APA:
کپینقی زاده، شکوفه، و غلامی، محمد. (1396). طراحی یک سلول جدید بسیار توان پایین SRAM با بهبود حاشیه نویز خواندن. صنایع الکترونیک، 8(3 )، 135-144. SID. https://sid.ir/paper/229703/fa
Vancouver:
کپینقی زاده شکوفه، غلامی محمد. طراحی یک سلول جدید بسیار توان پایین SRAM با بهبود حاشیه نویز خواندن. صنایع الکترونیک[Internet]. 1396؛8(3 ):135-144. Available from: https://sid.ir/paper/229703/fa
IEEE:
کپیشکوفه نقی زاده، و محمد غلامی، “طراحی یک سلول جدید بسیار توان پایین SRAM با بهبود حاشیه نویز خواندن،” صنایع الکترونیک، vol. 8، no. 3 ، pp. 135–144، 1396، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/229703/fa