مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

601
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

611
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen, C20-nSin) به روش نظریه ی تابعی چگالی

صفحات

 صفحه شروع 206 | صفحه پایان 217

چکیده

 در این تحقیق نانو ساختارهایC20 Bowl, (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی, گاف انرژی, هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین, C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظمی بر گاف انرژی ندارد اما منجر به کاهش قابل ملاحظة گاف انرژی در همه ساختارها و افزایش هدایت الکتریکی میشود. کمترین گاف انرژی و بیشترین هدایت الکتریکی در C17Ge3 و C16Si4 بدست آمده است. گاف سطح انرژی تراز هومو ی جزء دهندة الکترون و سطح انرژی تراز لوموی جزء پذیرندة الکترون, فاکتور مهمی در انتقال الکترون بین دو ساختار با پتانسیل کاربرد فتو ولتائیکی است. دو ساختار C17Si3 بعنوان پذیرنده الکترون و C15Ge5 بعنوان دهنده الکترون, با ماکزیمم مقدار ولتاژ(Voc) (93/1ولت), میتوانند در ساخت سلول خورشیدی بکار روند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    نیک مرام، فرخ رویا، قلی زاده آرشتی، مریم، و کتابی، سپیده. (1397). بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen, C20-nSin) به روش نظریه ی تابعی چگالی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، 8(19 )، 206-217. SID. https://sid.ir/paper/243806/fa

    Vancouver: کپی

    نیک مرام فرخ رویا، قلی زاده آرشتی مریم، کتابی سپیده. بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen, C20-nSin) به روش نظریه ی تابعی چگالی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)[Internet]. 1397؛8(19 ):206-217. Available from: https://sid.ir/paper/243806/fa

    IEEE: کپی

    فرخ رویا نیک مرام، مریم قلی زاده آرشتی، و سپیده کتابی، “بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen, C20-nSin) به روش نظریه ی تابعی چگالی،” پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، vol. 8، no. 19 ، pp. 206–217، 1397، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/243806/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button