مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

413
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

770
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

طراحی سلول 9SRAM ترانزیستوری پایدار کم توان با بهبود سرعت خواندن و نوشتن

صفحات

 صفحه شروع 121 | صفحه پایان 128

چکیده

 امروزه با پیشرفت روز افزون تکنولوژی, نیاز به مدارات و حافظه های پرسرعت با حفظ پایداری و مصرف توان کم افزایش یافته است. در این مقاله, یک سلول SRAM نه ترانزیستوری پایدار و بهبود یافته برای کاربردهای پر سرعت با مصرف کم توان نشتی پیشنهاد شده است. در این طرح, از دو تکنیک تفکیک مسیر خواندن و نوشتن و تکنیک " stack effect" به طور همزمان به منظور بهبود عملکرد خواندن و نوشتن استفاده شده است. نتایج شبیه سازی در تکنولوژی CMOS 32 نانومتری نشان می دهد که سلول پیشنهادی در ردیف سلول های بسیار سریع قرار می گیرد. این در حالی است که توان نشتی سلول پیشنهادی نسبت به سلول های سریع 16 تا 41 درصد کاهش یافته است. لازم به ذکر است که پایداری سلول پیشنهادی در مد خواندن نسبت به سلول 6 ترانزیستوری پایه تقریبا دو برابر شده است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    تقی پور، شیوا، و نیارکی اصلی، راهبه. (1396). طراحی سلول 9SRAM ترانزیستوری پایدار کم توان با بهبود سرعت خواندن و نوشتن. صنایع الکترونیک، 8(3 )، 121-128. SID. https://sid.ir/paper/229713/fa

    Vancouver: کپی

    تقی پور شیوا، نیارکی اصلی راهبه. طراحی سلول 9SRAM ترانزیستوری پایدار کم توان با بهبود سرعت خواندن و نوشتن. صنایع الکترونیک[Internet]. 1396؛8(3 ):121-128. Available from: https://sid.ir/paper/229713/fa

    IEEE: کپی

    شیوا تقی پور، و راهبه نیارکی اصلی، “طراحی سلول 9SRAM ترانزیستوری پایدار کم توان با بهبود سرعت خواندن و نوشتن،” صنایع الکترونیک، vol. 8، no. 3 ، pp. 121–128، 1396، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/229713/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button