Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

795
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

477
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم

صفحات

 صفحه شروع 109 | صفحه پایان 116

چکیده

 مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر(مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه درمورد بر(B) شروع کرده ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر, از نظر مطالعه, طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله, گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی, زمان پرواز یون ثانویه (TOF-SIMS) و تجزیه فرایند هسته ای 31P(α,P)34S تهیه شده است. با این که سطح مقطع این فرایند هسته ای کوچک است, امکان محسبه مقدار مطلق فسفر کشت شده در سیلیسیوم در عمق کمتر از nm 20 را ایجاد نموده ایم. به این منظور دو مجموعه از نمونه های سیلیسیوم را که درآن فسفر کشت شده بود تهیه کردیم. در یک مجموعه از نمونه ها, فسفر به مقدار 1´1014cm-2 تا 3´1015cm-2 با انرژی 8keV و در مجموعه نمونه دوم فسفر به مقدار 1´1013cm-2 تا 1´1015cm-2 با انرژی keV 1 تا keV 30 کشت شده است. در این مطالعه اثری از کنش خود به خودی دیده نشد.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    بلوری زاده، محمد، و میچل، ایان. (1383). اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم. پژوهش فیزیک ایران، 4(2)، 109-116. SID. https://sid.ir/paper/1931/fa

    Vancouver: کپی

    بلوری زاده محمد، میچل ایان. اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم. پژوهش فیزیک ایران[Internet]. 1383؛4(2):109-116. Available from: https://sid.ir/paper/1931/fa

    IEEE: کپی

    محمد بلوری زاده، و ایان میچل، “اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم،” پژوهش فیزیک ایران، vol. 4، no. 2، pp. 109–116، 1383، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/1931/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی





    بازگشت به بالا