کنفرانس فیزیک ایران
سال:1385 | دوره:1 |تعداد مقالات:40

با استفاده از یک مدل آماری، تعداد همسایه های اتم Ce در ترکیب Ce(Pd1-xCux)3 برای غلظتهای مختلف محاسبه شد. در این محاسبه با توجه به فرض همگنی کامل، تعداد همسایه های Ce در یک راس مکعب، به عنوان یک متغیر تصادفی در نظر گرفته شده و نتایج این محاسبه برای بررسی اندازه گیری تجربی مقاومت الکتریکی این آلیاژها مورد استفاده قرار داده شده است.

یکی از مشکلات اساسی در ساخت کاتایست نانوذرات TiO2 در دمای بالا، مساله تجمع پذیری آن ها است. برای رهایی از این معضل، یکی از راه ها می تواند به هم ریختن ساختار روتیل و آناتاز TiO2 و انتخاب تمپلیت مناسب، هم چون آمین نوع دوم، در سنتز آن ها باشد. با این روش نانوذرات TiO2 با ساختار نقص شبکه ای در دما 225oC از همه ریزتر خواهد شد برای این منظور از روش های شناسایی XRD، SEM، طیف سنجی رامان، مرئی - فرابنفش، فوتولومینسانس، TGA، TEM بهره جستیم.

در این کار تحقیقاتی نانولوله های کربنی به روش قوس الکتریکی تولید گردیدند، در این روش با ایجاد قوس الکتریکی بین دو میلهی گرافیتی در حضور گاز آرگون و گاز هلیم نمونه هایی در فشارها و جریانهای مختلف ساخته شد، که این نمونه ها توسط تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM و همچنین الگوی پراش XRD مورد شناسایی قرار گرفت، آزمایشها نشان میدهد که میزان تولید نانولوله های کربنی در فشار و جریان 40-45 آمپر و در اتمسفر آرگون بیشترین بوده است.

اخیرا، سولیتونهای کاواک (CSs) در لیزرهای دیودی نشر کننده سطحی با کاواک عمودی (VCSEL) در حالت زیر آستانه لیزرزایی بطور نظری پیش بینی و در تجربه مشاهده شده اند. حذف آدیاباتیک متغیر پلاریزاسیون در بالای آستانه لیزری سبب ناپایداری سیستم خواهد شد. در این مقاله امکان تولید CS در چنین سیستمی با استفاده از مجموعه کامل معادلات دینامیکی مورد مطالعه قرار گرفته است. بهمین منظور جوابهای هموژن و نواحی ناپایدار سیستم تعیین و در گستره وسیعی از مشخصات فیزیکی اثرگذار سیستم بررسی شده اند.

با تهیه محلول آبی تترا ایزوپروپیل تیتانات (TiPT) در شرایط کنترل شده، نانوذرات کریستالی TiO2 در محلول رشد می یابند. این ذرات بدون چسبیدن به یکدیگر به مدت طولانی بصورت معلق در محلول اسیدی باقی می مانند. با قرار دادن زیر لایه های آبدوست مانند الیاف سلولزی در محلول، لایه ای نازک از این ذرات روی سطح آنها و در خلل و فرج آنها لایه نشانی می شود. سپس زیرلایه مورد استفاده حذف می شود و توده ای از نانو ذرات و نانورشته های متخلخل TiO2 با سطح موثر زیاد بدست می آید. این رشته ها دارای ساختار فرکتالی بوده و برای خواص فتوکاتالیستی بسیار مناسبند. این رشته ها تحت تابش نور UV مولکول های آلی آلوده کننده محیط زیست را از بین می برند.

بس لایه های فلزی Cu-Co/Cu از الکترولیتی حاوی سولفات مس و کبالت در حضور H3BO3 بر روی زیر لایه پلی کریستال Ti به روش الکتروانباشت تهیه شدند طیف XRD این بس لایه ها به منظور بررسی ریز ساختار آنها مورد مطالعه قرار گرفت، مشاهده پیک های اقماری در این طیف وجود فصل مشترک تیز بین زوج لایه های  Cuو Co-Cu را بیان می کند. سپس با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM)  خواص سطحی این بس لایه ها نیز مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت.

در ترانزیستورهای اثر میدان ساختارهای نامتجانس AlGaN/GaN ترازهای تله ای سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهای تله ای موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدی و به درین می شوند. وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند. در این مقاله یک مدل تئوری بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهای تله ای لایه AlGaN و نیز جریانهای نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهای تله ای سطحی ارائه شده است. جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاری بسیار خوبی با نتایج تجربی دارد.

در این مقاله اثر مجاورت ابررسانایی در یک ساختار فرومغناطیس حوزه تمیز ای متشکل از دو لایه فرومغناطیس، که مغناطشهایی با آرایش پاد موازی هم دارند، بررسی می شود. با استفاده از رهیافت تابع گرین شبه کلاسیکی توابع پارامتر نظم ابررسانایی و چگالی حالتها را بر حسب پارامترهای مشخصه سیستم محاسبه کرده و نفوذ همبستگی های ابررسانایی را به داخل حوزه های مغناطیسی بررسی می کنیم. نشان داده ایم که در پیکربندی پاد موازی مغناطشها احتمال این امر وجود دارد که پارامتر نظم ابررسانایی در داخل فلز فرومغناطیس با ساختار حوزه ای تقویت گردد.

در اینجا ما یک روش ترکیبی فوتوشیمیایی - شیمیایی را گزارش می کنیم که توانایی کنترل اندازه نانوذرات CdS را با دقت آنگسترومی فراهم می کند. Na2S2O3 به عنوان ماده حساس به نورUV و تیوگلیسرول C3H8O2S به عنوان عامل محدود کننده رشد استفاده شده اند. رشد فوتوشیمیایی نانوذرات CdS به همراه رشد های مختلف بررسی شده است و مدلی برای توجیه فرآیند رشد تاریکی ارایه شده است. در نهایت با استفاده از رشد فوتوشیمیایی و به دنبال آن pH تاریکی آنها در رشد تاریکی ذرات در شرایط خاص اندازه نانوذراتCdS با دقت آنگسترومی کنترل می شود.

در این مقاله، از روش تحلیل طیفی برای تعیین نمایه ضریب شکست موجبرهای صفحه ای استفاده شده است. یک موجبر صفحه ای را می توان به تعدادی لایه فرضی همگن تقسیم کرد و ضرایب عبور و بازتاب را برای کل موجبر با استفاده از روابط ضرایب عبور و بازتاب برای لایه های نازک شبیه سازی کرد. این روش را برای موجبرهای ساخته شده به روش تبادل یون به کار بردیم و با مقایسه طیف های اندازه گیری شده و شبیه سازی شده، نمایه آن ها را تعیین کردیم. برای برازش این دو طیف از الگوریتم ژنتیک استفاده شده است. به علت این که در این روش هم طیف عبوری و هم طیف بازتابی بررسی می شود، این روش توانایی تعیین پاشندگی و همچنین تابع جذب موجبر را دارد.

در این مقاله به بررسی رفتار دینامیکی الگوی جینز - کامینگز در رژیم پاشنده و در حضور یک میدان گرانشی یکنواخت می پردازیم. برای این منظور ابتدا بر اساس جبرsu(2) ، به عنوان گروه تقارن دینامیکی سیستم بر هم کنش اتم - میدان در حدپاشنده و در حضور میدان گرانشی، به استخارج یک هاملیتونی موثر برای سیستم مزبور مبادرت می ورزیم. سپس با تعیین شکل صریح عکلگرد تحول زمانی مربوط، به مطالعه اثر میدان رانشی بر رفتار دینامیکی الگوی جینز - کامینگز خواهیم پرداخت. به ویژه اثر شتاب گرانشی بر ثابت جفت شدگی اتم با میدان تابشی دور کاواک و بسامد گذار اتمی را مورد توجه قرار می دهیم. نشان می دهیم که میدان گرانشی موثر بر اتم علاوه بر بروز یک جابجایی دوپلری در بسامد گذار اتمی، به یک ثابت جفت شدگی وابسته به زمان میان اتم و میدان تابشی می انجامد.

بررسی نقش نیتروژن در آلیاژهای InGaNAs نشان می دهد که با حضور نیتروژن تراز جایگزیده ای در نوار رسانش این نیمه رسانا ایجاد می شود که با آن وارد برهمکنش شده و در اثر دافعه نواری بین آنها، گاف انرژی کاهش می یابد.بررسی نیتروژن به عنوان یک عامل اختلال در سیستم، با استفاده از محاسباتی بر پایه هامیلتونی k.p، حضور دو زیر تراز انرژی شامل E+و E- در نوار رسانش را نشان می دهد که با افزایش غلظت نیتروژن این زیر ترازها از یکدیگر دور می شوند.همچنین در این گزارش اثرات فوق به طور تجربی واز طریق مطالعات طیف نمایی فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است و به نقش جایگزیدگی در اثر حضور نیتروژن نیز اشاره شده است که عدم تقارن طیفهای فتولومینسانس مخصوصا در دماهای پایین نشانه آشکاری از این اثر می باشد. علاوه بر این، اثر دما نیز در کاهش گاف نواری مورد بررسی قرار گرفته است.

در فیبرهای آغشته به اریبون با چگالی بالا یونهای اربیوم در فاصله نزدیک از یکدیگر قرار گرفته و باعث ایجاد زوج یونها و خوشه ها می شود. زوج یونها و خوشه ها همانند یک جاذب اشباع شونده که در طول محیط فعال توزیع شده اند عمل می نماید. در مدلبندی تئوری این سیستم از مدل غیر همگن کابزاس برای نوشتن معادلات آهنگ تحول زمانی جمعیت معکوس و معادلات انتشار در محیط تقویت کننده استفاده شده است. برای حل این مدل در حالت کلی تعداد ناشمارایی معادلات دیفرانسیل با مشتقات جزیی داریم که برای اولین بار با استفاده از روشی به نام ممان توانسته ایم این معادلا را به تعداد شمارایی معادله دیفرانسییل معمولی تبدیل کرده و سپس با حل این معادلات آثار افزایش غلظت یون اربیوم آلاییده را بررسی کنیم که با نتایج تجربی مطابقت دارد.

در این مقاله اثر ساختار ریز تراز پایه، بر طیف گسیل خودبخودی و جذب - پاشندگی اتم چهار ترازی واقع در بلور فوتونیک مطالعه می شود. در مدل بکار رفته فرض بر این است که گذار از تراز بالایی اتم به یکی از ترازهای پایینی که حاوی ساختار ریز است در نزدیکی لبه گاف باند فوتونیکی صورت می گیرد و گذار از تراز بالایی به تراز پایینی دیگر که طیف گسیل خودبخودی و همچنین جذب و پاشندگی در آن مدنظر است در فضای آزاد رخ می دهد. نشان داده می شود که با تنظیم فاصله ترازهای ساختار ریز، می توان طیف گسیل خودبخودی، و همچنین طیف جذب و پاشندگی باریکه کاوشگر را کنترل کرد.

این مقاله بر پایه اندازه گیری های ازمایشگاهی توسط روش مشخصه یابی فتولومینسانس و فتولومینسانس وابسته به زمان قرار دارد. وابستگی دمایی S-Shape پیک منحنی فتولومینسانس بیانگر بازترکیب از حالت های جایگزیده در دماهای پایین می باشد. همچنین مطالعات وابسته به زمان نشاندهنده شیفت پیک منحنی فتولومینسانس در طی زمان است. با مقایسه نتایج آزمایشگاهی و محاسبات تئوری میدان پیزوالکتریک در نمونه چاه کوانتمی با پهنای 3nm در حدود 48MV/m تخمین زده می شود.

در این پژوهش نمونه های نانوذرات طلا، نقره و مس در مایع های مختلف به روش کندوسوز لیزر پالسی نئودیمیم یاگ ساخته شدند. با مشاهدات TEM اندازه و توزیع ذرات در محدوده نانومتر تعیین گردید. خواص نوری نانو ذرات در محیط های آبی، استن و اتانول با استفاده از اندازه گیری طیفهای خاموشی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داده است که با استفاده از مایع های با گشتاور دوقطبی مولکولی زیاد مانند استن می توان ذرات ریزتر با پایداری بهتری ساخت. محیط کندوسوز هم می تواند در ترکیب نانوذرات موثر باشد. برای مثال استفاده از آب می تواند به اکسایش نانوذرات منجر شده و روش مناسبی را برای ساخت برخی نانوذرات اکسیدی فراهم آورد.

تاثیر برهم کنش های پیوند هیدروژنی بر تانسورهای شیب میدان الکتریکی هسته های 17O و 14N در ساختار کریستالی تیمین به روش محاسباتی نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفت. برای این منظور یک مجموعه پنج مولکولی با داده های کریستالوگرافی اشعه ایکس آماده شد تا تاثیرات برهم کنش های پیوند هیدروژنی بر روی مولکول مرکزی لحاظ گردد. برای انجام محاسبات از روش B3LYP و مجموعه پایه6-311++G**  استفاده شده است. نتایج محاسبه شده حکایت از آن دارند که مولکول مرکزی در ساختار پنج تایی با دو نوع برهم کنش پیوند هیدروژنی N-H…O)  و (C-H…O درگیر می باشد. برهم کنش قوی N-H…O بر تانسورهای شیب میدان الکتریکی هسته های O-2،  N-1و N-3 تاثیر عمده ای دارد و برهم کنش C-H…O نیز بر تانسور شیب میدان الکتریکی هسته O-4 تاثیر می گذارد.

در این مقاله به طراحی و ساخت یک دستگاه لیزر بخار فلز دوتائی طلا - مس، برای نخستین بار در ایران، پرداخته ایم. توان الکتریکی ورودی در حدود 2.8kW بسامد دمش 17.5kHz و بیشینه متوسط توان خروجی بدست آمده برای سه طول موج 510.6 و 578.2 و 627.8 نانومتر بطور همزمان و در حالت گاز بسته به میزان 12W، به دست آمد. سرامیک استفاده شده از جنس آلومینای با خلوص بالاو دارای قطر داخلی 1.7 و طول 100 سانتیمتر می باشد.

با استفاده از مبانی نظری سالیتونهای اپتیکی، معادلات غیر خطی حاکم بر سالیتونهای نورشکستی پوششی نورولتاژی یک بعدی معرفی می شود و به کمک روش های عددی تابع توزیع شدت سالیتونی، نحوه تغییرات ضریب شکست محیط و پایداری آن بررسی می شود. همچنین اثر خود - خمشی سالیتون با در نظر گرفتن اثر دما مورد مطالعه قرار می گیرد. بر اساس مدل ارائه شده برهمکنش ناهمدوس میان سالیتونها با در نظر گرفتن فاصله جدایی مختلف میان آنها در یک بعد بررسی می شود.

در این مقاله ساخت نانولوله های کربنی عمودی رشدیافته و محصور شده در اکسید تیتانیوم و عملکرد گسیل الکترونی آنها ارایه می شود. رشد نانولوله های کربنی به وش DC-PECVD و با مخلوطی از گازهای استیلن و هیدروژن و در حضور نیکل به عنوان کاتالیست صورت گرفته است. اکسید تیتانیم به روش لایه نشانی بخار شیمیایی در فشار اتمسفرو به منظور کپسوله کردن نانولوله های کربنی و بهبود خواص فیزیکی آنها لایه نشانی شده است. این ساختارها با استفاده از میکروسکپ الکترونی روبشی بررسی شده اند. الکترون گسیلی اندازه گیری و نمایشگر گسیل میدانی اولیه ای ساخته شده است.

نمونه های ابررسانای ErBa2-xKxCu3O7-d به روش حالت جامد برای مقادیر 0.6، 0.4، 0.2، 0.1، 0.05،x = 0  با شرایط پخت یکسان ساخته شدند. دمای گذار (TC)، چگالی جریان بحرانی (JC)، ترموپاور در دمای اتاق (S)، ضریب اکسیژن و پارامترهای شبکه نمونه ها اندازه گیری شدند. نتایج نشان می دهند که با افزایش میزان پتاسیم، دمای گذار نمونه ها کاهش می یابد ولی این روند منظم نیست. با توجه به نتایج بدست آمده، علت کاهش TC، خروج اکسیژن از نمونه های ابررسانا با افزایش پتاسیم بوده است. برای رفع این مشکل، نمونه ها به مدت 18 ساعت اکسیژن دهی شدند که این امر افزایش TC تمامی نمونه های آلائیده با پتاسیم را به دنبال داشت.

اندازه گیری اثر هال در حالت بهنجار و ابررسانایی نمونه (0<x<0.2) Gd(Ba2-xNdx)Cu3O7 انجام شده است. در حالت بهنجار رفتار1/T برای RH این نمونه مشاهده شده است که چنین رفتاری در اکثر خانواده ابررسانا مشاهده می شود. در فاز ابررسانایی مساله تغییر علامت مورد بررسی قرار گرفته است و مشخص شد که نمونه با آلایش 0.1 در توافق خوبی با تئوری ارائه شده توسط Kopnin و Dorsey است. که مطابق آن رسانش هال، sxy، را در حالت گردشاری حاصل جمع دو قسمت،snxy رسانندگی حالت بهنجار، که از ناحیه بهنجار در مغزه گردشاره سرچشمه می گیرد و متناسب با H است، و رسانش حالت گردشاری svxy که از حالت گردشاره ها ناشی می گردد و متناسب با1/H است، می دانند.

خواص ساختاری و الکتریکی ترکیبات GdBa2Cu3-xCrxO7-d با آلایشهای (0£x£0.3) مطالعه گردیده است. آنالیز ریتولد بر روی طیف اشعه x مواد با آلایشهای مختلف انجام و نتایج آن بررسی گردیده است. کاهش یافته است، با افزایش میزان آلایش، دمای گذار از 92oK برای x=0 به 22oK برای x=0.3 کاهش یافته است. که نشان دهنده تاثیر شدید این جانشینی بر حالت ابررسانایی ماده دارد. دو احتمال جانشینی در صفحه یا زنجیره، برای این تخریب شدید مطرح شده و مورد بررسی قرار گرفته اند.

در این مقاله، با استفاده از نظریه تابعی چگالی، معادلات خود سازگار لنگ - کوهن را در الگوی ژله ای برای سطوح فلزات ساده آلومینیوم، لیتیوم، سدیم، پتاسیم، و سزیم حل کرده و چگالی حالت پایه الکترونی، تابع کار و اندازه سد دوقطبی را برای آنها محاسبه کرده ایم. نتایج محاسبات ما توافق بسیار خوبی با نتایج محاسبات لنگ - کوهن دارد.

در این مطالعه، سیلیکن متخلخل بر روی پایه سیلیکن نوع p+ ساخته شد و سطح توسط میکروسکوپ نیرو اتمی مشاهده گردید. این مشاهدات حاکی از آن است که بر روی سطح، دیواره هایی از سیلیکن به قطر 20 تا 30 نانومتر بر جای مانده و حفره هایی به قطر تقریبی 20 نانومتر به وجود آمده اند. رسانایی الکتریکی نمونه ها در برابر چند درصد متانول به اندازه چند مرتبه بزرگی تغییر می کند و نتایج طیف سنجی تونلی - روبشی از نمونه ها نشان می دهد که حضور متانول موجب افزایش بسیاری در چگالی حالتهای الکترونی به خصوص در شکاف انرژی می شود. علاوه بر این حضور نور و نور به همراه متانول نیز به طور موثری جریان تونلی را افزایش می دهد.

