مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

334
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

490
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی عملکرد مالتی پلکسر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

صفحات

 صفحه شروع 943 | صفحه پایان 953

چکیده

 با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه هادی و مدارات مجتمع تا میزان محدوده نانومتر, صنعت نیمه هادی با چالش های زیادی روبرو خواهد بود. ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی به دلیل ابعاد بسیار کم, سرعت بالا و مصرف کم توان و همچنین به خاطر مشابه بودن عملکردشان با CMOS توجه طراحان مدارهای منطقی و سیستم دیجیتالی را جلب کرده اند. استفاده از منطق چند-ارزشی (MVL) به دلیل کاهش عملیات ریاضی, موجب کاهش سطح تراشه و کاهش توان مصرفی در مقایسه با منطق دو ارزشی می شود. در این مقاله یک طراحی جدید از مالتی پلکسر با منطق سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ارایه شده است. در نهایت, یک مقایسه از لحاظ توان و عملکرد مالتی پلکسر سه ارزشی CNTFET در برابر مالتی پلکسر سه ارزشی خانواده CMOS که طراحی آن نیز در این مقاله انجام شده, ارایه شده است. در ادامه نتایج شبیه سازی که با بهره گیری از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی 32 نانومتر به دست آمده ارایه گردیده است. نتایج شبیه سازی بهبود 60% تا 65% در مقدار تاخیر, %96. 4 تا 98% در مقدار توان مصرفی و تقریبا 99% در مقدار انرژی مصرفی مدار مالتی پلکسر سه ارزشی مبتنی بر CNTFET را نسبت به مدار مشابه مبتنی بر CMOS پیشنهادی نشان می دهد. همچنین PDP به میزان 99% بهبود می یابد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    نیکبخت بیدگلی، الهام، و دیدبان، داریوش. (1399). بررسی عملکرد مالتی پلکسر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)، 50(2 (پیاپی 92) )، 943-953. SID. https://sid.ir/paper/389486/fa

    Vancouver: کپی

    نیکبخت بیدگلی الهام، دیدبان داریوش. بررسی عملکرد مالتی پلکسر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)[Internet]. 1399؛50(2 (پیاپی 92) ):943-953. Available from: https://sid.ir/paper/389486/fa

    IEEE: کپی

    الهام نیکبخت بیدگلی، و داریوش دیدبان، “بررسی عملکرد مالتی پلکسر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی،” مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)، vol. 50، no. 2 (پیاپی 92) ، pp. 943–953، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/389486/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا