مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

284
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مهندسی گاف نواری در نقاط و حلقه های کوانتومی چندلایه ای طول موثر کلی ثابت GaN/AlN شامل ناخالصی های دهنده هیدروژنی روی مرکز

صفحات

 صفحه شروع 195 | صفحه پایان 201

چکیده

 در این کار, ما ریزنوارها و ریزگاف های نقاط (CTER-MSQDs) و حلقه های (CTER-MSQRs) کوانتومی چندلایه ای طول موثر کلی ثابت GaN/AlN را بررسی کرده ایم. ما از طریق محاسبه انرژی های زیرنوارها, اثر ناخالصی های دهنده هیدروژنی, شعاع های حلقه ها و نقاط کوانتومی, و تعداد چاه ها را روی تشکیل ریزنوارها مطالعه کرده ایم. نشان دادیم که در این سیستم ها, وقتی تعداد چاه ها افزایش می یابد ریزگاف ها تولید و سپس ناپدید می گردند. در ادامه, مشاهده کردیم که CTER-MSQDs های استوانه ای یک ریز نوار بیشتر از CTER-MSQDs های کروی در بازه انرژی مورد مطالعه دارند. ریزنوارهای CTER-MSQDs ها استوانه ای پهن تر بودند. برای سیستم های استوانه ای, با افزایش تعداد چاه, موقعیت اولین ریزگاف جا به جایی آبی پیدا کرد که این مورد در سیستمهای کروی مشاهده نشد. با افزایش شعاع داخلی, موقعیت اولین گاف, جا به جایی آبی بیشتری داشت. بنابراین, می توان از تعداد چاه ها, ناخالصی های دهنده, و شعاع های نقاط و حلقه های کوانتومی به عنوان ابزارهای تنظیم استفاده کرد تا یک سیستم با تعداد ریزگاف ها و ریز نوارهای دلخواه داشت. متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد. لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    سلیمانی، مهدی، و جوهری، هادی. (1398). مهندسی گاف نواری در نقاط و حلقه های کوانتومی چندلایه ای طول موثر کلی ثابت GaN/AlN شامل ناخالصی های دهنده هیدروژنی روی مرکز. نشریه فصل مشترک ها، لایه های نازک و سیستم های با بعد کم، 2(2 )، 195-201. SID. https://sid.ir/paper/396993/fa

    Vancouver: کپی

    سلیمانی مهدی، جوهری هادی. مهندسی گاف نواری در نقاط و حلقه های کوانتومی چندلایه ای طول موثر کلی ثابت GaN/AlN شامل ناخالصی های دهنده هیدروژنی روی مرکز. نشریه فصل مشترک ها، لایه های نازک و سیستم های با بعد کم[Internet]. 1398؛2(2 ):195-201. Available from: https://sid.ir/paper/396993/fa

    IEEE: کپی

    مهدی سلیمانی، و هادی جوهری، “مهندسی گاف نواری در نقاط و حلقه های کوانتومی چندلایه ای طول موثر کلی ثابت GaN/AlN شامل ناخالصی های دهنده هیدروژنی روی مرکز،” نشریه فصل مشترک ها، لایه های نازک و سیستم های با بعد کم، vol. 2، no. 2 ، pp. 195–201، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/396993/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button