مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله همایش

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

272
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

87
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله همایش

عنوان

بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند

صفحات

 صفحه شروع | صفحه پایان

کلیدواژه

ثبت نشده است

چکیده

 با استفاده از شبیه سازی مونتو کارلو، مدلی سه ذره ای برای مقایسه خواص ترابرد الکترونها در دو نیمرسانای  InPو GaAs در حضور میدانهای شدید مورد استفاده قرار گرفته است. عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونون ها و اتم های ناخالصی در این شبیه سازی در نظر گرفته شده است. مشخصه های ترابرد الکترونها در دو ماده نشان می دهد که سرعت سوق الکترونها در InP بیشتر ازGaAs  بوده و در میدان الکتریکی بزرگتری رخ می دهد. اشباع سریع سرعت سوق در InP کاربردهای اپتوالکترونی این ماده را پیشنهاد می کند. این محاسبات در توافق خوبی با اندازه گیری های تجربی است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    خلوتی، محمدرضا، و عربشاهی، هادی. (1386). بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند. کنفرانس اپتیک و فوتوتیک ایران. SID. https://sid.ir/paper/810518/fa

    Vancouver: کپی

    خلوتی محمدرضا، عربشاهی هادی. بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند. 1386. Available from: https://sid.ir/paper/810518/fa

    IEEE: کپی

    محمدرضا خلوتی، و هادی عربشاهی، “بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند،” presented at the کنفرانس اپتیک و فوتوتیک ایران. 1386، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/810518/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button