پژوهش فیزیک ایران
سال:1398 | دوره:19 | شماره:1 |تعداد مقالات:26

هدف از انجام این پژوهش دستیابی به فناوری ساخت ابزارهای الحاقی است. نمونه آزمایشگاهی آندولاتوری با دوره mm 48 و بیشینه میدان مغناطیسیT 0/75 با استفاده از آهنرباهای دائمی NdFeB-SH35 با همکاری پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای و چشمه نور ایران طراحی و ساخته شد. طول آندولاتور mm 483 و تعداد دوره آن 8 عدد است. کمیت های مغناطیسی آندولاتور به منظور دستیابی به هماهنگ های اول و سوم تعیین می شوند. انرژی فوتون تولیدی باید محدوده eV 260 تا eV 2000 را پوشش دهد. به منظور کنترل نیروی جاذبه قوی مغناطیسی بین فک های بالا و پائینی آندولاتور، سازوکار مکانیکی خاصی طراحی و ساخته شد. منابع خطا در میدان مغناطیسی مورد بحث قرار گرفته است. سهم خطاها در میدان مغناطیسی آندولاتور اندازه گیری و اثر آنها بر شدت هماهنگ ها مطالعه شده است. خطای میانگین مجذور مربعی شدت میدان نهایی0/4درصد به دست آمد و شدت هماهنگ های اول و سوم در حضور میدان مغناطیسی واقعی بیش از هشتاد درصد مقدار ایده ال به دست آمد.

در این کار، ابتدا انرژی تشکیل نقص تهی جای اکسیژن در ساختارهای 2TiO آناتاز و روتیل، در اثر جایگزینی Ti با فلزهای 3d، مورد بررسی قرار گرفت. سپس اثر همزمان ناخالصی فلزهای واسطه 3d و نقص تهی جای اکسیژن روی پایداری آناتاز نسبت به روتیل و همچنین ساختار الکترونی آنها مطالعه شد. محاسبه های سامانمند انرژی شکل گیری، پایداری بلوریی، ساختار نواری و چگالی حالتهای الکترونی نمونه های 2TiO آناتاز و روتیل آلائیده به فلزهای واسطه 3d همراه با نقص اکسیژن و نیز بدون نقص اکسیژن، با استفاده از FHI-aims، که یک بسته نرم افزاری بر پایه نظریه تابعی چگالی توسعه یافته است، انجام شده اند. نتیجه های این پژوهش نشان داد که ناخالصی های کاتیونی جایگزین شده می توانند بر انرژی تشکیل نقص تهی جای اکسیژن اثر قابل ملاحظه ای بگذارند به گونه ای که همه ناخاصی ها به جز Mn و Zn انرژی تشکیل نقص تهی جای اکسیژن را به گونه قابل توجهی کاهش دادند که خود عامل افزایش غلظت نقص و در نتیجه افزایش فعالیت فوتوکاتالیزگری است. همچنین محاسبه های این پژوهش نشان می دهند که از میان همه ناخاصی ها، تنها Fe می تواند در حضور نقص اکسیژن، از استحاله آناتاز به روتیل جلوگیری کند. تجزیه و تحلیل نتایج محاسبه های ساختار نواری و چگالی حالت های الکترونی ساختارها نشان می دهد که حضور نقص تهی جای اکسیژن در هر دو ساختار آناتاز و روتیل، علاوه بر ایجاد ترازهای پر در زیر نوار هدایت که منجر به بروز نیمه هادی از نوع n می شود، گاف انرژی را نیز افزایش می دهد. همچنین همزمان با نقص تهی جای اکسیژن، عناصر واسطه 3d جایگزین شده، ترازهای ناخالصی ایجاد می-کنند که با روند منظمی از نوار هدایت به سمت نوار ظرفیت با افزایش عدد اتمی ناخالصی جابه جا می شوند. در اینجا، با عناصرFe, Ni, Co و Cu ترازهای ناخالصی در وسط گاف نواری ظاهر می شوند که باعث گسترش ناحیه برانگیختگی به سمت مرئی خواهند شد. آنالیز محاسبه های چگالی حالت های الکترونی جزیی نشان می دهد که اوربیتال های 3d عناصر واسطه سهم اصلی را در ترازهای ناخالصی دارند.

