مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

4,724
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

1,259
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

طراحی و پیاده سازی گیت های NOT، AND و XOR برگشت پذیر در سیستم های مبتنی بر نانو تکنولوژی

صفحات

 صفحه شروع 89 | صفحه پایان 99

چکیده

 در فناوری نانو و محاسبات کوانتومی مدرن, منطق برگشت پذیر نقش مهمی ایفا می کند زیرا در گیت های برگشت پذیر به دلیل پاک کردن عملیات بیتی می توان از اتلاف توان جلوگیری کرد, در این مقاله ضمن معرفی گیت های برگشت پذیر متداول, چگونگی پیاده سازی گیت-های NOT, AND و XOR با بکارگیری گیت های برگشت پذیر بررسی و استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی جهت پیاده-سازی گیت های برگشت پذیر در سطح مداری باهدف غلبه بر مشکلات ناشی از کاهش ابعاد در تکنولوژی CMOS پیشنهاد می شود, نتایج شبیه سازی بیانگر این است که اگر با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت, برای ایجاد یک گیت NOT از گیت برگشت پذیرFeynman استفاده شود, متوسط توان مصرفی 20/97% و با استفاده از گیت برگشت پذیر Fredkin, 99/99% کاهش داده شده می شود. برای گیت AND نیز اگر از گیت های برگشت پذیر Fredkin, Peres و Toffoli استفاده شود, مقدار متوسط توان مصرفی با ولتاژ تغذیه 9/0 به ترتیب 45/98%, 87/90% و 04/89% کاهش می یابد, همچنین اگر از خروجی Q گیت های برگشت پذیر Feynman و Peres به عنوان گیت XOR برای دو ورودی استفاده شود, با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت مقدار متوسط توان مصرفی به ترتیب, 97/99% و 78/99% کاهش داده می شود, برای شبیه سازی مدارها نیز از کتابخانه ترانزیستور CNTFET در نرم افزار Hspice استفاده شده است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    شاویسی، مریم، و رضایی، عباس. (1398). طراحی و پیاده سازی گیت های NOT, AND و XOR برگشت پذیر در سیستم های مبتنی بر نانو تکنولوژی. نخبگان علوم و مهندسی، 4(1 )، 89-99. SID. https://sid.ir/paper/515629/fa

    Vancouver: کپی

    شاویسی مریم، رضایی عباس. طراحی و پیاده سازی گیت های NOT, AND و XOR برگشت پذیر در سیستم های مبتنی بر نانو تکنولوژی. نخبگان علوم و مهندسی[Internet]. 1398؛4(1 ):89-99. Available from: https://sid.ir/paper/515629/fa

    IEEE: کپی

    مریم شاویسی، و عباس رضایی، “طراحی و پیاده سازی گیت های NOT, AND و XOR برگشت پذیر در سیستم های مبتنی بر نانو تکنولوژی،” نخبگان علوم و مهندسی، vol. 4، no. 1 ، pp. 89–99، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/515629/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button