مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

862
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

1,033
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

حل عددی معادله ترابرد الکترون در نانوترانزیستورها در رژیم بالیستیک برای حالت یک بعدی و دو بعدی

صفحات

 صفحه شروع 47 | صفحه پایان 53

چکیده

 برای دست یابی به سرعت کار بالاتر و چگالی های بیش تر در بسته بندی, ساختارهای ابزار FET به طور روزافزون کوچک شده اند. قطعاتی به کوچکی 18 نیز می توانند مشخصه های ترانزیستور قابل قبول را نمایش دهند, اما در چنین ابعادی طبیعت انتقال حامل در قطعه تغییر می کند. در چنین ماسفت هایی که اندازه قطعه از طول پراکندگی حامل کوچک تر است احتمال اینکه حامل ها کانال را از الکترود های سورس به درین بدون مواجهه با رخداد پراکندگی طی کنند بسیار زیاد است. به چنین انتقالی به اصطلاح انتقال بالیستیک گویند. در این مقاله به بررسی ترابرد الکترون در نانوترانزیستورها پرداخته و با استفاده از رهیافت نیمه کلاسیک مبتنی بر معادلات بولتزمن برای رژیم بالیستیک جریانیک ساختار دو بعدی و همچنین برای یک سیم کوانتومی محاسبه می گردد که این محاسبات مبتنی بر مدل ارایه شده توسط 1- رحمان, جی- گئو و س- داتا می باشد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    ضیایی، اشرف السادات، کنجوری، فرامرز، و اصلانی نژاد، مرتضی. (1386). حل عددی معادله ترابرد الکترون در نانوترانزیستورها در رژیم بالیستیک برای حالت یک بعدی و دو بعدی. مهندسی برق مجلسی، 1(3 (3))، 47-53. SID. https://sid.ir/paper/188222/fa

    Vancouver: کپی

    ضیایی اشرف السادات، کنجوری فرامرز، اصلانی نژاد مرتضی. حل عددی معادله ترابرد الکترون در نانوترانزیستورها در رژیم بالیستیک برای حالت یک بعدی و دو بعدی. مهندسی برق مجلسی[Internet]. 1386؛1(3 (3)):47-53. Available from: https://sid.ir/paper/188222/fa

    IEEE: کپی

    اشرف السادات ضیایی، فرامرز کنجوری، و مرتضی اصلانی نژاد، “حل عددی معادله ترابرد الکترون در نانوترانزیستورها در رژیم بالیستیک برای حالت یک بعدی و دو بعدی،” مهندسی برق مجلسی، vol. 1، no. 3 (3)، pp. 47–53، 1386، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/188222/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button