در این مقاله، چیدمان یک حسگر تار نوری چند مود به منظور سنجش گلوکز در محلول آبی معرفی و عملکرد آن بررسی خواهد شد. اساس کار این حسگر مبتنی بر بازتاب فرنل است. در این چیدمان از لیزر گازی هلیوم– نئون به عنوان منبع نور، سنجه تار نوری، فوتوسل به عنوان آشکارساز نوری و دستگاه مولتی متر دیجیتالی استفاده شده است. تحلیل آماری داده های ثبت شده، رفتار بسیار خطی این حسگر تار نوری را در محدوده غلظت های 2 تا 25 میلی-مولار از محلول گلوکز نشان می دهد. حساسیت و حد تشخیص این حسگر تار نوری به ترتیب mV/mM 11. 4 و mM 2. 5 است.

در این مقاله خواص ساختاری و الکترونی بلور مکعبی ترکیب 3PbTiO با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفته اند. محاسبات مربوط به ساختار نواری و چگالی حالت ها با استفاده از تابعی TB-mBJ و با در نظر گرفتن برهم کنش نسبیتی اسپین-مدار انجام شده اند. نتایج به دست آمده از تابعی TB-mBJ و برهم کنش نسبیتی اسپین-مدار نشان می دهند که گاف نواری محاسبه شده برابر 2/18 eV است. با به کارگیری تقریب های PBE-GGA، PBEsol-GGA، LDA، 91BPW، Engel-Vosko و WC-GGA و با استفاده از بسته محاسباتی جدید IRelast با قابلیت محاسبه ثابت های کشسانی ساختارهای بلوری که به تازگی به کدk WIEN 2اضافه شده است، به محاسبه مقادیر ثابت های کشسانی این بلور پرداخته و با کمک آنها، سایر پارامترهای مرتبط همچون ثابت برشی، مدول حجمی، مدول یانگ و نسبت پواسون را محاسبه کرده ایم. همچنین، ضریب شکل پذیری را نیز برای این ترکیب محاسبه کرده ایم. ضریب شکل پذیری محاسبه شده نشان می دهد که بلور مورد نظر شکننده نیست و شکل پذیر است. بررسی اثر فشار روی ثابت های کشسانی نشان می دهد که هر سه ثابت کشسانی 11C، 12C و 44C با افزایش فشار در بازه در نظر گرفته شده افزایش می یابند. همچنین، سرعت های صوت طولی و عرضی با استفاده از ثابت های کشسانی برای این بلور محاسبه شده اند. نتایج نشان می دهند که سرعت های صوت نیز همانند ثابت های کشسانی با افزایش فشار افزایش می یابند.

در این پژوهش، در ابتدا با استفاده از محاسبات اصول اولیه و در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ساختار الکترونی نانونوارهای دسته مبلی سیلیسینی به ازای پهناهای مختلف، مورد بررسی قرار می گیرد. نتایج حاصل از ساختار نواری نانونوارهای دسته مبلی، وجود یک گاف نواری مستقیم را نشان می دهد، که با افزایش پهنای نانونوار به صورت نوسانی کاهش می یابد. در توصیف دلایل اصلی مؤثر در نظم الکتریکی و مغناطیسی مواد و همچنین در شدت اثرات همبستگی الکترونی، برهم کنش کولنی مؤثر میان الکترون های موضعی، نقش اساسی را ایفا می کند. بدین منظور در ادامه پوشش دهی برهم کنش کولنی را با استفاده از محاسبات اصول اولیه و تقریب فاز تصادفی مقید (cRPA) در نانونوارهای دسته مبلی سیلیسینی بررسی نموده و مقادیر کمیت های برهم کنش کولنی مؤثر (U هابارد) را برای آنها مورد محاسبه قرار می دهیم. مقادیر این کمیت ها برای نانونوارهای دسته مبلی سیلیسینی، قابل توجه بوده و بیشتر از سیلیسین اولیه است، که دلالت بر شدت اثرات همبستگی الکترونی در آنها دارد. با توجه به شدت اثرات محدودیت کوانتومی متفاوت در این دسته از نانونوارها، مقادیر کمیت های برهم کنش کولنی مؤثر درون-جایگاهی، مشابه نتایج حاصل از ساختار نواری آنها بوده و با افزایش پهنای نانونوار به طور نوسانی کاهش می یابد. از طرفی به ازای اتم های موجود در لبه های نانونوار، کمیت های برهم کنش کولنی مؤثر درون-جایگاهی، مقادیر بیشتری را نسبت به اتم های درونی داشته، که نشان دهنده پوشش دهی کمتر برهم کنش کولنی میان الکترون های موضعی، در لبه های نانونوار است. در پایان نتایج حاصل از بررسی کمیت های برهم کنش کولنی مؤثر برون جایگاهی، نشان می دهند که برهم کنش کولنی در فواصل کوتاه، به طور ضعیف پوشش داده شده و در فواصل دورتر در حدود 12 آنگستروم پوشش داده نمی شود، که با محاسبات اصول اولیه صورت گرفته در مورد دستگاه هایی با ابعاد پایین، مطابقت دارد. این پوشش دهی کم به طور خاص در فواصل دورتر، می تواند وجود تصحیحات شبه ذره ای قابل توجه در تقریب GW و انرژی پیوندی اکسیتونی بزرگ را در نانونوارهای دسته مبلی سیلیسینی توضیح دهد.

