مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

611
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

675
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

تاثیر آلاینده های Si، Ge و O بر خواص ترابری الکتریکی n-GaN کپه ای

صفحات

 صفحه شروع 85 | صفحه پایان 92

چکیده

 به علت اهمیت زیاد GaN به عنوان یک نیمرسانای با گاف نواری پهن در قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی بررسی خواص ترابری الکتریکی آن مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. در حالت کلی وجود ناخالصی ها و دررفتگی ها در نیمرساناها بر خواص ذاتی آن ها تاثیر می گذارد. هدف ما در این مقاله بررسی نظری تاثیر حضور ناخالصی های متفاوت (Si, Ge و O) به عنوان آلاینده نوع n در خواص الکتریکی سه نمونه از این نیمرسانا است. محاسبات ما مبتنی بر نظریه های خنثایی بار و سازوکارهای پراکندگی الکترونی بر مبنای تقریب زمان واهلش است. تحلیل نتایج تجربی حاکی از آن است که Si آلاینده ای مناسب با تراز انرژی کم عمق (17 meV), نسبت به لبه نوار رسانش, به شمار رفته و وجود آن به تراکم دررفتگی بلوریی نسبتا پایین در حدود 109 cm-2 منجر می گردد. این در حالی است که آلایش ماده با Ge و O سبب ایجاد ترازهای ناخالصی عمیق تر به ترتیب 19 و 28 meV شده و همچنین حضور آن ها به ایجاد تراکم های دررفتگی های بلوری و نیز تراکم تهیجاهای نیتروژنی بیش تر, به ترتیب با ضریبی در حدود 103 و 3, در این ماده می انجامد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    رییسیان، محمدهادی، و عشقی، حسین. (1386). تاثیر آلاینده های Si, Ge و O بر خواص ترابری الکتریکی n-GaN کپه ای . مجله علوم دانشگاه شهید چمران، -(18 (قسمت الف))، 85-92. SID. https://sid.ir/paper/58048/fa

    Vancouver: کپی

    رییسیان محمدهادی، عشقی حسین. تاثیر آلاینده های Si, Ge و O بر خواص ترابری الکتریکی n-GaN کپه ای . مجله علوم دانشگاه شهید چمران[Internet]. 1386؛-(18 (قسمت الف)):85-92. Available from: https://sid.ir/paper/58048/fa

    IEEE: کپی

    محمدهادی رییسیان، و حسین عشقی، “تاثیر آلاینده های Si, Ge و O بر خواص ترابری الکتریکی n-GaN کپه ای ،” مجله علوم دانشگاه شهید چمران، vol. -، no. 18 (قسمت الف)، pp. 85–92، 1386، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/58048/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button