APA:
کپینوبخت، مریم، و نیارکی اصلی، راهبه. (1396). طراحی سلول SRAM 8 ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختاز جایگذاری بیت. صنایع الکترونیک، 8(2 )، 149-162. SID. https://sid.ir/paper/229619/fa
Vancouver:
کپینوبخت مریم، نیارکی اصلی راهبه. طراحی سلول SRAM 8 ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختاز جایگذاری بیت. صنایع الکترونیک[Internet]. 1396؛8(2 ):149-162. Available from: https://sid.ir/paper/229619/fa
IEEE:
کپیمریم نوبخت، و راهبه نیارکی اصلی، “طراحی سلول SRAM 8 ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختاز جایگذاری بیت،” صنایع الکترونیک، vol. 8، no. 2 ، pp. 149–162، 1396، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/229619/fa