امروزه ارزیابی ذخائر هیدروکربنی از اهمیت زیادی برخوردار هستند، بنابراین لازم است این منابع با دقت بیشتری مورد اکتشاف و ارزیابی قرار گیرند. یکی از این روش ها، چاه پیمایی است که با فرستادن یک ابزار اندازه گیری به درون گمانه به اندازه گیری یک یا چند مشخصه سازند می پردازد. ابزارهای اندازه گیری در چاه پیمایی هسته ای شامل چشمه پرتوزا و آشکارساز هستند. در این مقاله با استفاده از شبیه سازی با کد مونت کارلوی2/6MCNPX، زاویه بهینه تابش (نسبت به محور افقی مختصات) ذرات از چشمه نوترونی امرسیوم-بریلیم به درون سازند کلسیت به منظور دستیابی به بالاترین دقت ممکن برای تعیین تخلخل آبی سازند مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که زاویه گسیل 20 درجه علاوه بر دقت بالا (تفکیک تخلخل 3 درصد) به دلیل افزایش آمار شمارش در آشکارسازها بدون تغییر محسوس در عمق نفوذ، باعث افزایش سرعت ابزار در نمونه برداری خواهد شد.

این مقاله نتایج مطالعه دقیق بر روی رفتار مغناطیسی نانوذرات آلیاژی هویسلر Co2FeAl که به روش هم رسوبی سنتز شده را نشان می دهد. برای این کار از منحنی های مرتبه اول بازگشتی یا FORC استفاده شد. نتایج به دست آمده از این آنالیز نشان داد که آلیاژ تهیه شده مخلوطی از دانه های با وادارندگی پایین (~0 Hc ) و دانه های تک حوزه با وادارندگی بالا می باشد. کشیدگی نمودار FORC در راستای محور Hc نشان دهنده وجود یک توزیع گسترده اندازه دانه در محصول می باشد. نانوذراتی کروی شکل با توزیع اندازه ذرات بین 30 تا 90 نانومتر در تصاویر SEM و TEM نمونه مشاهده شد. مشخص شد بیشترین مقدار مغناطش اشباع (emu/g 91/5) و بیشترین وادارندگی (Oe 487) متعلق به نمونه بازپخت شده تا دمای ˚ C 700 با آهنگ افزایش دمای ˚ C/min10 می باشد.

در این مقاله، فرآیند کندوسوز از سطح فلز مس با استفاده لیزرهای پالسی نانوثانیه مورد مطالعه قرار گرفته است. رفتار دینامیکی پلاسمای تشکیل شده درون محیط گازی هلیوم با فشار یک اتمسفر به کمک یک پالس لیزری ns 5 و طول موج nm 1064 و شدت لیزر 2-W/cm1010× 7 در قالب یک مدل گرمایی یک بعدی بررسی شده است. نتایج عددی نشان می دهند که با لحاظ کردن یونش و جذب لیزر در پلوم پلاسمایی، دینامیک پلوم به شدت تحت تأثیر قرار می گیرد. یونش در سطح مس حتی در هنگام اثر پالس لیزر افزایش می یابد. از طرفی، درجه یونش مس و هلیوم برحسب موقعیت در پلوم به شدت تغییر می کند. همچنین، برای محدوده ای از شدت های لیزری2-W/cm109×5 تا 2-W/cm108، هیچ کندوسوزی اتفاق نمی افتد و آستانه کندوسوز2-W/cm109×5 است. در نزدیکی سطح هدف و لایه مخلوط، فرآیند یونش مرتبه اول مس غالب است. از طرفی، در هسته پلاسما، فرآیند یونش مرتبه دوم مس غالب است. مشاهده شده است که نزدیک سطح مس، همواره یونش نوری و جذب برم اشترلانگ معکوس الکترون – خنثی از اهمیت بالاتری برخوردار است. علاوه بر این، رفتار دمایی هدف، اعم از عمق مذاب، عمق تبخیر و نرخ تبخیر، سپس تشکیل پلاسما و دینامیک های آن، مانند چگالی پلاسما، چگالی گاز هلیوم، سرعت انبساط، دمای پلاسما و شدت لیزر نهایی که به سطح هدف می رسد، مورد مطالعه قرار گرفته است.

