مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,398
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

736
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی ترابرد قطبیده اسپینی در یک نانو کریستال: تاثیرات میدان های الکتریکی و مغناطیسی

صفحات

 صفحه شروع 1 | صفحه پایان 10

چکیده

 مقدمه: درسال های اخیر, تحقیقات تجربی و نظری گسترده ای در زمینه رسانش نانو ساختارهای مغناطیسی انجام شده است. در این راستا پدیده ترابرد اسپینی در نانو ساختارهای مغناطیسی از قبیل سیم کوانتومی مغناطیسی توجه زیادی را از لحاظ علمی و تکنولوژیکی به خود جلب کرده است. خواص رسانش الکتریکی این ساختار ها, از طریق محدود کردن آن ها بین دو الکترود فلزی و عبورجریان از میان آن مورد بررسی قرار می گیرد. در این مقاله ترابرد قطبیده اسپینی در یک نانو کریستال مغناطیسی متصل شده به دو الکثرود فلزی سه بعدی بررسی می شود.هدف: بررسی ترابرد قطبیده اسپینی در یک نانو کریستال با لایه های مغناطیسی در حظور میدان های الکتریکی و مغناطیسی, بر اساس فرمول بندی لاندائور.روش بررسی: در این مقاله ترابرد قطبیده اسپینی در یک سیم کوانتومی سه بعدی با لایه های مغناطیسی و با ساختار مکعبی ساده که به دو الکترود فلزی سه بعدی با همان ساختار محدود شده است, در مدل بستگی قوی و روش تابع گرین در فرمول بندی لاندائور مورد بررسی قرار می گیرد.نتایج: در حضور میدان مغناطیسی خارجی ترابرد اسپین های بالا و پایین در کانال های مجزایی صورت می گیرد, الکترون های با اسپین پایین سهم کمتری در ترابرد دارند و میدان الکتریکی به دلیل فرونشانی در اندازه ترابرد باعث کاهش آن می شود.نتیجه گیری: حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی به دلیل تاثیرشان در جهت گیری ممان های مغناطیسی لایه های مغناطیسی, اثرات متفاوتی را نشان می دهد. در حضور میدان مغناطیسی خارجی ممان های مغناطیسی لایه های مغناطیسی هم جهت بوده و پیکربندی فرومغناطیس را به وجود می آورند. در غیاب میدان مغناطیسی خارجی ممان های مغناطیسی لایه های مغناطیسی غیرهم جهت بوده و پیکربندی پادفرومغناطیس را بوجود می آورند. همچنین میدان الکتریکی که در جهت عمودی بر سیم وارد می شود باعث فرونشانی در اندازه ترابرد می شود, این میزان کاهش را می توان به صورث خارجی توسط همین میدان کنترل کرد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    آیینه وند، فاطمه، و کردبچه، امیرحسین. (1389). بررسی ترابرد قطبیده اسپینی در یک نانو کریستال: تاثیرات میدان های الکتریکی و مغناطیسی. علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)، 20(75 (ویژه نامه فیزیک))، 1-10. SID. https://sid.ir/paper/70514/fa

    Vancouver: کپی

    آیینه وند فاطمه، کردبچه امیرحسین. بررسی ترابرد قطبیده اسپینی در یک نانو کریستال: تاثیرات میدان های الکتریکی و مغناطیسی. علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)[Internet]. 1389؛20(75 (ویژه نامه فیزیک)):1-10. Available from: https://sid.ir/paper/70514/fa

    IEEE: کپی

    فاطمه آیینه وند، و امیرحسین کردبچه، “بررسی ترابرد قطبیده اسپینی در یک نانو کریستال: تاثیرات میدان های الکتریکی و مغناطیسی،” علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)، vol. 20، no. 75 (ویژه نامه فیزیک)، pp. 1–10، 1389، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/70514/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button