مجله علوم دانشگاه شهید چمران
سال:1386 | دوره:- | شماره:18 (قسمت الف) |تعداد مقالات:10

هدف از برنامه های واکسیناسیون عمومی کاهش گسترش بیماری های عفونی می باشد. در مطالعات پزشکی، میزان مولد پایه بیماری عفونی R از اهمیت ویژه ای برخوردار است و همواره سعی بر آن است که این مقدار از یک کم تر باشد، اگر این مقدار به یک نزدیک یا از آن بیش تر شد به معنی شیوع بیماری بوده و باید دوباره واکسیناسیون صورت گیرد. در این مقاله روشی را برای بازبینی مقدار R با استفاده از داده های نظارتی شرح می دهیم. روش بر اساس فرآیند شاخه ای با میزان مولد پایه R است. تابع درستنمایی غیرشرطی را برای برآورد میزان مولد پایه بر اساس داده های اندازه شیوع هنگامی که توزیع تولدها پواسن یا هندسی باشد به دست می آوریم و به کمک آن، میزان مولد پایه بیماری سرخک را در استان فارس برآورد می کنیم.

در آمارگیری ها اعم از سرشماری ها و آمارگیری های نمونه ای امکان بروز انواع خطای غیرنمونه گیری وجود دارد. خطای پاسخ بخش مهمی از خطاهای غیرنمونه گیری را تشکیل می دهد و مدل سازی آن دارای اهمیت و کاربردهای فراوانی است. یکی از کاربردهای مدل خطای پاسخ، به کارگیری آن در برآورد میزان دقت است. در این مقاله مدل خطای پاسخ در آمارگیری ها به شیوه مصاحبه حضوری مورد نظر قرار گرفته و آماره هایی برای آزمون اثرهای مدل بر اساس تشکیل جدول تحلیل واریانس ارایه شده و همچنین برآوردگرهایی برای مولفه های واریانس به روش ماکسیمم درستنمایی مقید (در دو حالت) حاصل شده اند. به عنوان ارایه کاربردی از نتایج حاصل، مجموعه هایی از داده ها به کار گرفته شده و مولفه های واریانس مدل خطای پاسخ با استفاده از برآوردگرهای ارایه شده به روش ماکسیمم درستنمایی مقید، محاسبه شده اند. یک مساله در مورد برآوردهای حاصل از روش ماکسیمم درستنمایی مقید، لزوم قرار گرفتن آن ها در فضای پارامتر است. لذا برای اطمینان از اعتبار برآوردهای حاصل، از برنامه ریزی غیرخطی استفاده شده و نتایج نشان داده است که بهینه سازی غیرخطی برآوردهای حاصل از روش ماکسیمم درستنمایی مقید را کاملا تایید می کند.

در تحلیل داده های فضایی تابع تغییرنگار که تعیین کننده ساختار همبستگی بین داده ها است، عموما نامعلوم بوده و لازم است بر اساس مشاهدات برآورد شود. هر چند روش های مختلفی برای برآورد پارامترهای تغییرنگار وجود دارند، اما محدود بودن تعداد مشاهدات منجر به تردید قابل توجهی در برآورد آن ها و در نهایت عدم دقت پیشگویی های فضایی حاصل از آن می گردد. در این مقاله اندازه های دقت برآورد کمترین توان های دوم وزنی پارامترهای تغییرنگار به روش بوت استرپ بلوک مجزا تعیین می شود. سپس برآوردها با استفاده از این اندازه های دقت تصحیح شده و بر اساس معیار اعتبارسنجی متقابل نشان داده می شود که استفاده از تغییرنگار با برآوردهای تصحیح شده منجر به افزایش دقت پیشگویی فضایی می گردد.

در این مقاله خواهیم دید که فضای C(X) همراه با –m توپولوژی؛ یعنی Cm(X) یک فضای هاسدروف و منظم است و نشان می دهیم که Cm(X) شمارای نوع اول است اگر و تنها اگر فضای X شبه فشرده باشد. ثابت می کنیم که Cm(X) بسیار دور از تقریبا –P فضا است و شبه فشرده نیست. همچنین مجموعه توابع مقسوم علیه صفر در Cm(X) بسته است اگر و تنها اگر فضای X تقریبا –P فضا باشد. مجموعه عناصر یکه Cm(X) را مورد بررسی قرار می دهیم و با کمک این مجموعه خواهیم دید که Cm(X) هرگز ناهمبند شدید نمی باشد. سرانجام ثابت می کنیم که C¥(X) در Cm(X) بسته است و بستار Ck(X) بر حسب ایدآل های ماکسیمال C(X) شناسایی می شود.

مجموعه ضربی - بسته یکی از مفاهیم بسیار مهم و مفید در جبر است. با این همه تاکنون در هیچ کتاب یا مقاله ای مجموعه های ضربی - بسته به عنوان یک کلاس با ساختاری جبری مورد مطالعه قرار نگرفته است. در این مقاله یک ساختار جبری روی کلاس مجموعه های ضربی - بسته تعریف شده و مورد بررسی قرار می گیرد. به ویژه، شرایطی بررسی خواهد شد که تحت آن، این ساختار جبری با حلقه بولی P(X) یکریخت باشد.

در این مقاله ابتدا برنامه ریزی مخروط مرتبه دوم را معرفی می کنیم. سپس رده هایی از مسایل برنامه ریزی های کسری را به مسایل از نوع برنامه ریزی مخروط مرتبه دوم تبدیل و از روش نقطه درونی کاهش پتانسیل حل می کنیم. با حل این دسته از مسایل جواب بهینه مساله اصلی به دست می آید.

به علت اهمیت زیاد GaN به عنوان یک نیمرسانای با گاف نواری پهن در قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی بررسی خواص ترابری الکتریکی آن مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. در حالت کلی وجود ناخالصی ها و دررفتگی ها در نیمرساناها بر خواص ذاتی آن ها تاثیر می گذارد. هدف ما در این مقاله بررسی نظری تاثیر حضور ناخالصی های متفاوت (Si، Ge و O) به عنوان آلاینده نوع n در خواص الکتریکی سه نمونه از این نیمرسانا است. محاسبات ما مبتنی بر نظریه های خنثایی بار و سازوکارهای پراکندگی الکترونی بر مبنای تقریب زمان واهلش است. تحلیل نتایج تجربی حاکی از آن است که Si آلاینده ای مناسب با تراز انرژی کم عمق (17 meV)، نسبت به لبه نوار رسانش، به شمار رفته و وجود آن به تراکم دررفتگی بلوریی نسبتا پایین در حدود 109 cm-2 منجر می گردد. این در حالی است که آلایش ماده با Ge و O سبب ایجاد ترازهای ناخالصی عمیق تر به ترتیب 19 و 28 meV شده و همچنین حضور آن ها به ایجاد تراکم های دررفتگی های بلوری و نیز تراکم تهیجاهای نیتروژنی بیش تر، به ترتیب با ضریبی در حدود 103 و 3، در این ماده می انجامد.

ضریب خودالقایی، یکی از پارامترهای مهمی است که در فرآیند شکل دهی الکترومغناطیسی با آن روبرو هستیم. قرارگرفتن قطعه کار در مجاورت سیم پیچ، اثر قابل ملاحظه ای در ضریب خودالقایی سیم پیچ ایجاد می کند و لذا پارامترهای مختلف فرآیند از قبیل دامنه، و فرکانس جریان الکتریکی، میدان مغناطیسی و فشار وارد بر قطعه کار را نیز تحت تاثیر قرار می دهد. این مقاله، با استفاده از نرم افزار اجزا محدود ANSYS به محاسبه عددی و بررسی ضریب خودالقایی معادل سیم پیچ و قطعه کار در فرآیند انبساط الکترومغناطیسی استوانه، که تاکنون در مقالات و مراجع مربوط به فرآیند شکل دهی الکترومغناطیسی مورد محاسبه قرار نگرفته است، می پردازد. ابتدا برای تعیین چگونگی توزیع جریان الکتریکی بر روی مقطع حلقه های سیم پیچ، یک سیم پیچ استوانه ای بدون قطعه کار شبیه سازی می شود. با استفاده از نتایج شبیه سازی، نمودار تغییرات شار مغناطیسی گذرنده از سیم پیچ در برابر تغییرات جریان الکتریکی به دست می آید و ضریب خودالقایی که عبارت است از شیب نمودار مذکور، توسط روش حداقل سازی مربعات محاسبه می شود ضرایب خودالقایی سیم پیچ هایی با ابعاد مختلف که به همین ترتیب شبیه سازی و محاسبه شده اند، انطباق خوبی را با نتایج محاسبات تحلیلی موجود در مراجع نشان می دهند. لذا از همین روش برای شبیه سازی و محاسبه ضریب خودالقایی معادل سیم پیچ و قطعه کار در فرآیند انبساط استوانه استفاده می گردد. سپس شبیه سازی و محاسبات مذکور برای قطعه کارهایی با قطرهای مختلف تکرار می شود. نتایج حاصله نشان می دهند که روند تغییرات ضریب خودالقایی به ازا قطرهای مختلف قطعه کار، با نتایج تجربی که قبلا در مورد تاثیر وجود یک محفظه رسانای خارجی در اطراف سیم پیچ در مراجع ارایه شده اند تطابق دارد.