در این پژوهش، با استفاده از روش امواج تخت در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ضرایب مستقل کشسانی، تنش و کرنش پیزوالکتریک در دو حالت یون منجمد و یون واهلش برای هفت مورد از ترکیبات دو بعدی پایدار XY (X: B, Al, Ga, In; Y: N, P, As, Sb) با ساختار شش گوشی محاسبه شده اند. محاسبات ضرایب از روش های نظریه تابعی چگالی اختلالی(DFPT) و تغییرات معین (FD) با توافق بسیار خوب صورت گرفته است. در نتایج نشان داده شده است که هفت ترکیب GaN, AlN, BSb, BAs, BP, BN و InN ساختاری لانه زنبوری و قطبیده دارند و این دسته از مواد به دلیل تقارن سه گانه فقط دارای دو ضریب مستقل کشسانی و یک ضریب مستقل تنش یا کرنش پیزوالکتریک می باشند. از میان هفت مورد، بیشترین ضرایب کرنش پیزوالکتریک در حالت یون واهلش برای AlN با ضریب d11=3. 05 pm/V و InN با ضریب d11=7. 01 pm/V برآورد شده است. این گروه از مواد دوبعدی قطبیده که به طور همزمان دارای خاصیت نیمرسانایی و پیزوالکتریکی هستند، کاندیدای خوبی برای کاربرد در شاخه جدید نانوتکنولوژی به نام نانوپیزوترونیک می باشند.

تلاش های زیادی برای مطالعه ی رفتار مواد پیچیده در ابعاد میکرومتر با تکنیک های مختلف صورت گرفته است. یکی از این روش ها استفاده از انبرک نوری برای کاربردهای بیوفیزیکی است. گلبول قرمز به عنوان فراوان ترین سلول سازنده خون، نقش مهمی در حیات موجودات زنده دارد و خواص مکانیکی منحصربه فرد آن حائز اهمیت است. در این گزارش ما به مطالعه خواص ویسکوالاستیک گلبول قرمز با استفاده از انبرک نوری به روش غیرفعال می پردازیم. این کار از طریق مطالعه ی حرکات آزاد ذره ای با ابعاد میکرومتر در تله نوری، در حال متصل به گلبول قرمز و حالت آزاد انجام می شود. مطالعات حاکی از آن است که آب یک سیال ویسکوز است پس خاصیت کشسانی ندارد ولی برخلاف آن غشا گلبول قرمز، خاصیت کشسانی و ویسکوزیته دارد و به عنوان یک سیال ویسکوالاستیک شناخته شده است.

در این مقاله با بهره گیری از روش تابع گرین و در رهیافت تنگابست، تأثیر حضور و چگونگی توزیع ناخالصی های الکتریکی را بر روی رسانش الکترونی یک نانونوار با ساختار مربعی مطالعه می کنیم. بدین منظور با به کار بردن یک تبدیل یکانی مناسب، مدهای رسانش را در قسمت های ایده آل جدا نموده و خود انرژی های مربوطه را به صورت تحلیلی به دست می آوریم. سپس با به کار گیری رابطه فیشرلی رسانش سامانه را به صورت الگوریتمی که سریعاً توسط رایانه قابل محاسبه است، ارائه می کنیم. نتایج عددی نشان می دهد که توزیع ناخالصی های الکتریکی با انرژی های جایگاهی متفاوت، منجر به مقادیر متفاوتی از رسانش الکترونی در سامانه شده و به طور کلی باعث کاهش رسانش الکتریکی می شود.

