لایه های نازک و سیستم های با بعد کم، 2(2 )، 183-194. SID. https://sid.ir/paper/386426/fa

    Vancouver: کپی

    یحیی زاده رجب، هاشم پور زهرا. تاثیر فشار و دما بر ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN. نشریه فصل مشترک ها، لایه های نازک و سیستم های با بعد کم[Internet]. 1398؛2(2 ):183-194. Available from: https://sid.ir/paper/386426/fa

    IEEE: کپی

    رجب یحیی زاده، و زهرا هاشم پور، “تاثیر فشار و دما بر ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN،” نشریه فصل مشترک ها، لایه های نازک و سیستم های با بعد کم، vol. 2، no. 2 ، pp. 183–194، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/386426/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا