مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله همایش

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

261
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

157
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله همایش

عنوان

بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N / GaN

صفحات

 صفحه شروع | صفحه پایان

کلیدواژه

ثبت نشده است

چکیده

 در ترانزیستورهای اثر میدان ساختارهای نامتجانس AlGaN/GaN ترازهای تله ای سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهای تله ای موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدی و به درین می شوند. وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند. در این مقاله یک مدل تئوری بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهای تله ای لایه AlGaN و نیز جریانهای نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهای تله ای سطحی ارائه شده است. جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاری بسیار خوبی با نتایج تجربی دارد.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.
  • استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    کارآمد، محمدرضا، عسگری، اصغر، و کلافی، منوچهر. (1385). بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N / GaN. کنفرانس فیزیک ایران. SID. https://sid.ir/paper/812894/fa

    Vancouver: کپی

    کارآمد محمدرضا، عسگری اصغر، کلافی منوچهر. بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N / GaN. 1385. Available from: https://sid.ir/paper/812894/fa

    IEEE: کپی

    محمدرضا کارآمد، اصغر عسگری، و منوچهر کلافی، “بررسی اثر ترازهای تله ای بر جریان گیت ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N / GaN،” presented at the کنفرانس فیزیک ایران. 1385، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/812894/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button