مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,284
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

572
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک

صفحات

 صفحه شروع 11 | صفحه پایان 17

چکیده

 در این مقاله به منظور بهبود پارامترهای الکترونیکی نانوسیم های سیلیکونی, اثر اضافه کردن اتم ناخالصی آرسنیک و فسفر بررسی شده است. پارامترهای بررسی شده شامل طیف انتقال, قابلیت تحرک, طول آزاد میانگین و ساختار باند انرژی می باشد. جهت بررسی رسانایی و قابلیت تحرک نانوسیم های سیلیکونی, انتقال در طول نانوسیم های بلند در حضور تعداد زیادی ناکاملی (مانند ناخالصی, جای خالی, بی نظمی و ناهمواری های سطحی) مورد بررسی قرار گرفته است. در این مقاله به منظور انجام محاسبات ساده تر, نانوسیم های با طول کوتاه و ناکاملی های جزیی مطالعه شده است. از اینرو نانوسیم های با طول محدود را یک بار با افزودن فسفر و بار دیگر با افزودن آرسنیک, آلایش داده و نتایج حاصل از شبیه سازی تحلیل گردید. شبیه سازی با استفاده از نرم افزار QuantumWise انجام شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که با اضافه شدن ناخالصی های آرسنیک و فسفر به نانوسیم های سیلیکونی, طیف انتقال برحسب انرژی, افزایش می یابد. قابلیت تحرک برای چگالی های بار الکترون بیش از 1018cm-3 کاهش یافته, درحالی که در چگالی های کمتر از این مقدار, تقریبا ثابت می ماند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    معلقی، مریم، کوهی سعدی، عطیه، طالب نیا، پریسا، معنوی زاده، نگین، و صادقیان لمراسکی، مژگان. (1394). بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک. مواد و فناوری های پیشرفته، 4(4)، 11-17. SID. https://sid.ir/paper/252394/fa

    Vancouver: کپی

    معلقی مریم، کوهی سعدی عطیه، طالب نیا پریسا، معنوی زاده نگین، صادقیان لمراسکی مژگان. بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک. مواد و فناوری های پیشرفته[Internet]. 1394؛4(4):11-17. Available from: https://sid.ir/paper/252394/fa

    IEEE: کپی

    مریم معلقی، عطیه کوهی سعدی، پریسا طالب نیا، نگین معنوی زاده، و مژگان صادقیان لمراسکی، “بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک،” مواد و فناوری های پیشرفته، vol. 4، no. 4، pp. 11–17، 1394، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/252394/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button