در این مقاله طیف خاموشی نانوساختار برج های مارپیچ کج و پله مانند لایه های نازک منگنز با استفاده از شبیه سازی تقریب دوقطبی منفصل (DDA)برای دوقطبش نور فرودی s و p در دو زاویه تابش ° 10 و ° 60 برای زوایای سمتی مختلف برای سه نمونه با شیب مختلف به دست آورده شده است. سپس نتایج به دست آمده با نتایج تجربی مقایسه می شود. قله های پلاسمونی ایجاد شده در هر دو حالت تجربی و نظری حوالیnm 600 است، که در نتایج تجربی تغییراتی در طیف ها در بعضی زوایای سمتی مشاهده می شود که آنها را ناهنجاری هایی طیفی می نامیم. این ناهنجاری ها به دلیل تغییر شیب ساختار و افزایش اثر سایه افکنی در ساختار است که این نیز باعث افزایش تخلخل سطحی و ایجاد نقص در ساختار می شود. در حالی که در نتایج شبیه سازی شده به دلیل صرف نظر از کردن از تخلخل و نقص ها در ساختار این ناهنجاری ها در طیف ها مشاهده نمی شود و این مهم ترین اختلاف در طیف های به دست آمده از هر دو نتایج تجربی و نظری است.

در این پژوهش، ترکیبات هویسلر Co2FeX (X=Ge, Si) با 30 الکترون ظرفیت که با استفاده از روش های آلیاژسازی مکانیکی و ذوب قوسی ساخته شدند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بلوری شدن نمونه ها در هر دو روش ساخت توسط داده های XRD تأیید شد. نتایج نشان داد در مقایسه با Ge، حضور Si در ترکیب، نقش مؤثرتری در ایجاد نظم اتمی بلند برد داشته و بیشترین مغناطش اشباع برابر 5/24 مربوط به یکی از نمونه های ترکیب Co2FeSi است. با این وجود مقدار به دست آمده به واسطه تک بلور نبودن نمونه هنوز هم از مقدار پیش بینی شده توسط اسلیتر-پائولینگ کمتر است. تحلیل ریزساختار نشان داد Ge در تقویت هسته زایی بلوری در فرآیند آسیاب کاری مؤثرتر از Si عمل کرده است. در صورتی که به واسطه دمای ذوب کمتر Ge نسبت به Si، رشد بلورک در فرآیند پخت با حضور Ge سرعت بیشتری گرفته است. وادارندگی بزرگ مشاهده شده در نمونه حاصل از فرآیند آسیاب کاری ترکیب Co2FeSi به ناهمسانگردی قابل توجه ناشی از نظم اتمی و همچنین حجم زیاد مرزهای بلوری به عنوان موانع حرکت دیواره حوزه ها ارتباط داده شد.

در این مقاله عملکرد لایه بافر سلول خورشیدی لایه نازک کادمیوم تلوراید (CdTe) با استفاده از نرم افزار SCAPS بهینه سازی شده است. در ابتدا پنج لایه بافر مختلف از جمله CdS، In2S3، ZnO، ZnSe و ZnS با ضخامت های متغیر از 10 تا 100 نانومتر در ساختار سلول خورشیدی جایگزین شده اند و مشاهده شده است که هر چقدر ضخامت لایه بافر افزایش یافته است، میزان بازدهی کاهش می یابد، زیرا با بیشتر شدن ضخامت لایه بافر، جذب نور در این لایه بیشتر شده و میزان کمتری از نور در لایه جاذب (CdTe) جذب می شود. سپس عملکرد سلول خورشیدی با لایه های بافر مختلف با هم مورد مقایسه قرار گرفته و تاثیر هریک از لایه ها بر چهار پارامتر اصلی سلول خورشیدی بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که لایه بافر ZnS تقریبا در تمام ضخامت ها دارای بازدهی بالاتری نسبت به سایر مواد می باشد، که دلیل این امر بزرگتر بودن شکاف باند این ماده نسبت به سایر مواد می باشد.

در این مقاله آثار غیرخطی خودکانونگی و واگرایی قطبش دایره ای راستگرد و چپگرد تپ لیزر منتشر شده در یک پلاسمای داغ مغناطیده در حضور ویگلر تخت مگنتواستاتیک به طور نظری مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا معادله موج غیرخطی توصیف کننده اندازه لکه تپ لیزر برای قطبش های راستگرد و چپگرد موج دایره ای به دست آمده است. سپس، اثر میدان ویگلری بر روی خودکانونگی تپ لیزر مورد بحث قرار گرفته است. به علاوه، رابطه پاشندگی غیرخطی تپ لیزر با استفاده از معادلات انتقال تکانه، پیوستگی و ماکسول و با در نظرگرفتن اثرات میدان ویگلری محاسبه شد. همچنین تغییرات چگالی زمینه پلاسما با توجه به اندازه لکه لیزر و توان بهنجار تپ لیزر با نظر گرفتن تغییرات میدان ویگلری مورد بررسی قرار گرفت. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که در قطبش راستگرد وقتی اندازه میدان ویگلری افزایش می یابد، اندازه لکه تپ لیزر کاهش یافته و باریکه لیزر بیشتر کانونی می شود. همچنین در قطبش چپگرد هنگامی که اندازه میدان ویگلری افزایش می یابد، متناسب با این افزایش، اندازه لکه تپ لیزر افزایش یافته و باریکه لیزر بیشتر واگرا می شود. از طرفی با افزایش بسامد ویگلری، تغییرات توان دارای یک رفتار صعودی است. به علاوه، چگالی زمینه پلاسما با افزایش میدان ویگلری در قطبش های چپگرد، افزایش می یابد و متناظر با آن در قطبش راستگرد، کاهش می یابد.

در این مقاله ناپایداری رشته ای برخوردی در یک دستگاه باریکه الکترونی-پلاسمای یونیده ضعیف با در نظر گرفتن اثرات میدان مغناطیسی پلاسمای زمینه، به روش شاره ای مورد بررسی قرار گرفته است. با توصیف تعادل اولیه پیکربندی باریکه گرم-پلاسمای سرد در حضور برخورد ذرات باردار با اتم های خنثی و استفاده از تقریب موضعی، رابطه پاشندگی مد ناپایدار (ناپایداری رشتهای) و نتایج حاصل از اثرات دو عامل پایدار کننده برخورد و میدان مغناطیسی و یک عامل ناپایدارکننده جریان و میزان نقش هر کدام در افزایش و کاهش ناپایداری بررسی شده است. نتایج نشان دهنده یک بردار موج بحرانی و یک آستانه مغناطیسی برای ناپایداری رشته ای در یک دستگاه برخوردی مغناطیده بوده به گونهای که برای اعداد موج بزرگ تر از این مقدار بحرانی و میدانهای مغناطیسی بزرگ تر از این آستانه قطع مغناطیسی، ناپایداری در دستگاه قابل مشاهده نیست. بررسیها نشان میدهد که مقدار عدد موج بحرانی و آستانه قطع مغناطیسی با افزایش چگالی جریان باریکه الکترونی افزایش می یابد.

به منظور تعیین محل حالت شبه مقید k-P، طیف انرژی جنبشی ترایتون ناظر در برهم کنش گیراندازی تشدیدی کائون متوقف شده در He4 (k-+ 4He→ )Ʃ π )ο +t) را با استفاده از رهیافت کانال های جفت شده محاسبه کرده ایم. در مقایسه طیف های نظری با داده های تجربی یورتسکی با استفاده از روش آنالیز ϰ 2 جرم و پهنای Λ *)1405) را به ترتیبM=1406-1 +1/3MeV/C2-و Г =22/5-2/8 +3/5MeV به دست آورده ایم که در آن سهم گیراندازی از اوربیتال های P و اثرات حالت تشدیدی Ʃ *(1385) در نظر گرفته شده است. در ادامه با تغییر عامل های آزاد پتانسیل برهم کنشیKN-Ʃ π (برد برهم کنش، ß و شدت برهم کنش، s22) نشان داده ایم که جرم و پهنای Λ *)1405) منتج شده از داده های تجربی مذکور تقریباً مستقل از انتخاب عامل های آزاد پتانسیل برهم کنش است.

هواویزها ذرات جامد یا مایع معلق در هوا هستند که تاثیرات زیادی در کیفیت هوا، سلامتی انسان و تغییرات اقلیم دارند. شیدسنج خورشیدی ابزاری برای اندازه گیری مشخصات اپتیکی و فیزیکی هواوی زها با استفاده از شدت نور خورشید در طول موج های مختلف از سطح زمین است. در این مقاله طراحی، ساخت و درجه بندی شیدسنج خورشیدی تک کاناله برای مطالعه هواویزها ارائه می شود. عمق اپتیکی هواویزها که معیاری از میزان ذرات معلق داخل جو زمین را نشان می دهد برای روز 15 شهریور 1395 با استفاده از شیدسنج ساخته شده اندازه گیری شد و با اندازه گیری شیدسنج CE 318-2 ساخت شرکت CIMEL فرانسه مقایسه شد. نتایج هم خوانی خوبی را نشان می دهند.

سلول های متحرک برای حفظ حیات خود، نیاز به حرکت کردن و تغییرشکل غشاء خود دارند. لذا مطالعه عوامل مؤثر در ایجاد و کنترل بیرون زدگی های غشاء سلول یکی از موضوعات مورد توجه محققین و دانشمندان است. شکل تعادلی و حرکت غشاء، ناشی از نیروهای وارد شده از جانب اکتین های زیر غشاء است. در این مقاله، با ارائه مدلی بر پایه قطبیدگی اکتین های زیر غشاء و ویژگی های فیزیکی آن، به مطالعه بیرون زدگی های ایجاد شده در غشاء سلول می پردازیم. همچنین اثر تغییر کمیت های مختلفی مانند چگالی رشته های اکتین، نرخ پلیمره شدن رشته ها و همچنین تنش وارد شده به غشاء را بر بزرگی بیرون زدگی غشاء بررسی می کنیم.

پیرو مطالعات تجربی انجام شده، در این مطالعه، تغییر شکل یک قطره که در حال شارش در شبکه میکروشاره تخت قیفی شکل است، به طور عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. شبکه میکروسیال مورد مطالعه، از دو قسمت کانال مستقیم و کانال بازشونده تخت قیفی شکل تشکیل شده است. در این مطالعه، از روش حل متوسط گیری عمقی به جای حل معادله ی استوکس سه بعدی، استفاده شده است. با استفاده از روش عنصر مرزی، معادله ی دارسی برای محاسبه فشار و سرعت در کانال میکروسیال دوبعدی به طور عددی حل شده است. شبیه سازی های عددی نشان می دهد، هنگامی که قطره وارد ناحیه کانال واگرا می گردد، به دلیل خطوط واگرا شکل جریان زمینه، به تدریج تغییر شکل پیدا می کند. نتایج نشان می دهد که بیشینه تغییر شکل قطره در ناحیه ی کانال قیفی شکل تخت به پارامترهای همانند عدد مویینگی، زاویه بازشدگی کانال و شعاع قطره وابسته است. برای اعتبار سنجی نتایج عددی، نتایج با داده های تجربی مقایسه شده است. مقایسه بین نتایج آزمایشگاهی و عددی، نشان می دهد که سازگاری بسیار خوبی بین مقیاس عددی بیشینه تغییر شکل قطره و مقیاس آزمایشگاهی آن وجود دارد.

در این تحقیق، ناوردایی هم ریختی مایع متان با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی در آنسامبل بندادی مورد بررسی قرار گرفته است. با رسم نمودار پراکندگی ویریال بر حسب انرژی پتانسیل در چگالی و دمای معین، ضریب همبستگی انرژی-فشار محاسبه شده است. همچنین با تولید نقاط حالت هم ریخت در نمودار فاز (T-ρ )، ناوردایی مقیاسی برخی از خواص استاتیکی و دینامیکی برروی نقاط حالت هم ریخت بررسی شده است. نتایج به دست آمده به دو نکته مهم اشاره دارد. اول این که مایع متان فقط در دمای بالای K30٠ یک مایع همبسته قوی (مایع ساده) محسوب می شود. نکته دوم این که کمیت های ظرفیت گرمایی، تابع توزیع شعاعی، و ضریب پخش برای نقاط حالتی که هم ریخت هستند، چنانچه در واحد های کاهش یافته بیان شوند ویژگی ناوردایی مقیاسی نشان می دهند. از این رو با دانستن این کمیت ها برای یک نقطه حالت، می توان آنها را برای دیگر نقاط حالت هم ریخت تنها با تغییر مقیاس به دست آورد.

در این مقاله به بررسی دینامیک انتقال حرارت تابشی دو جسم تیغه ای شکل می پردازیم. در این سامانه ها با توجه به جنس تیغه ها و تعامل گرمایی که با محیط اطرافشان دارند، می توانند در فضای فاز دارای یک و یا چند حالت مانا باشند. مشاهده می شود که در این سامانه ها کمیت هایی مانند فاصله و ضخامت بر حالات مانای این سامانه ها تاثیر گذار است. نشان می دهیم که فاصله میان تیغه ها به مقدار زیادی در مدت زمان به تعادل رسیدن تیغه ها تاثیر گذار است. در سامانه هایی که یک حالت تعادل وجود دارد، صرف نظر از اینکه تیغه ها در چه شرایط اولیه ای باشند، به یک حالت تعادل نهایی میل می کنند. در اجسامی که گذار فاز در پاسخ اپتیکی آنها رخ می دهد سامانه می تواند با چند نقطه ثابت در فضای فاز همراه خواهد باشد. چنانچه فضای فاز این تیغه ها شامل چند نقطه ثابت باشد، حالت مانای نهایی توسط دمای اولیه تیغه ها مشخص خواهد شد.