این مقاله در مورد پاسخ میکرورینگ به یک پالس با در نظر گرفتن اثر جذب دو فوتونی و اثر کر می پردازیم. تغییرات میدان در زمان یک دور حلقه کوچک فرض شده و معادلات دیفرانسیل شرایط مرزی با یک معادله غیرخطی تقریب زده شده است. یک سیستم از معادلات دیفرانسیل غیر خطی با در نظر گرفتن جذب دو فوتونی، اثر کر برای بررسی شدت میدان خروجی از موجبر مستقیم کوپل شده با یک میکرورینگ با شکل گوسی در نظر گرفته شده است. نتایج پیش بینی شده در توافق خوبی با نتایج منتشره می باشد.

در این مقاله پاسخ کر A.C. و همچنین رفتارهای پیش گذار یک نوع مخلوط اوتکتیک بلور مایع نماتیکی و همچنین بلور مایع نماتیکی5CB  به منظور کالیبراسیون، در دماهای بالای دمای گذار فاز همسانگرد به نماتیک (TNI) و در نزدیکی آن بررسی شده است. ثوابت کر به دست آمده، قابل مقایسه با مقادیر متناظر با بلور مایع 5CB می باشد. دمای پیش گذار نمونه ها به روش برون یابی داده های تجربی تعیین شده اند. نتایج تجربی به دست آمده در توافق خوبی با تئوری لاندا - دوژن می باشد.

دراین مقاله به طراحی و عملکرد لیزر گازکربنیک پیوسته باجریان محوری سریع گاز با توان اپتیکی 800 وات با واگرایی 1.5 میلی رادیان اشاره شده است. این لیزربا منبع تغذیه سوییچینگ تحریک شده و دارای بازدهی اپتیکی 17% می باشد.

در این مقاله، با استفاده از تابعی تبادلی وابسته به اوربیتال، پتانسیل موثر بهینه را با استفاده از روش تکراری ساده به دست آورده ایم. با این روش، معادلات خودسازگار کوهن - شم را برای خوشه های فلزی ساده دارای لایه های کامل آلومینیوم، لیتیوم، سدیم، پتاسیم، و سزیم در چارچوب الگوی ژله ای حل کرده و انرژی حالت پایه آنها را محاسبه کرده ایم. نتایج محاسبات ما توافق بسیار خوبی با نتایج دیگران، که از روش متفاوت استفاده کرده اند، دارد.

در این مقاله ضمن طراحی و برپایی یک لیزر -Q Nd:YAG سوئیچ شده توسط کریستال Cr4+:YAG به منظور دستیابی به پرتو خروجی مورد نظر (انرژی 250mj در هر پالس، پهنای پالس 10ns و کیفیت پرتو مناسب) به شبیه سازی این سیستم بوسیله یک نرم افزار قوی طراحی و آنالیز سیستمهای لیزری پرداخته شده است. برای اطمینان از موفقیت آمیز بودن فرایند شبیه سازی، توزیع شدت در سطح مقطع پرتو خروجی این لیزر پالسی با توزیع شدت حاصل از عملیات شبیه سازی در دو حالت میدان نزدیک و میدان دور مورد مقایسه قرار گرفته اند.

از آنجا که برای ترکیب Gd3In یک ساختار کریستالی مخلوط با ترکیب Gd2In گزارش شده و از سوی دیگر برای آن هیچگونه فاز مغناطیسی مشخصی گزارش نشده، اقدام به ساخت و بررسی ساختار کریسنالی و فاز مغناطیسی این ترکیب شد. با استفاده از طیف ساختار XRD، ساختار کریستالی این ترکیب را مشخص شد. ساختار کریستالی مکعبی، به عنوان ساختار کریستالی این ترکیب گزارش می شود. همچنین اندازه گیری پذیرفتاری نشان می دهد که نظام فرو مغناطیس پایدارترین فاز مغناطیسی مربوط به این ترکیب می باشد.

یکی از مشکلات عمده در ساخت افزاره های نانومتری کنترل پذیری پایین این افزاره ها، چه در مراحل ساخت و چه در مراحل اندازه گیری است، لذا در این مقاله با حل تحلیلی معادلات حاکم بر افزاره ساخته شده با نانولوله های کربنی توانستیم شرایط مناسب جهت ساخت آن را فراهم کنیم و رفتار آن را با توجه به مدل که ارائه خواهد شد، بهینه سازی کنیم. مساله مهمی که وجود دارد رفتار کوانتمی جالبی است که افزاره های نانومتری در این ابعاد از خود نشان می دهند.

در این مقاله، تاثیر آلایش اکسید نیکل NiO بر خواص ساختاری، مغناطیسی و ترابردی ترکیب La.8Sr.2MnO3 مورد بررسی قرار گرفته است. نمونه ها به روش واکنش حالت جامد تهیه شدند. نتایج نشان می دهند که با افزایش میزان آلا یش بخشی از اکسید نیکل وارد ساختار شده که این منجر به تضعیف پدیده تبادل دو گانه می شود و باقیمانده به صورت یک فاز جداگانه در مرز دانه ها قرار می گیرد. حضور NiO در مرز دانه ها بی نظمی های مغناطیسی را در سطح دانه تاثیر افزایش داده است، در نتیجه دمای گذار و مغناطش نمونه ها کاهش پیدا کرده و همزمان مقاومت نمونه ها افزایش می یابد نتایج نشان می دهد آلایشNiO ها تاثیر زیادی در مقدار غناطو مقاومت با میدان های ضعیف (LFMR) دارد. در میدان مغناطیسی 50000 اورستد، مغناطو مقاومت نمونه با آلایش x=3 w% بیشترین مقدار را دارا است.

در این مقاله گذار فاز فلز - عایق برای زنجیر یک بعدی در مدل سه تایی اندرسون با بی نظمی همبسته بلند برد را مطالعه کرده و نشان می دهیم که آلیاژ سه تایی در صورت وجود همبستگی بلند برد میان انرژی های جایگاهی آن، گذار فاز فلز - عایق می دهد. سپس یک پارامتر نظم تعریف کرده و مقدار بحرانی آن را برای گذار فاز سیستم به ازای هر نمای همبستگی بدست می آوریم. به این روش نشان می دهیم که مدل سه تایی آلیاژی در مقایسه با مدل دوتایی آلیاژی برای گذار فاز به همبستگی ضعیف تری نیاز دارد. درآخر نمودار فضای فازی را رسم می کنیم که حالت های گسترده را از حالت های جایگزیده جدا می کند.

تمایل مولکولهای بلورهای مایع برای سمت گیری در جهت خاص، هنگامی که در تماس با دیواره ظرف یا فصل مشترک قرارمی گیرند، آنکورینگ نام دارد. بسته به جهت گیری غالب مولکولهای مایع، این پدیده صفحه ای، مایل و عمود بر فصل مشترک نامیده می شود. نظریه تابعی چگالی تصحیح شده ریکیزن موسوم به مدل جهت دار محدود (ROM) را برای مطالعه نظری پدیده آنکورینگ مولکولهای مدل هم پوشانی گائوسی سخت(HGO) با طول به پهنای  k=3به کاربرده و پروفیل چگالی مایع را با نتایج شبیه سازی مونت کارلو مقایسه کرده ایم.

در این مقاله، با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش ابتدا به ساکن، تابع کار سطح (100) آلومینیوم محاسبه شده و سپس تغییرات تابع کار را در اثر نشاندن لایه های اتم طلا بر زیرلایه آلومینیوم بررسی کرده ایم. نتیجه محاسبات نشان می دهد که با نشاندن حداقل چهار لایه اتمی، تابع کار طلا را خواهیم داشت. بنابراین اگر تعداد لایه ها را یکی یکی افزایش دهیم، تابع کار به تدریج از مقدار 4.27 الکترون ولت به 5.47 الکترون ولت تغییر می یابد.

در این کار لایه نازک پلاتین به ضخامت 500nm به روش الکتروانباشت که روشی ارزان و در دسترس است روی زیرلایه طلا رشد داده شد. پارامتری که تاثیر آن بر روی ساختار سطح، بررسی شد، چگالی جریان انباشت (که متناظر با آهنگ انباشت است) می باشد. سپس ریشهی میانگین مربعی زبری (w) و همچنین مرتبه زبری (a) اندازهگیری و برای نمونه های مختلف مقایسه شد که به کمک آن چگونگی تغییر w و a با تغییر آهنگ انباشت حاصل گردید. مشخص شد که w با افزایش آهنگ انباشت، افزایش می یابد؛ که نشان دهنده افزایش تغییرات ارتفاع نقاط مختلف نسبت به یک سطح مرجع و در نتیجه زبر شدن آن است. همچنین a نیز با افزایش آهنگ انباشت افزایش می یابد که نشان دهندهی «ملایم» شدن تغییرات ارتفاع برای نقاط همسایه و در نتیجه موجی شدن سطح است.

آلیاژ هویسلر Co2Cr0.5Fe0.5Al به علت داشتن خاصیت نیم فلزی، اخیراَ مورد توجه بسیاری از محققان علوم و فناوری اسپینترونیک قرار گرفته است. در این مقاله، را در حالت Co2Cr0.5Fe0.5Al ما با استفاده از محاسبات اولیه کوانتومی در چارچوب نظریه تابعی چگالی اسپینی، ابتدا خواص الکترونی و مغناطیسی آلیاژ هویسلر پرداخته ایم. نتایج به دست آمده، ضمن تایید رفتار نیم فلزی در GaAs انبوهه مورد بررسی قرار داده ایم و سپس به مطالعه خواص مرز مشترک آن با نیم رسانای حالت انبوهه، نشان می دهد که در مرز مشترک به دلیل پیدایش حالت های سطحی خاصیت نیم فلزی از بین می رود.

در این تحقیق ضمن ساخت یک لیزر هالیدمس ازنوع برمید مس، تاثیر پارامترهای دمای مخزن، فشار گاز کمکی، توان الکتریکی ورودی و فرکانس کاری بر روی توان خروجی لیزر مورد بررسی قرار گرفته است. شرایط بهینه برای عملکرد لیزر فوق از طریق آزمایش های تجربی تعیین گردیده اند که عبارتند از دمای مخزن 490oC، فشار گاز کمکی 50torr، توان الکتریکی ورودی 600watt و فرکانس 23kHz از این لیزر حداکثر توان خروجی 4watt حاصل گردید.

سیستم CdO/Psi/Si به کمک اندایز کردن الکتروشیمیایی پایه سیلیکن کریستالی نوع P+ و لایه نشانی لایه اکسید کادمیم به روش لیزر پالسی، ساخته شد. سپس نمونه ها در هوا و در دمای 500oC پخت شدند. طیف عبور اپتیکی نمونه ها نشان داد که با انجام عملیات پخت بر میزان عبور اپتیکی لایه اکسیید کادمیم به میزان قابل توجهی افزوده میگردد.نتایج آزمایش XRD نشان داد که ساختار لایه CdO پلی کریستالی با اندازه مرز دانه های حدود25nm  است. بررسی منحنی I-V نمونه های CdO/PSi/Si نشان داد که با تابش نور، جریان گذرنده از نمونه در بایاس معکوس افزایش قابل توجهی را نشان می دهد. همچنین خواص حسگری نمونه ها مانند سرعت پاسخ و حساسیت مورد اندازه گیری قرار گرفت. نتایج نشان داد که این سیستم می تواند به عنوان حسگر نوری با حساسیت و سرعت پاسخ خوب مورد استفاده قرار گیرد.