مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

396
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

573
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بهبود نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی

صفحات

 صفحه شروع 45 | صفحه پایان 52

کلیدواژه

ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی (SB-GNRFET)Q1

چکیده

 چکیده: ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی (SBGNRFET), علی رغم ویژگی های بارزی که نسبت به ترانزیستورهای متداول دارند, دارای جریان خاموش نسبتاً زیاد و نسبت پایین می باشند. در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور نانونوار گرافنی نوع شاتکی ارائه شده که در آن گیت ترانزیستور به دو قسمت تقسیم شده است. به گیتی که در سمت درین قرار گرفته است, ولتاژ ثابت متصل شده و گیتی که در سمت سورس قرار گرفته است, گیت اصلی ترانزیستور می باشد. ساختار SBGNRFET ارائه شده با مشخصه های هندسی و فیزیکی و در بایاس های متفاوت با استفاده از شبیه ساز عددی مبتنی بر توابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده و کارایی افزاره مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی نشان دهنده بهبود نسبت تا 7/6 برابر در می باشد. در این ولتاژ نسبت از 2/1 در ترانزیستور SBGNRFET معمولی به 01/8 در ترانزیستور جدید رسیده و جریان خاموش از µ A 5 به µ A 7/0 کاهش یافته است. همچنین در, به عنوان ولتاژ تغذیه, نسبت از 97/3 به 8/15 و جریان خاموش از µ A 63/0 به µ A 16/0 رسیده است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    تقی پور، فرزانه، قلی پور، مرتضی، و عزیزاله گنجی، بهرام. (1400). بهبود نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، 19(1 )، 45-52. SID. https://sid.ir/paper/390200/fa

    Vancouver: کپی

    تقی پور فرزانه، قلی پور مرتضی، عزیزاله گنجی بهرام. بهبود نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق[Internet]. 1400؛19(1 ):45-52. Available from: https://sid.ir/paper/390200/fa

    IEEE: کپی

    فرزانه تقی پور، مرتضی قلی پور، و بهرام عزیزاله گنجی، “بهبود نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، vol. 19، no. 1 ، pp. 45–52، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/390200/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button