پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)
سال:1397 | دوره:8 | شماره:19 |تعداد مقالات:20

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

تحقیق حاضر به ساخت و بررسی ویژگی های ساختاری و مغناطیسی فریت کبالت (CoFe2O4) در حضور پلیمر های پلی وینیل الکل (Polyvinyl alcohol)، پلی وینیل پیرولیدون (Polyvinyl pyrrolidone)، پلی اتیلن گلیکول (Polyethylene glycol) و اتیلن گلیکول (Ethylene glycol) پرداخته است. نمونه ها با استفاده از روش سل-ژل در شرایط یکسان تهیه شدند. به منظور بررسی ویژگی های ساختاری و مغناطیسی نمونه های تهیه شده، مشخصه یابی های مختلفی از جمله پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنج مادون قرمز (FT-IR) و مغناطش سنج ارتعاشی (VSM) انجام شد. طیف پراش پرتو ایکس نمونه ها نشان داد که نمونه های تهیه شده تقریبا تکفاز و گروه فضایی Fd-3m دارند. بررسی ویژگی های مغناطیسی نمونه ها نیز نشان داد که میزان مغناطش اشباع در نمونه ی تهیه شده با پلی وینیل پیرولیدون کمترین مقدار (emu/g50) و در نمونه ی تهیه شده با اتیلن گلیکول بیشترین مقدار (emu/g71) است. همچنین میدان وادارندگی برای نمونه ی تهیه شده با پلی اتیلن گلیکول کمترین مقدار (Oe904) و برای نمونه ی تهیه شده با پلی وینیل الکل بیشترین مقدار (Oe1200) را دارد. این نتایج نشان می دهند که با استفاده از پلیمرهای مختلف در فرایند ساخت، تا حدودی میتوان ویژگیهای مغناطیسی فریتها را کنترل کرد.

کربید سیلیکون به خاطر خواص فوق العاده مکانیکی، فیزیکی، ترمودینامیکی و شیمیایی، یک سرامیک بسیار جذاب برای اکثر صنایع است. در این پژوهش خواص مکانیکی و ترمودینامیکی ساختار C3 کربید سیلیکون با استفاده از شبیه سازی های دینامیک مولکولی و نظریه تابعی چگالی مبتنی بر تقریب شیب تعمیم یافته در دما و فشارهای بالا محاسبه و جهت صحت با نتایج تجربی موجود مقایسه شده است. محاسبات دینامیک مولکولی با استفاده از پتانسیل های بین اتمی ترسوف و واشیشتا صورت گرفته است. نتایج شبیه سازی دلالت بر این دارد که هر دو پتانسیل قابلیت بالایی در بهینه سازی ساختارهای موردنظر دارند. خواص مکانیکی کربید سیلیکون شامل ضرایب کشسانی، مدول حجمی، یانگ و برشی و ضریب پواسون در دما و فشار محیط و فشار و دمای بالا به ترتیب تا 50 گیگاپاسگال و 1000 کلوین با استفاده از پتانسیل ترسوف محاسبه شده که نشان از هم خوانی بسیار خوبی با مقادیر تجربی دارند. خواص ترمودینامیکی کربید سیلیکون از قبیل دمای ذوب، دمای دیبای، ظرفیت گرمایی ویژه در حجم و فشار ثابت، ضریب انبساط خطی، و ضریب رسانش گرمایی در فشار محیط و فشار بالا نیز با استفاده از دینامیک مولکولی و نظریه تابعی چگالی محاسبه شدند.

در این مقاله، اثر ابعاد سوسوزن بر شکل تابع پاسخ آشکارسازهای سوسوزن آلی NE102 و NE213 با هندسه استوانه ای مطالعه شده است. طیف تابع پاسخ آشکارسازهای سوسوزن ها با ابعاد مختلف، هنگامی که در معرض تابشهای گامای چشمه های Cs137، Co60 و Na22 قرار گرفتند، با استفاده از کد MCNPX-PHORTACK شبیه سازی و سپس اندازه گیری شد. با استفاده از تابع پاسخ های شبیه سازی و تجربی، میزان تأثیر اندازه سوسوزن بر شکل تابع پاسخ، قدرت تفکیک انرژی و بازدهی برای آشکارسازهای سوسوزن محاسبه شد. مقایسه مقادیر شبیه سازی بازدهی و قدرت تفکیک انرژی سوسوزن ها با مقادیر اندازه گیری شده و نتایج تجربی دیگران، همخوانی خوبی را نشان می دهد.

جذب تک لایه h-BN بر روی نانولایه WS2 در چارچوب نظریه تابع چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم اسپرسو بررسی شده است. محاسبات با تابع های تبادلی-همبستگی شامل LDA، GGA و با استفاده از دو رهیافت نیمه تجربی و ابتدا به ساکن با به کارگیری تابع های DFT-D2، vdW-DF2و vdW-DF2B86R صورت گرفته تا کارایی تابع های مختلف برای پیش بینی انرژی جذب، مکانیسم جذب و فاصله جذب بین دو لایه h-BN و WS2 بررسی شوند. به منظور اعمال برهم کنش واندروالس تصصیح نیروی پراکندگی دور برد در دو رهیافت نیمه تجربی و ابتدا به ساکن بررسی شده است و به نظر می رسد که تقریب vdW-DF2B86R مناسب ترین تابع باشد. هر دو رهیافت ابتدا به ساکن و نیمه تجربی جذب فیزیکی بدون انتقال بار خالص بین دو صفحه h-BN و WS2 را پیش بینی می کنند. همچنین خواص الکترونی، ساختاری و چگالی حالت ها برای ترکیب نامتجانس WS2/h-BN بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که سامانه ی مرکب ساختاری با گاف مستقیم در نقطه K دارد که از نقطه نظر تجربی نیز مورد تایید می باشد.

در تحقیق حاضر با اعمال هم زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره ای در ساختار گرافین نمی شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه قابل کنترل و تنظیم است. همچنین نشان داده شده است که مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به شدت به پارامترهای کشش اعمالی به گرافین، سد مغناطیسی، پیکربندی بردار مغناطش نواحی فرومغناطیس و گاف جرمی زیر لایه وابسته است به گونه-ای که با انتخاب مقادیر مناسبی برای پارامترهای مذکور، مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به 100% می رسد. به طور مشخص برای دره K با تغییر پیکربندی از موازی به پادموازی با اعمال مقادیر مذکور، نمودار رسانش پادموازی سریع تر نسبت به نمودار رسانش موازی به صفر می رسد. در این شرایط پیوندگاه فقط برای پیکربندی رسانش موازی از خود عبور نشان می دهد که این امر منجر به بیشینه شدن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه می شود. تنظیم پذیر بودن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه نشان دهنده ی کاربرد آن در وسایل اسپین-الکترونیکی بر پایه ی گرافین است.

همانگونه که می دانیم روش های متعددی برای همزمان سازی سیستم های بی نظم وجود دارد. در این تحقیق، روش هم زمانی تطبیقی را برای سه سیستم جالب مورد مطالعه قرار می دهیم. این سیستم ها شامل سیستم راسلر-راسلر، سیستم لیو-لیو و سیستم لیو-راسلر می باشند. همزمانی این سیستم ها را تحت شرایط گوناگون شبیه سازی می کنیم. شبیه سازی همزمانی بین سیستم های مورد مطالعه نشان می دهند که این سیستم ها حتی در حضور پارامتر های نامعلوم می توانند به طور کامل همزمان شوند. از نتایج به دست آمده در می یابیم که سرعت همزمانی در سیستم راسلر-راسلر سریعتر از دو سیستم دیگر می باشد. همچنین، سیستم لیو-لیو سریعتر سیستم سوم همزمان می شود. به طور خلاصه می توان گفت که روش شبیه سازی تطبیقی برای سیستم های یکسان (راسلر-راسلر و لیو-لیو) بهتر عمل می کند و این سیستم ها زودتر همزمان می شوند.

بر اساس نظریه سیستمهای کوانتومی واداشتهی دورهای، بواسطه اعمال نور بر سیستمهای حالت جامد مسیر جدیدی برای یافتن فازهای توپولوژیک میتوان ایجاد نمود. در اینجا ما به صورت نظری یک شبکه یک بعدی را به صورت سیم کوانتومی در نظر میگیریم که تحت اعمال یک پرتو لیزر با قطبش خطی قرار دارد. با استفاده از نظریهی فلوکه هامیلتونی وابسته به زمان سیستم را به صورت هامیلتونی مستقل از زمان مینویسیم و به بررسی طیف شبه انرژی سیستم میپردازیم. نتایج بدست آمده نشان میدهد که به ازای مقادیر متفاوتی از هاپینگ و همچنین مقادیری از شدت لیزر اعمال شده، سیستم میزبان صفر، یک، دو یا سه جفت حالت لبهای است. برای محاسبهی ناوردای توپولوژیک، از فاز بری (فاز زاک در یک بعد) استفاده کردهایم که برای یک، دو و سه جفت حالت لبهای بترتیب ناوردای توپولوژیک مقادیر یک، دو و سه را کسب میکند. همچنین در این سیستم تقارنهای معکوس زمانی، الکترون-حفره، کایرال و پاریته وجود دارد. اگر تقارن پاریته شکسته شود، حالتهای لبهای در گاف اصلی و همچنین گاف زیرنوارهای ظرفیت و رسانش از بین میروند.

در این پژوهش ما به مطالعه پدیده محبوس شدگی کوارک ها با استفاده از دایون ها به عنوان ساختارهای خلا نظریه QCD پرداختیم و تعمیم روش ایوالد روی شبکه مش بندی شده را روی آنسامبلی از دایون های بدون برهم کنش و با برهم کنش اعمال کردیم. به این ترتیب توانستیم تابعیت خطی انرژی آزاد جفت کوارک و پادکوارک را نسبت به فاصله آن ها از یک دیگر در هر دو شبیه سازی بدون برهم کنش و با برهم کنش در دمای نزدیک به دمای وامحبوس شدگی نشان دهیم و همچنین نشان دادیم که با اضافه کردن برهم کنش های بین دایونی به یک سیستم، کشش ریسمان و یا به عبارت دیگر شدت میدان های گلوئونی افزایش می یابد و دمای سیستم کاهش پیدا می کند.

در این پژوهش، ساخت نانوذرات آلومینات استرانسیوم (SrAl2O4) به روش احتراقی به کمک مایکروویو و آلایش آنها با دیسپروزیوم (SrAl2O4: Dy) مورد بررسی قرار گرفته است. مشخصه یابی نانوذرات با روش های XRD، FT-IR، EDS، FESEM، UV-Vis و PL انجام شد. در مرحلة ساخت، الگوهای پراش پرتوی ایکس تشکیل آلومینات استرانسیوم با تقارن تک میلی و گروه فضایی P1211 را در نمونه با نسبت سوخت به نیترات 3 به 1، مقدار pH برابر با 5/5، زمان 5 دقیقه تابش دهی در مایکروویو، زمان پخت 1 ساعت و دمای پخت 600 درجة سانتی گراد تأیید کرد. با استفاده از داده های حاصل از پراش پودری پرتوی ایکس و فرمول شرر، متوسط اندازة نانوبلورک ها حدود 26 نانومتر به دست آمد. در مرحلة جانشینی، درصدهای مختلف آلایش با دیسپروزیوم، به منظور بهینه سازی فوتولومینسانس نانوذرات SrAl2O4 بررسی شد. در میان نانوذرات ساخته-شده، نانوذرات Sr0. 9Al2O4: Dy0. 1 با متوسط اندازة نانوذرات 3± 34 نانومتر، پهنای توزیع فراوانی 30 تا 35 نانومتر، گاف اپتیکی01/0± 21/4 الکترون ولت و دارا بودن بیشترین شدت نشر در طیف فوتولومینسانس، به عنوان نمونة بهینه از لحاظ خواص ساختاری و نوری شناخته شدند.

از میان روشهای مختلف اندازه گیری مبتنی بر پلاسمون سطحی، آشکارسازی فاز موج پلاسمون سطحی یکی از دقیق ترین و حساس ترین روش ها به حساب می آید. فاز موج را می توان با دقت مناسبی به روش های مختلف تداخلی اندازه گیری نمود. در این پژوهش ابتدا فاز و شدت موج پلاسمون سطحی شبیه سازی شده و سپس با پیاده سازی چیدمان آزمایشگاهی تداخل سنج قطبشی هتروداین تغییر فاز موج پلاسمون سطحی و پاسخ آن نسبت به عامل خارجی (تغییر ضریب شکست محیط پیرامون) بدست آمده است. با توجه به آزمایش های انجام شده، مقدار میانگین حساسیت فاز در آزمون آب-الکل برابر 0/4266 degree/%gr/ml و برای آزمون آب-گلوکز برابر 1/4765 degree/%gr/ml و میزان قدرت تفکیک غلظت در آزمون آب-الکل برابر 0/49 %gr/ml و در آزمون آب-گلوکز برابر 0/14 %gr/ml بدست آمده است.

در این تحقیق، کاتیون ترکیبی روبیدیم-سزیم (2(RbCsI به محلول اصلی پروسکایت با ساختارMA0. 17FA0. 83Pb(I0. 83Br0. 17)3 تزریق گردید. در ساختار اصلی این سلول، هم کاتیون های MA و FA و هم آنیون های برم (Br) و ید (I) که هالید ساختار هستند، وجود دارند. نسبت روبیدیم و سزیم برابر هم انتخاب شد و نسبت محلول یدید روبیدیم-سزیم برابر 5 % کل محلول اصلی پروسکایت در نظر گرفته شد. برای مقایسه سلولی دیگر به عنوان سلول شاهد ساخته شد که در آن فقط کاتیون سزیم (CsI) به محلول اصلی پروسکایت با ساختار فوق الذکر تزریق شد. در ادامه سلول حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم با سلول شاهد با توجه به نتایج تست های I-V، XRD و SEM مقایسه و بررسی گردید. نتایج نشان دادند که بازده سلول حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم4/0 درصد بیشتر از بازده سلول شاهد می باشند. علاوه براین پیک های پروسکایت در سلول حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم شدت بیشتری نسبت به سلول شاهد دارد که نشان دهنده بلورینگی و خلوص بیشتر پروسکایت حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم است. همچنین تصاویر SEM نشان میدهند که حفره ها در پروسکایت حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم کمتر از سلول شاهد می باشد. بنابراین سلول خورشیدی پروسکایتی حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم نسبت به سلول شاهد بهبود یافته است.

در این مقاله با استفاده از داده های تجربی گروه های CDHSWوCHORUS CCFR, NuTeV, برآنیم تا توابع توزیع ظرفیتی کوارک های u و d را در طیف گسترده ای از x و2^Q تعیین و آن ها را به همراه خطاهای همبسته در چارچوب xFitter استخراج کنیم. ما نتایج را برای توابع توزیع کوارک ظرفیتی به همراه عدم قطعیت آن ها استخراج نموده و با دیگر مدل های مختلف مقایسه می کنیم. نتایج محاسبات ما برای ثابت جفت شدگی قوی در دو تقریب NLO و NNLO با نتایج مدل های مختلف و نتایج اخیرPDG در توافق است. نتایج استخراج شده برای توزیع کوارک ظرفیتی با مدل های نظری موجود سازگاری خوبی دارد.