هسته اتمی به عنوان یک سیستم پیچیده بس ذره ای تشکیل شده از دونوع فرمیون (نوترون و پروتون) است که بطور خیلی قوی در برهمکنش باهم می باشند. بررسی خواص آماری مجموعه ترازهای انرژی هسته اتمی و تاثیر نیروی برهمکنش مابین فرمیون ها به خوبی با معیار جدیدی تحت عنوان تئوری ماتریس های تصادفی توضیح داده میشود. افت و خیز ترازهای انرژی سیستم های کوانتومی بسته به تقارن های هامیلتونی در یکی از آنسامبل های متعامد (GOE)، یکانی (GUE) و هم تافته گاوسی (GSE) قرار میگیرد و اگر در ناحیه انتگرال پذیر باشد در آنسامبل پواسونی قرار خواهدگرفت که با داشتن ویژه مقادیر هامیلتونی سیستم می توان به تحلیل آماری ترازهای انرژی با استفاده از ماتریس های تصادفی پرداخت. مقاله حاضر با به کارگیری مدل لایه ای هسته ای به کمک تئوری آشوب کوانتومی به بررسی تاثیرنیروی مابین فرمیون ها در رفتار ایزوتوپ های Ca48 و Ti48میپردازد. تفاوت این هسته ها در نوع ذرات واقع در ترازهای ظرفیت می باشد. بررسی رفتار ترازهای انرژی آنها نشان داد که به دلیل نیروی برهمکنش قوی مابین پروتون و نوترون رفتارسیستم در Ti48 نزدیک به GOE خواهد بود در حالی که رفتار سیستم در Ca48کمی دور از این رفتار خواهد بود.

در این مقاله فاز بری برای توابع موج ذره در یک چاه پتانسیل کروی بینهایت که شعاع آن به صورت بی دررو تغییر می کند را محاسبه می کنیم. برای این منظور لازم است که جوابهای معادله شرودینگر مربوط، که هامیلتونی آن با زمان متغیر است، را داشته باشیم که برای اولین بار در اینجا به دست خواهد آمد. همچنین فاز بری را در حالت یک بعدی برای چاه پتانسیل بینهایت را نیز به دست می آوریم. دیده می شود که این فاز کاملا قابل مقایسه با فاز دینامیکی معمول تابع موج است والبته با علامت مخالف. بنابراین این لازم است که در محاسبات مکانیک کوانتومی مورد لحاظ قرار گیرد.

بازده تبدیل نسبتا کم انرژی (PCE) سلول های خورشیدی حساس شده به نقاط کوانتومی (QDSSCs) به بازترکیب بار در سطوح مشترکمربوط می شود. فرایند بازترکیب بار را می توان با پوشاندن لایه QD با یک نیمه رسانای گاف پهن مانند ZnS، که به عنوان یک لایه مسدود کننده بین QD ها و مواد انتقال حفره (HTM) عمل می کند، متوقف کرد. در مطالعه حاضر، برای بهبود PCE از سلول های خورشیدی حساس به نقطه کوانتومی PbS، لایه مسدود کننده ZnS بر روی PbS (QDs) با استفاده از روش جذب و واکنش متوالی لایه یونی (SILAR) در دمای اتاق و فشار محیط، با موفقیت ساخته شد. اثر ضخامت لایه ZnS بر خواص فتوولتائیک با تغییر تعداد چرخه های پوشش دهی (n) مورد بررسی قرار گرفت. . نتایج تجربی نشان داد که لایه مسدود کننده ZnS عملکرد فتوولتائیکی QDSSC های PbS را با جلوگیری از فرایند بازترکیب بار بهبود می بخشد. سلول خورشیدی حاوی ZnS با 6n= لایه برای پارامترهای چگالی جریان اتصال کوتاه (Jsc)، فاکتور پرشدگی (FF) وPCE، به تریب مقادیر بیشینه 2mA. cm-11/11، 60/37٪ و 93/3٪ را نشان داد. ما دلایل این بهبود را کشف کرده و نشان دادیم که این امر بخاطر کاهش بازترکیب الکترون های تزریق شده نوری با حفره های HTM میسر شده است. اثر چرخه های پوشش دهی توسط طیف UV-Vis و تحلیل چگالی جریان-ولتاژ مورد بررسی قرار گرفت