مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله همایش

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

389
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

81
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله همایش

عنوان

بررسی سطح موثر سیلیکون تغییر یافته توسط تپهای لیزر نانو ثانیه در محیط های مختلف

صفحات

 صفحه شروع | صفحه پایان

چکیده

 در این مقاله سطوح تغییر یافته سیلیکون به وسیله تپهای لیزر dN:Yag در محیطهای مختلف (هوا, اتانول و آب) را مورد بررسی قرار می دهیم. جهت ایجاد میکرو ساختارها بر روی سطح سیلیکون از هارمونیک دوم لیزر Nd:Yag با تپهای نانو ثانیه استفاده نموده ایم و توپوگرافی سطوح بوسیله میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) تصویربرداری شده است. در این کار افت و خیزهای ارتفاع سطوح تغییر یافته سیلیکون توسط لیزر با استفاده از روش آماری فرکانس وقوع بررسی شده و سطح موثر برای این سطوح مقایسه می شود. نتایج نشان می دهد که سطح موثر ساختارهای ایجاد شده بر روی سیلیکون در مایعات نسبت به ساختارهای ایجاد شده در هوا افزایش می یابد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    وهابی، مهسا، کریم زاده، روح اله، جعفری، غلامرضا، و منصور، نسترن. (1386). بررسی سطح موثر سیلیکون تغییر یافته توسط تپهای لیزر نانو ثانیه در محیط های مختلف. کنفرانس اپتیک و فوتوتیک ایران. SID. https://sid.ir/paper/810520/fa

    Vancouver: کپی

    وهابی مهسا، کریم زاده روح اله، جعفری غلامرضا، منصور نسترن. بررسی سطح موثر سیلیکون تغییر یافته توسط تپهای لیزر نانو ثانیه در محیط های مختلف. 1386. Available from: https://sid.ir/paper/810520/fa

    IEEE: کپی

    مهسا وهابی، روح اله کریم زاده، غلامرضا جعفری، و نسترن منصور، “بررسی سطح موثر سیلیکون تغییر یافته توسط تپهای لیزر نانو ثانیه در محیط های مختلف،” presented at the کنفرانس اپتیک و فوتوتیک ایران. 1386، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/810520/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button