مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

812
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

529
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی

صفحات

 صفحه شروع 621 | صفحه پایان 628

چکیده

 در این مقاله لایه نازک دی اکسید سیلیسیم, SiO2, با دو روش تولید شده است: در روش اول, SiO2 مستقیماً توسط تفنگ الکترونی تبخیر می شود و هم زمان برای جبران کمبود اکسیژن, گاز اکسیژن به محیط تزریق می شود. در روش دوم, منواکسید سیلسیم, SiO, توسط تبخیر گرمایی بخار می شود و در حین تبخیر آن, زیر لایه با یون های اکسیژن که توسط یک منبع یون تولید شده اند بمباران می شود. ضریب شکست, ضریب خاموشی و ضخامت لایه به کمک حل عددی روابط عبور و بازتاب محاسبه شده اند. از میزان جابه جایی منحنی عبور مقدار نایکنواختی لایه محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد که اگر مقدار جریان و انرژی یون های اکسیژن به طور مناسب انتخاب شوند, لایه SiO2 تولید شده در روش دوم, جذب ندارد. به علاوه لایه SiO2 تولید شده توسط روش دوم به مراتب یکنواخت تر از لایه تولید شده با روش اول می باشد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    شکوری، رضا، و حیدری، حسن. (1396). بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2, تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی. پژوهش فیزیک ایران، 17(4 )، 621-628. SID. https://sid.ir/paper/2032/fa

    Vancouver: کپی

    شکوری رضا، حیدری حسن. بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2, تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی. پژوهش فیزیک ایران[Internet]. 1396؛17(4 ):621-628. Available from: https://sid.ir/paper/2032/fa

    IEEE: کپی

    رضا شکوری، و حسن حیدری، “بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2, تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی،” پژوهش فیزیک ایران، vol. 17، no. 4 ، pp. 621–628، 1396، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/2032/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button