مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

305
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

550
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

ارائه مدار نوشتن جدید جهت کاهش انرژی و تأخیر عملیات نوشتن در حافظه های STT-MRAM با بهره گیری از روش دمایی

صفحات

 صفحه شروع 27 | صفحه پایان 34

چکیده

 با پیشرفت تکنولوژی و کوچک ترشدن ابعاد ترانزیستورها در تکنولوژی CMOS, چالش های متعددی به وجود آمده اند. از نگرانی های اصلی در بهره گیری از حافظه های مبتنی بر CMOS, می توان توان مصرفی بالا در این نوع حافظه ها را برشمرد. از این رو برای مرتفع نمودن کمبودهای حافظه های فرار مرسوم, حافظه های جدید و غیر فراری ارائه شدند. در این میان یکی از تکنولوژی های غیر فرار نوظهور, حافظه های STT-MRAM هستند که به واسطه ویژگی هایی همچون توان نشتی ناچیز, چگالی بالا و زمان دسترسی مناسب به عنوان جایگزینی مؤثر و کارا برای حافظه های مرسوم همچون SRAMها در نظر گرفته می شوند. ویژگی های مثبت STT-MRAMها این امکان را به وجود می آورد که بتوان از آنها در سطوح مختلف از سلسله مراتب حافظه, علی الخصوص سطح حافظه نهان بهره برد. با این حال, حافظه های STT-MRAM از انرژی نوشتن بالا رنج می برند که در این مقاله با ارائه یک مدار نوشتن جدید با بهره گیری از روش دمایی, علاوه بر بهبود انرژی بالای نوشتن در این نوع حافظه, تأخیر نوشتن نیز بهبود داده می شود. روش پیشنهادی در مقایسه با روش های موجود به بهبودی 5/22 و 62/18 درصدی به ترتیب در انرژی و تأخیر نوشتن دست یافته است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    حاجی صادقی، امیرمحمد، زرندی، حمیدرضا، و جلیلیان، شاهرخ. (1400). ارائه مدار نوشتن جدید جهت کاهش انرژی و تأخیر عملیات نوشتن در حافظه های STT-MRAM با بهره گیری از روش دمایی. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر، 19(1 )، 27-34. SID. https://sid.ir/paper/394777/fa

    Vancouver: کپی

    حاجی صادقی امیرمحمد، زرندی حمیدرضا، جلیلیان شاهرخ. ارائه مدار نوشتن جدید جهت کاهش انرژی و تأخیر عملیات نوشتن در حافظه های STT-MRAM با بهره گیری از روش دمایی. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر[Internet]. 1400؛19(1 ):27-34. Available from: https://sid.ir/paper/394777/fa

    IEEE: کپی

    امیرمحمد حاجی صادقی، حمیدرضا زرندی، و شاهرخ جلیلیان، “ارائه مدار نوشتن جدید جهت کاهش انرژی و تأخیر عملیات نوشتن در حافظه های STT-MRAM با بهره گیری از روش دمایی،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر، vol. 19، no. 1 ، pp. 27–34، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/394777/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button