در این مقاله، انتشار پالس میکروموجی با نمایه گاوسی درون یک موجبر پلاسمایی مستطیلی درحضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی بررسی شده است. برای این منظور، با استفاده از معادلات ماکسول و معادلات هیدرودینامیکی سیال، معادله دیفرانسیلی برای پتانسیل دنباله پالس در موجبر محاسبه شده است. در ادامه با حل این معادله دیفرانسیل با استفاده از روش محاسباتی رانگ-کوتا مرتبه 4، توزیع میدان الکتریکی دنباله پالس (E ⃗ _w) در موجبر پلاسمایی با فرض اینکه طول زمانی پالس برابر با دوره زمانی موج پلاسمایی است، شبیه سازی شده و تاثیر شدت و فرکانس پالس، عرض موجبر، چگالی الکترونی پلاسما و بزرگی میدان مغناطیسی خارجی بر انتشار پالس در موجبر و ایجاد میدان دنباله (ردپای پالس) بررسی گردیده است. نتایج عددی نشان می دهد که میدان دنباله پالس میکروموج، با افزایش شدت پالس، طول زمانی پالس و میدان مغناطیسی خارجی تقویت یافته و با افزایش چگالی پلاسما، فرکانس پالس و عرض موجبر تضعیف می شود. بنابراین با بهینه سازی پارامترهای مربوط به پالس گاوسی و موجبر پلاسمایی، ایجاد میدان دنباله پالس قوی به منظور شتابدهی ذرات باردار امکان پذیر می باشد.

در این تحقیق نانوساختارهای اکسید تیتانیوم با مورفولوژی های نانوصفحه و نانولوله با دو روش متفاوت تبخیر شیمیایی و آندایز تشکیل شده اند و مورفولوژی و خواص فیزیکی این دو ساختار از جمله ساختار و پاسخ نوری به ترتیب با دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، دستگاه پراش اشعه ایکس (XRD) و دستگاه بازتاب پخشی (DRS) بررسی شده است. مشاهده شد که دو مورفولوژی متفاوت ار اکسیدتیتانیوم خواص ساختاری و اپتیکی منحصر به فرد خود را داشته است. این خواص متفاوت فیزیکی از اکسید تیتانیوم می تواند منجر به کاربردهای متفاوتی از این ماده شود. بنابراین با کنترل مورفولوژی اکسیدتیتانیوم با بکارگیری روش های متفاوت امکان تغییر خواص فیزیکی و در نتیجه کاربردهای متفاوت خواهد بود.

در این تحقیق، ساخت نانومیله های ZnO و نانومیله های هسته/پوستة ZnO/ZnS گزارش شده است. نانوساختارهای حاصل توسط روش های مختلفی شامل: پراش پرتوی ایکس ( XRD )، میکروسکوپ الکترونی روبشی ( SEM )، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی ( FESEM )، طیف سنج فرابنفش-مرئی ( UV-Visible ) و طیف سنج فوتولومینسانسی ( PL ) مورد مطالعه و مشخصه یابی قرار گرفتند. نتایج حاصل از الگو های XRD برای نانومیله های اکسید روی ساختار بلوری ورتسایت شش وجهی و برای نانوذرات ZnS رشد یافته روی نانومیله های ZnO ساختار بلوری بلندروی مکعبی را به وضوح نشان می دهد. مطالعة ریخت شناسی این ساختارها توسط SEM و FESEM قطر را برای نانومیله های اکسید روی، نانوذرات ZnS و نانومیله های هسته/پوستة ZnO/ZnS به ترتیب 70، 20 و 120 نانومتر نشان می دهد. طیف جذبی نانومیله های ZnO/ZnS در مقایسه با نانومیله های ZnO و نانوذرات ZnS به-وضوح یک جابجایی به سمت طول موج های بلندتر را برای ساختار هسته/پوسته نشان می دهد. همانطور که پیش بینی شده است، این جابجایی ناشی از کاهش گاف نواری مؤثر ساختار هسته/پوسته می باشد. مطالعات طیف PL نانوساختارها نشان داد که پوشش دهی نانومیله های اکسید روی توسط ZnS باعث کاهش برخی نواقص ساختاری و درنتیجه کاهش تابش مرئی حاصل از آن نقص می شود.

نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان دهنده ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ازDFT تغییری را در گاف انرژی پلیمر نشان نمی دهند، در حالی که تغییر گاف انرژی در مجاورت گرافین نسبت به زنجیره منفرد که از نتایج نظریه اختلال بس ذره ای G0W0 به دست آمده است چشمگیر است.

در این مقاله به صورت عددی خواص نوری ساختار پلاسمونیکی متشکل از آرایه ی متناوب دیسک های دوتایی متصل به هم مبتنی بر نیمه هادی ایندیوم آنتی موناید (InSb) به کمک روش تفاضل محدود حوزه ی زمان ( FDTD) در بازه تراهرتز بررسی شده است. نتایج شبیه سازی نشان دهنده پدیدار شدن دو مد پلاسمونی تراهرتز است که به ترتیب مد پلاسمونی انتقال بار و مد پلاسمونی دو قطبی پیوندی می باشد. مد پلاسمونی انتقال بار ناشی از مسیر ارتباطی رسانای بین دو دیسک و مد پلاسمونی دو قطبی پیوندی ناشی از جفت شدگی پلاسمون ها است. نشان داده شده است که با تغییر پارامترهای هندسی راه ارتباطی رسانای بین دو دیسک خواص نوری ساختار پیشنهادی قابلیت تنظیم پذیری بالایی دارد. کاهش طول پل ارتباطی بین دو دیسک باعث افزایش شدت میدان الکتریکی حبث شده در فاصله ی بین دو دیسک، و افزایش عرض مسیر ارتباطی به ترتیب باعث کاهش و افزایش دامنه ی مد پلاسمونی انتقال بار و مد پلاسمونی دوقطبی پیوندی می شود. ساختار پیشنهادی در بازه 0. 1 تا 2. 2 تراهرتز حساس به زاویه ی پولاریزاسیون نور تابشی است که قابلیت ساختار برای عمل به عنوان سوئیچ حساس به پلاریزاسیون در بازه تراهرتز را نشان می دهد. این ساختار پلاسمونیکی می تواند کاربردهای قابل توجهی در زمینه ی امنیت، عکسبرداری و طیف-سنجی در بازه تراهرتز داشته باشد.

در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظمی بر گاف انرژی ندارد اما منجر به کاهش قابل ملاحظة گاف انرژی در همه ساختارها و افزایش هدایت الکتریکی میشود. کمترین گاف انرژی و بیشترین هدایت الکتریکی در C17Ge3 و C16Si4 بدست آمده است. گاف سطح انرژی تراز هومو ی جزء دهندة الکترون و سطح انرژی تراز لوموی جزء پذیرندة الکترون، فاکتور مهمی در انتقال الکترون بین دو ساختار با پتانسیل کاربرد فتو ولتائیکی است. دو ساختار C17Si3 بعنوان پذیرنده الکترون و C15Ge5 بعنوان دهنده الکترون، با ماکزیمم مقدار ولتاژ(Voc) (93/1ولت)، میتوانند در ساخت سلول خورشیدی بکار روند.

در این تحقیق حسگر میدان مغناطیسی بصورت مقرون به صرفه و با حساسیت بالا بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از سیال مغناطیسی طراحی شده است. نانوفروسیال توسط آنالیزهای پراش اشعه ی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخصه یابی شد. حسگرمیدان مغناطیسی با قرار دادن فروسیال حول فیبرهای نوری با طول یکسان وقطر های مختلف تهیه شدند. اثر قطر فیبر نوری بر خواص حسگر بصورت تجربی مورد بررسی قرار گرفت. فیبر نوری با قطر 4/0 میلیمتر بیشترین حساسیت mT/dbm 0189/0 بیشترین گستره آشکار سازی میدان از mT 5/2 تاmT 125 را نسبت به سایر نمونه ها از خود نشان داد. حسگر در حالت بهینه ی عملکرد پاسخی خطی و در حدود 99 % را نشان داد.